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采用可再生能源实现环境可持续性：来自偏最小二乘结构方程模型 (PLS-SEM) 的证据
碳排放对环境的影响使得一些可持续发展目标难以实现。尽管国际机构做出了努力，但由于转型尚未完成，仍然需要解决这个问题。因此，本研究调查了 1998 年至 2021 年期间全球化、经济增长、金融包容性、可再生能源和政府机构对碳排放的影响。为了能够评估变量的直接和间接影响，采用了偏最小二乘结构方程模型，其中可再生能源作为中介，并采用两阶段最小二乘法进行稳健性检验。研究结果表明，全球化促进了可再生能源的使用，但金融包容性对可再生能源的使用有负面影响。可再生能源对碳排放有直接的积极和显著影响。金融包容性对碳排放有间接的负面和显著影响。结果表明，更多的金融包容性启蒙将有助于平稳过渡，并且应该在执行所有环境法规的前提下接受全球化。
集成自偏置电源的设计...
1 硕士技术学者，2 助理教授 1&2 电子与通信工程系，1&2 Shri Ram 工程与管理学院，Banmore Gwalior，印度 摘要：最近，AC-DC 电力电子技术变得越来越高效和具有成本效益，但总有改进的空间。本研究论文涉及 APFC 恒流降压型开关电源中集成自偏置电源的设计和分析。它提出了一种有源功率因数校正 (APFC) 低侧恒流降压型 SMPS IC 中的集成自偏置 VCC 电源，该电源没有外部磁芯和铜线绕组。使用低侧恒流降压转换器的 7W LED 驱动器对设计的电路进行了评估和验证。实验结果表明，基于所提方案的 IC 具有出色的效率、EMI 性能并且功耗更低。所提出的电源电路的应用也可以扩展到其他转换器，例如降压、降压-升压、反激和 Zeta。索引术语 - APFC 低侧 CC 降压转换器、自偏置 VCC、电荷泵单元。
低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
摘要提出了标准0.18- µm CMOS技术的超低功率子串电压参考电路。利用V Be和V Th的负温度特性，一种新型的自偏自偏电路结合了寄生BJT和MOSFET的组合，用于实现纳米瓦特功率调整的温度补偿的子带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。在27℃的供应电压范围为0.9 V至1.8 V，线调节（LR）为0.26％/V，电源排斥比（PSRR）为100 Hz时的电源排斥比（PSRR）为-49 dB。通过一次性进行修剪，在一组18个样本上进行的测量结果显示，温度平均温度平均温度为25.9 ppm/ o，温度范围为-20至100°C，C。电源耗散为1.8 nW，电源电压为0.9 v在27°C下为0.9°C。CHIP面积为0.0038 mm 2。关键字：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，传感器）
低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
摘要提出了在标准0.18-μmCMOS技术中制造的超低功率子带电压参考电路。利用V BE和V Th的负温度特性，使用寄生BJT和MOSFET的组合的新型自偏的电路构型用于实现纳米瓦特功率派遣的温度补偿的子频带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。线调节（LR）为0.26％/V，在27°时的电源电压范围为0.9 V至1.8 V，电源排斥比（PSRR）为-49 dB时为-100 Hz。在一次性修剪的情况下，在一组18个样品中执行的测量结果显示，温度系数的平均温度系数为25.9 ppm/℃，温度范围为-20至100°。功率耗散为1.8 NW，电源电压为0.9 V时为27℃。芯片面积为0.0038毫米2。关键词：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，模拟，RF，传感器）