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World File Search System脉冲宽度
gpm96- powerQuality＆Energy Meter www.eetarp.com
位移功率因数modbus读取类型电磁继电器电压Crest因子Modbus Modbus读取合规性静电放电IEC61000-4-2电流Modbus读取能量脉冲输出（仅GPM96-MID仅GPM96-MID）阈值阈值设置触发触发可脉冲宽度可脉冲宽度可脉冲宽度可选的200/100/60 MS相位3阶段脉冲电压，当前kl e QUALTAR 3阶段kn/3 epease kn/k k.主动功率，脉冲常数0.001/0.01/0.1/1/1/10/100/1000，每个脉冲反应能力，明显的功率，功率依从性IEC62053-31Classa。因子，频率数字输入测量通道3通道的每个通道：电压 /电流数字4（最大）**可选能量隔离电压2500 VAC（1分钟）能量正 /负极活性，反应性，反应时间10 ms明显的能量； Positive / Negative Maximum Frequency 1kHz base wave active, reactive energy Multi-tariff energy 4 tariff, 8 time period Measuring circuit Demand Measuring voltage inputs Real-time Demand fixed- and slide window record value Rated range (L-L) 230V/400V （ continuous: 1.2Un ） Accuracy Resolution 0.1 V Voltage/ Current ±0.2%
基于 FPGA 的脉冲宽度调制
通过控制施加到不同设备的电压，可以控制速度、热量和许多参数。控制电压的方法有很多，其中一种就是脉冲宽度调制技术。使用脉冲宽度调制可以改变占空比。脉冲宽度调制输出可以通过不同的电路获得。这里，脉冲宽度调制块有一个寄存器、计数器、比较器和 RS 锁存器。这些块是使用 QUARTUS-II 综合开发环境中的 VHDL 合成的，并在 Altera FPGA 板上进行仿真和下载。通过改变寄存器值可以改变开启时间，通过计数器值可以改变关闭时间。使用 Modelsim 软件模拟 PWM 波形输出。然后可以通过改变 FPGA 板中的 LED 强度来验证 PWM 波形。在这个项目中，使用 PWM 技术控制直流电机的速度。L293D 电机 d。将来，这种 PWM 技术可用于 MPTT 的阻抗匹配，以从太阳能电池板中提取最大功率。
BL20P03-3DL8 P 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是在 1 英寸 2 FR-4 板上贴片测试的，铜厚 2OZ 2. 数据是在脉冲下测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 3. 由设计保证，不受生产影响
阅读和理解ESD保护数据表
传输线脉冲（TLP）绘制在ESD事件中测试设备在当前和时间域中的行为。脉冲宽度和上升时间可以很容易地更改，但通常，测试涉及1至5-ns上升时间和100 ns脉冲宽度的矩形电流脉冲。TLP图提供了重要的参数，分解电压和夹具的动态电阻。如第4.8.6节所述，如果数据表中未明确提供夹紧电压，则可以从TLP图得出夹紧电压。从ESD2CANFD24数据表中显示了一个示例。对于此设备，以16-A为单位，夹紧电压估计为36-V。该设备确实会体验到Snap-back，这是一种用于降低ESD事件中总体电压下降的技术。由于ESD2CANFD24是双向二极管，因此正和负TLP图几乎相同，单向二极管并非如此。
CA-IS372x 高速双通道数字隔离器
• 数据速率：DC 至 150Mbps • 坚固的隔离屏障 长使用寿命：>40 年 高达 5000 V RMS 隔离额定值（宽体封装） ±150 kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围：2.5V 至 5.5V • 宽工作温度范围：-40°C 至 125°C • 无需启动初始化 • 默认输出高 (CA-IS372xH) 和低 (CA-IS372xL) 选项 • 高电磁抗扰度 • 低功耗 1Mbps 时每通道 1.5mA，V DD = 5.0V 100Mbps 时每通道 6.6mA，V DD = 5.0V • 最佳传播延迟和偏斜 12ns 典型传播延迟 2ns 传播延迟偏斜（芯片到芯片） 1ns 脉冲宽度失真 5ns 最小脉冲宽度• 施密特触发器输入 • 封装选项 窄体 SOIC8(S) 封装 宽体 SOIC8(G) 封装 宽体 SOIC16(W) 封装 • 安全法规认证 VDE 0884-17 隔离认证 UL 符合 UL1577 要求 IEC 62368-1、IEC 61010-1、GB 4943.1-2011 和 GB 8898-2011 认证
BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响