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可调节的非线性激发式光学响应中的偏见双层石墨烯
偏见的双层石墨烯（BBG）是基于石墨烯 - 基于石墨烯的系统中兴奋性效应的重要系统，其易于调谐带隙。此带隙受外部门电压的控制，使一个人可以调整系统的光学响应。在本文中，我们研究了Bernal堆叠的BBG的激子线性和非线性光学响应，这是栅极电压的函数，包括平面（IP）和平面（OOP）方向。基于BBG电子结构的半分析模型，描述了栅极电压对激子结合能的影响，我们将讨论重点放在IP和OOP示例性响应上。线性和第二个谐波产生（SHG）非线性响应都对栅极电压非常敏感，因为带相互动量矩阵元素和系统的带隙都会随偏置潜力而变化。
探索宽带隙半导体中的高自旋颜色中心SIC：全面的磁共振研究（EPR和Endor分析）
1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M. ）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.） 4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M. Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。 2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M.）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.）4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M.Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M.）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）
从液相剥离层状硅酸盐矿物中分离出的二维纳米片的奇异电子特性
光谱不活跃、电绝缘和化学惰性是广泛用来描述云母和绿泥石等层状硅酸盐矿物的形容词。本文通过展示来自五种块状云母和绿泥石片岩的液体剥离纳米片的水悬浮液，推翻了上述观点。通过透射电子和 X 射线光电子能谱以及电子衍射确认了纳米片的质量。通过拉曼光谱，可以观察到以前未报告过的尺寸和层相关光谱指纹。当通过紫外可见光谱分析高产悬浮液（≈ 1 mg mL − 1 ）时，所有层状硅酸盐的带隙（ E g ）都从块体的 ≈ 7 eV 窄化到单层的 ≈ 4 eV。不同寻常的是，带隙与纳米片的面积 (A) 成反比，这是通过原子力显微镜测量的。由于未记录的量子限制效应，随着纳米片面积的增加，纳米片的电子特性向半导体行为 (带隙 ≈ 3 eV) 扩展。此外，模拟 X 射线衍射光谱表明，初始带隙变窄的根本原因是晶格弛豫。最后，由于其同构取代离子范围广泛，层状硅酸盐纳米片表现出显著的制氢催化特性。
在 ...上生长的 0.6 eV 以下倒置变质 GaInAs 电池
介绍了在 InP 和 GaAs 上生长的带隙低于 0.60 eV 的倒置变质 Ga 0.3 In 0.7 As 光伏转换器。InP 和 GaAs 上的穿线位错密度分别为 1.3 ± 0.6 × 10 6 和 8.9 ± 1.7 × 10 6 cm − 2。在辐照下，器件分别产生 0.386 和 0.383 V 的开路电压，产生 ≈ 10 A cm − 2 的短路电流密度，产生 0.20 和 0.21 V 的带隙电压偏移。功率和宽带反射率测量用于估计热光伏 (TPV) 效率。估计 InP 基电池在 1100°C 时可产生 1.09 W cm − 2，而 GaAs 基电池可产生 0.92 W cm − 2，效率分别为 16.8% 和 9.2%。两种器件的效率都受到亚带隙吸收的限制，功率加权亚带隙反射率分别为 81% 和 58%，其中大部分假定发生在分级缓冲器中。如果先前证明的反射率已达到，则估计 1100°C TPV 效率在移除分级缓冲器的结构中将增加到 24.0% 和 20.7%。这些器件也适用于 2.0–2.3 μ m 大气窗口内的激光功率转换。在 2.0 μ m 辐照度 1.86 和 2.81 W cm −2 下，峰值激光功率转换效率分别估计为 36.8％ 和 32.5％。
