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World File Search System范德华
一个载有两组磁性天空的范德华界面
探索磁性的机会，以及在2D限制中朝着旋转的应用。[7–9]在基于VDW外行系统的所有接口工程异质结构中，磁接近效应是操纵自旋的效果不可或缺的，[10-12]超导[13-15]和拓扑作用。[16–18]由于其非平凡拓扑结构，磁性天空已得到很好的研究，这导致了许多有趣的基本和动力学特性。[19-21]这些已报告主要是针对非中心单晶体的，[22-24]超薄外延系统，[25,26]和mag-Netic多层。[27–31]最近在与氧化层[32]或过渡金属二色氏元素[33]中连接的VDW铁磁体中观察到了Néel-type天空，并通过对滑敏相的控制，通过对滑敏相的控制进行调整。fur-hoverore，带有各种VDW磁铁，可以在其具有独特属性的新界面中创建Skrymions阶段。主持多个天际阶段的材料为该领域增添了丰富性，并具有额外的自由度设计
中间层激子的扩散和范德华异质结构中的传输
Abstract The assembly of monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) in van der Waals heterostructures yields the formation of spatially separated interlayer excitons (IXs) with large binding energies, long lifetimes, permanent dipole moments and valley-contrasting physics, providing a compelling platform for investigating and engineering spatiotemporal IX propagation with highly tunable动力学。进一步扭曲堆叠的TMD单层可以创建具有空间修改的带结构和不同的Moiré电位的长期周期性Moiré模式，具有定制的陷阱，这些陷阱可以引起与密度依赖性相变的强相关性，以调节激子运输。TMD异质结构中丰富的激子景观，加上Valleytronics和Twistronics的进步，对探索激子综合电路的巨大希望基于操纵激烈的扩散和运输。在这篇综述中，我们全面概述了了解IXS和Moiré激子的最新进展，特别关注了TMD异质结构中新兴的激子扩散和运输。我们强调通过各种方法对激子通量进行空间操纵，包括激子密度，介电环境，电场和结构工程，以进行精确控制。这种操纵激子扩散的能力为相互交流和信号处理提供了新的可能性，为在高性能光电上的激发应用铺平了道路，例如激发设备，valleytronic晶体管和光电探测器。我们终于通过概述了利用IX电流的观点和挑战来结束这项审查，用于下一代光电应用。
范德华台式 X 射线的多功能性得到增强……
范德华 (vdW) 材料因其众多独特的电子、机械和热特性而备受关注。特别是，它们是单色台式 X 射线源的有希望的候选材料。这项研究表明，台式 vdW X 射线源的多功能性超出了迄今为止所展示的范围。通过在 vdW 结构和入射电子束之间引入倾斜角，理论和实验表明，可访问的光子能量范围增加了一倍以上。这使得 vdW X 射线源的实时调谐具有更大的多功能性。此外，这项研究表明，通过同时控制电子能量和 vdW 结构倾斜，可访问的光子能量范围可以最大化。这些结果将为高度可调的紧凑型 X 射线源铺平道路，其潜在应用包括高光谱 X 射线荧光和 X 射线量子光学。
扭曲的范德华异质结构中的超导量子干扰
摘要：我们证明了约瑟夫森连接和超导量子干扰装置（Squid）的形成，使用干燥转移技术堆叠并确定性地错误地对机械地位，机械地对2的NBSE 2的植物进行了非对齐。发现所得扭曲的NBSE 2-NBSE 2连接的当前 - 电压特性对晶体学轴的未对准角度敏感，打开了一个新的控制参数，以优化设备性能，这在薄纤维 - 模拟式固定的连接处不可用。随后已经实施了单个光刻过程，以将约瑟夫森连接塑造成典型的环形区域约25μm2的鱿鱼几何形状，并且较弱的环节宽约600 nm。在t = 3.75 k时，在应用的磁场中，这些设备分别显示出较大的稳定电流和电压调制深度，分别为δi c〜75％和δv〜1.4 mV。关键字：范德华异质结构，约瑟夫森交界处，超导量子干扰装置，二维材料，NBSE 2 S
