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绿色键 - 非亚洲。 ...
本报告是由Kosintr Puongsophol（高级金融部门专家，经济研究与发展影响部[ERDI]）和Sree Kartha（顾问[Serd]顾问）领导的，并得到Pitchayaaivunnabood（Serdant，Serdant，Serdant），fonthip Yuthaseee（咨询）Erdi（Erdi）（Erdi）（Erdi）（Erdi）（Erdim）和JASNEN（ERD）和JASEN（咨询）（ERD）和JASEN）。该报告建立在最初由Naeeda Crishna Morgado（高级基础设施专家，气候金融）和Karthik Iyer（资本市场绿色金融专家）起草的早期版本上。该报告的总体生产协调由Marina Lopez Andrich和Criselda Rufino管理。编辑是由Kevin Michael Donahue（Erdi顾问）和Layla Yasmin T. Amar进行的，CBI的校对和页面证明检查。
自动缺陷 - 触发 - 键 - ...
摘要。计算机视觉和机器学习中的最新技术成就为工业质量控制提供了有希望的解决方案。由于自动解决方案很难在制造过程中集成，因此电池组装过程中的一种常见做法涉及对电池零件的手动调查，该电池零件既效率低下又耗时。我们将重点放在装配线中的一个具有挑战性的生产阶段，该阶段在人类检查不可行的情况下，只能在生产的后期才能检查出来的缺陷。为此，我们提出了一个原位系统，该系统通过在当前生产阶段准确识别异常来自动化质量控制过程并形成缺陷诊断。实施的系统旨在通过使用深神经网络（DNN）来监视电池组装线中的生产线并可视化电池组件中的有缺陷，并检查使用机器视觉系统收集的真实生产样品的缺陷。为了确定特定任务的光学配置，我们对各种最新的（SOTA）DNN体系结构进行了交叉评估，专门研究对象检测。此外，我们探索了复制 - 粘贴数据增强机制，以从少数有缺陷的样本中生成其他培训数据。最初使用平均平均精度（MAP）作为绩效评估的度量标准，对工业试验样本中缺陷的定位进行了验证，然后使用F-SCORE，PROCISION和RESEMES验证了有缺陷和非缺陷样本的分类作为评估指标。
高级超低环线键
必须仔细抛光，以消除可能传播的磨碎裂纹，从而导致裂缝。图2显示了一个高级的，堆叠的模具包，具有四个模具级别和三个电线环形状，包括模具到模具的粘合。死亡 - 绑定键，可以节省基板空间和成本，同时降低互连长度。虽然这些包装类型当前具有挑战性的线键功能，但新的进步正在提供必要的过程改进。这些水平之间的互连主要是通过电线粘合进行的。只有电线键合提供制造灵活性和能够填补此角色的低成本。当今自动电线键键提供的高级循环控件允许其他技术过程无法提供的灵活性和适应性。具有良好控制的弯曲和扭结状态的线键环的能力已经连续发展了12年以上[4]，[5]。1993年授予了第一个工作循环形状专利[6]。这些形状引导了CSP形状的发展。随着在第二个键附近的电线中添加弯曲，旨在提供公共汽车杆间隙，开发了BGA循环。现在，随着多个层次堆叠的模具包的出现，该行业正在推动新的循环高度水平降低。当今的状态债券机可以提供多达20个高级过程循环形状的功能。不断开发其他新循环形状，以适应包装设计要求。实现这些超低环形形状非常最近，已经引入了新的正向环形形状，可以产生<75µm的高度而不会牺牲吞吐量。
脑电图揭示抓取动作过程中事件相关去同步化的机制...
4.1 目的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
基于蒙脱石、精油等的涂层……
本研究旨在评估基于苋菜粉 (AF)、蒙脱石和三种精油（丁香、muña 和 matico）的涂层对延长微加工芒果保质期的效果。将芒果块分为四种不同的处理。T1-对照（未涂层芒果）、T2（0.3% w/v 的丁香）、T3（0.3% w/v 的 muña）和 T4（0.3% w/v 的 matico）。所有处理均含有 0.6% w/v 的苋菜粉和 0.02% w/v 的蒙脱石 (MMT)，并在 5°C 下保存 12 天。对每种处理评估了水活度 (Aw)、pH 值、总可溶性固体、酸度、重量损失、颜色、质地和抗菌活性。Matico 处理保持了 pH 值，并且芒果上的酵母和霉菌形成单位数量最低（3.47 log UFC g-1）。在贮藏最后一天，所有涂层处理均比对照组重量损失少，效果良好。马蒂科处理对芒果的保鲜效果更好。
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现代的复杂疗法的脱连一症
特定的化学疗法已知是寄生疾病的主要治疗方法。，但在肝促进性疾病的背景下，肢解症的过程通常是一种持续的慢性疾病，这又导致其病程并发症。在宿主的免疫状态的动荡时，即使是主动化疗也不会产生任何作用或快速再感染[3]。因此，仅局部治疗通常不会产生临床效果。此外，抗寄生虫治疗对整个身体具有重要的毒性影响并不是一个开放的秘密[4]。因此，应以消除化学疗法的有害作用的手段来重复其实施。抗寄生虫疗法的副作用和并发症还需要开发特殊的病原体治疗和CHE Maperapy的特殊方案，并使用复杂的治疗来消除任何负面影响。