钙钛矿量子点在具有发光耦合效应的III-V多结太阳能电池载流子重分布中的应用
摘要。众所周知，多结太阳能电池中的发光耦合效应有助于通过载流子重新分布实现子电池之间的电流匹配。我们使用防潮全无机钙钛矿量子点 (PQD) 膜展示了 III-V 多结太阳能电池装置中的载流子重新分布。这种疏水性 PQD 膜应用于完整的 III-V 多结太阳能电池装置。这成功地展示了垂直方向的电流重新分布，表现为较低带隙子电池中的电流收集增加，以及横向的电流重新分布，从发光起源的较高带隙子电池相邻的较低带隙子电池中电流收集均匀性改善可以看出。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 Unported 许可证发布。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.JPE.10.042005]
用于及时更新的非合作多址博弈
摘要 — 我们考虑一个自私节点网络，这些节点希望尽量缩短它们在其他节点上的更新时间。节点使用基于 CSMA/CA 的访问机制通过共享频谱发送更新。我们将由此产生的竞争建模为非合作的一次性多址接入博弈，并研究两种不同介质访问设置的均衡策略 (a) 碰撞比成功传输短，(b) 碰撞更长。我们研究 CSMA/CA 时隙中的竞争，其中节点可以选择传输或保持空闲。我们发现介质访问设置对节点具有强大的激励作用。我们表明，当碰撞较短时，传输是一种弱主导策略。这导致所有节点都在 CSMA/CA 时隙中传输，从而保证发生碰撞。相反，当碰撞较长时，不存在弱主导策略，并且在时隙开始时的某些条件下，我们得出混合策略纳什均衡。
![arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日](/simg/d\d33631c28fd4d0362036a158b8733bd36e2095f4.webp)
arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日
二硫化钼（MOS 2）在菌株下具有许多有趣的证券和可能的技术应用。最近的一项实验研究检查了应变对单层MOS 2带对轻度弯曲石墨表面的带隙的影响，报告说，在双轴应变下，泊松比为0.44，带隙以400 MeV/％的速率降低。在这项工作中，我们使用广义梯度近似（GGA）PBE，混合功能性HSE06进行了密度功能理论（DFT）计算，并使用PBE波函数（G0W0@PBE）使用GW近似值进行了多体扰动理论。对于未经培训的单层，我们发现了理论与实验之间的带段的标准水平一致。对于实验泊松比的双轴菌株，我们发现，带隙以63 MeV/％菌株（PBE），73 MeV/％菌株（HSE06）和43 MeV/％菌株（G0W0@PBE）的速率降低，这些速率比实验率小。我们还发现，PBE预测不同的泊松比为0.25的速率（90 meV/％菌株）。自旋轨道校正（SOC）对间隙或其应变依赖性几乎没有影响。理论和实验之间的强烈分歧可能反映了底物对间隙应变依赖性的出乎意料的强烈影响。此外，我们观察到在应变下从直接到间接带隙的过渡，并且（在相等的双轴应变为10％）中，半导体到金属转变，与以前的理论工作一致。
血浆光子晶体中的可调拓扑边缘状态
摘要在这项研究中，我们发现了一种位于等离子体光子晶体（PPC）和传统光子晶体之间的界面上的边缘状态，该边缘取决于光子带隙的特性，而不是表面缺陷。模拟和理论分析表明，通过调整血浆密度，我们可以改变PPC的光子带隙的拓扑特征。这使其与传统PC的光子带隙不同，从而激发或关闭拓扑边缘状态。我们进一步讨论了血浆参数对边缘状态特征的影响，结果表明，随着血浆密度的增加，PPC的第一个光子带隙（PBG）关闭然后重新开放，从而导致频段反转和PPCS PBG特性的变化。我们可以通过等离子体控制边缘状态的产生，并调整边缘状态的频率和强度。在边缘状态出现后，随着等离子体密度的进一步增加，PPC的第一个PBG将向高频转移并加深。边缘状态的频率将转向更高的频率，其强度也会增加。我们通过增加阵列数量来增加PPC的第一个PBG深度，并发现当PPC阵列的数量增加时，只有边缘状态的强度会增加，而频率保持不变。因此，可以通过血浆密度和阵列数量参数来实现边缘状态频率和强度的灵活调整。我们的研究证明了血浆光子晶体中拓扑边缘状态的特性，我们认为这可以为基于边缘状态的应用提供一些指导。