范德华异质结构中的温度相关粘附性
人们已经使用各种方法在微米和纳米尺度上研究了二维材料的黏附性能，研究了材料与金属和氧化物基底的黏附性能，以及二维材料之间的黏附性能。[5–7] 特别是，纳米机械原子力显微镜 (AFM) 技术已被用于直接测量石墨烯和针尖材料之间的相互作用。[8,9] 在用石墨材料涂覆 AFM 针尖方面取得的进展不仅提高了耐磨性和电性能，[10–14] 而且还为探测二维材料之间的层间相互作用提供了可能性。 Li 等人对约 10 纳米石墨包裹的 AFM 针尖与 MoS 2 和 h-BN 薄片之间的黏附性能进行了定性比较。[15] 使用针尖附着的二维晶体，Rokni 和 Lu 最近
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
磁性范德华 NiI2 晶体的气相沉积
摘要：范德华磁性材料最近被发现，引起了材料科学和自旋电子学的极大关注。制备原子厚度的超薄磁性层具有挑战性，而且大多是通过机械剥离来实现的。在这里，我们报告了磁性范德华 NiI 2 晶体的气相沉积。在厚度为 5 − 40 nm 的 SiO 2 /Si 衬底上和六方氮化硼（h-BN）上生长出单层厚度的二维（2D）NiI 2 薄片。温度相关的拉曼光谱揭示了原生 2D NiI 2 晶体中直至三层的稳健磁相变。电测量显示 NiI 2 薄片具有半导体传输行为，开/关比高达 10 6。最后，密度泛函理论计算显示 2D NiI 2 中存在层内铁磁和层间反铁磁有序。这项工作为外延二维磁性过渡金属卤化物提供了一种可行的方法，也为自旋电子器件提供了原子级薄材料。关键词：二维磁体、范德华材料、气相沉积、拉曼光谱、相变 A
排斥卡西米尔力和范德华力
材料表面之间电磁场的约束会导致后者之间产生力，这是由于前者的量子涨落造成的，这种力有许多有趣的特点。首先，这种力代表了真空量子性质的宏观表现，可以用当前的实验技术测量。其次，对自然界中的几种现象进行仔细研究后，有强有力的证据表明，粘附、摩擦、润湿和粘滞从根本上说是这些量子涨落的结果。第三，随着设备不断向纳米级小型化，设计物体间真空涨落的能力可能为改进设备架构、组装方法或功能铺平道路。在本文中，我们将简要讨论最近对长距离和短距离排斥力的测量、未来实验的测量方案，以及利用修改真空涨落约束产生的这些力的能力的技术机会。
范德华异质结构中的激子辅助电子隧道
隧道光谱已在2D材料的范围内广泛使用，以探索电子 - phonon耦合（自然物理学4，627，2008），以解决电子缺陷状态（Commun Phys 1，94，2018），并调查了共鸣式隧道（Nature Nanotech tunneling（Nature Nanotech 9，808，808，2014，2014，2014年）。此外，在半导体异质结构的传输测量中也观察到了激子（J. Appl。物理。81，6221，1997）。在所有这些研究中，相关状态都被电荷注入激发。另一方面，在我们的工作中，TMD坐在电路外，没有电荷载体注入TMD。
范德华材料中自旋缺陷的同位素工程
范德华材料中的旋转缺陷为推进量子技术提供了有前途的平台。在这里，我们提出并演示了一种基于宿主材料的同位素工程的强大技术，以确切地提高嵌入式自旋缺陷的相干性能。专注于六角硼（HBN）中最近发现的负电荷硼空位中心（V B），我们在同位素上种植同位素纯化的H 10 B 15 N晶体。与HBN中的V b相比，同位素的自然分布与同位素的自然分布相比，我们观察到较窄且拥挤的V B旋转过渡以及延长的相干时间t 2和松弛时间t 1。对于量子传感，在我们的H 10 B 15 N样品中的V B中心在DC（AC）磁场敏感性中表现出4（2）个因子。对于其他量子资源，V B高级别水平的个体可寻址性实现了对三个最近的邻居15 N核自旋的动态极化和相干控制。我们的结果证明了同位素工程对增强HBN中量子自旋缺陷的特性的力量，并且可以很容易地扩展到改善广泛的范德华材料家族中的自旋Qub。