印度海得拉巴 Sridevi 女子工程学院 EEE 系。摘要 使用微控制器和脉冲宽度调制 (PWM) 技术调节直流电机的速度是本项目的主要目标。每个机器人项目都严重依赖直流电机控制。在许多应用中,旋转具有高或低速度限制的直流电机是必要的。我们为此采用 PWM 方法。在脉冲宽度调制 (PWM) 电路中,可以通过调整开关比将平均导通时间从零调整到百分之百,从而产生方波。这允许改变对负载的功率输送。与电阻功率控制器相比,脉冲宽度调制 (PWM) 电路效率更高。当设置为 50% 的负载功率时,PWM 使用大约 50% 的全功率,几乎所有功率都流向负载。相比之下,电阻控制器使用大约 71% 的全功率,其中一半功率流向负载,另外 21% 的功率浪费在加热串联电阻上。脉冲宽度调制还有一个额外的好处,就是允许脉冲达到整个电源电压。这样,它们就能够更容易地克服电机内部的阻力,从而在电机中产生更大的扭矩。这个项目采用了使用嵌入式 C 指令编码的车载计算机。车载计算机可以与输入和输出模块通信。为了显示直流电机的当前速度,LCD 充当输出模块。可以使用控制按钮调整电机的速度。
CT 值的范围也有限制,因为 CT 的放电时间决定了振荡器输出脉冲的脉冲宽度。该脉冲(除其他用途外)用作两个输出的消隐脉冲,以确保在转换期间不可能同时打开两个输出。此输出死区时间关系如图 1 所示。低于 0.35 微秒的脉冲宽度可能导致内部触发器切换失败。这将 CT 的最小值限制为 1000pF。(注意:虽然振荡器输出是方便的示波器同步输入,但探头电容会增加脉冲宽度并略微降低振荡器频率。)显然,脉冲宽度的上限由所选开关频率下电源所需的调制范围决定。CT 的实际值介于 1000pF 和 0.1 µF 之间,尽管已经成功实现了 120 Hz 振荡器,其值高达 5 µF,并串联了 100 欧姆的浪涌限制电阻。
摘要:在过去的几十年中,对半导体硅的激光消融进行了广泛的研究。在超短脉冲结构域中,无论是在FS尺度还是PS尺度上,硅的消融中的脉冲能量阈值都非常依赖于脉冲宽度。然而,在NS脉冲量表中,对脉冲宽度的能量阈值依赖性尚不清楚。这项研究阐明了NS NIR激光消融硅的相互作用能量依赖性。通过脉冲能量沉积速率确定消融或熔化的水平,该脉冲能量沉积速率与激光峰值成正比。较短的脉冲宽度高峰值功率可能会引起表面消融,而较长的脉冲宽度可能会诱导表面熔化。随着脉冲宽度从26增加到500 ns,消融阈值从5.63增加到24.84 j/cm 2。随着脉冲宽度从26增加到200 ns,熔化阈值从3.33增加到5.76 j/cm 2,然后一直保持恒定直至500 ns,最长的宽度。与较短的脉冲宽度不同,较长的脉冲宽度不需要较高的功率水平来诱导表面熔化,因为可以在较低的加热时间较长的脉冲宽度时诱导表面熔化。表面熔化的线宽度小于聚焦点尺寸;该线在缓慢的扫描速度下以连续线的形式出现,或者以高扫描速度以隔离点的形式出现。相比之下,从消融中的线宽度显着超过了聚焦的点大小。
* 连续集电极电流由最高结温限制。 *Collector current limited by maximum Junction temperature. 注 1 :脉冲宽度由最高结温限制。 Note1 : The pulse width is limited by the maximum junction temperature.
如图 3 所示,测量了松散缠绕的 MC 光纤。这是使用标称 20 ns 脉冲宽度的 POffiRI 测量的,这给出了 125 ns 的有效脉冲宽度(见附录 A)。发射和接收的极化状态通过穿过相同的线性偏振器而对齐。在线性偏振器之前连接了一根 1.5kIn 引线光纤,然后是被测光纤。轨迹的 POffiR 部分显示峰峰值幅度仅为大约 4 dB,这表明轨迹未完全解析。图 7 显示了第 5 节的可调 POffiR 的轨迹。这是使用 40 ns 的有效脉冲宽度和与发射极化状态正交的接收极化状态测量的,这给出了 7 到 9 dB 之间的峰峰值幅度,更好地重新定义了极化 Ji!~l。--
辐射脉冲宽度(电子束)是单个光谱尖峰宽度的傅立叶缀合物。在时间域中的总体电子束(D T)越长,能量(频率)域中的光谱尖峰宽度(DE)越窄。
EOT 的 <10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光能转换为电流。当端接至示波器上的 50 Ω 时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接至频谱分析仪上的 50 Ω 时,可以测量激光的频率响应。