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薄薄的FEA建模和环境评估...
*通讯作者：maozhou.meng@plymouth.ac.uk摘要：纤维增强塑料（FRP）复合材料已被广泛用于汽车行业，主要重点是减少质量。但是，关于其在电力传输组件（例如驱动轴）应用程序的报道相对较少。本文探讨了驱动轴中轻巧的FRP复合材料代替传统结构钢的可行性。针对钢驱动轴的三个FRP复合材料；玄武岩/环氧树脂，碳/环氧树脂和CNT（碳纳米管）增强碳/环氧复合材料。通过有限元分析（FEA）工具和经典层压板理论（CLT）分析了机械性能，而环境绩效是通过生命周期评估（LCA）方法评估的。研究表明，通过仔细设计，复合驱动轴可以胜过钢轴的机械性能（可节省90％的质量，安全系数高出50％）。研究发现钢轴比基于体现能量的FRP轴（钢总包含的能量150MJ，FRP +325MJ）可取。减少由于节省重量而减少的排放量的碳足迹意味着碳/环氧轴比钢轴更可取。提出了两个新的材料指数，可用于根据最小体现能量和全球变暖潜力选择材料。
薄薄的侧壁粗糙度造成的损失估计 -
集成的光子学促进了可扩展，节能的高性能设备的开发，并通过将各种被动和主动的光学组件集成到单个平台上，具有小脚印。这可以改善用于数据通信，传感，成像和量子信息处理的光学系统的性能和稳定性。由这些应用驱动，绝缘子（LNOI）上的薄膜锂（TFLN） / Niobate上的硅锂由于其高的非线性和电磁性能而成为强大的材料平台[1]。薄膜锂锂波导的高模态限制允许具有小弯曲半径的紧凑装置[2]。LNOI是有效的非线性设备[2-6]和快速电磁调节器[7 - 12]的合适候选者。低损坏波导通道可以预期与未来的高性能光子设备高度相关。，非结构化的薄膜材料具有内在的损失（0.2 dB / m [13]），它们远高于大量氯硝基锂的水平，这可能是由于制造过程中造成的离子植入损伤的结果[13]。由这些薄膜板制成的结构化通道表现出更高的衰减，主要是由粗糙的侧壁引起的。为了减轻这种效果，可以用诸如SIO 2之类的材料来覆盖该设备，以减少折射率对比度，可以通过调整制造过程来降低粗糙度，或者可以通过接受多模型的多模式spaveguide Geometries来减少光学模式的重叠[14]。使用这些方法在2023年已证明了1550 nm左右的最低传播损失1 dB / m [15]。低损失被认为是量子光学[16]，单个光子处理[17]或光学量子计算[18]的情况下特别是必不可少的。理解这些系统的局限性至关重要，因此，对建模的技术也很重要，在这些领域中很重要。在影响综合光子电路功能的各种损失来源之间
审查 - 超薄薄的无定形氧化物晶体管
无定形的氧化物半导体晶体管已成为展示面板中的成熟技术，并且最近被认为是用于单片3D应用的有希望的后端兼容通道材料。然而，实现具有与传统晶体半导体相当的性能的高弹性无定形半导体材料一直是一个长期的问题。最近发现，通过原子层沉积（ALD）工艺实现的氧化im氧化物的厚度可以调整其材料特性以实现高迁移率，高驱动电流，高/o效比，并在同一时间超出了传统氧化物半导体材料的功能。在这项工作中，综述了这项工作的历史，导致氧化含量重新出现，其基本材料特性，侧重于ALD的生长技术，最先进的氧化辅助设备研究以及设备的偏置稳定性。
TERT表达与薄薄的初步转移，黑色素瘤中疲惫的CD4+ T细胞以及跨癌症实体的DNA修复
端粒酶逆转录酶（TERT）启动子突变经常发生在癌症中，与TERT表达和细胞增殖增加有关，并可能影响黑色素瘤的治疗方案。作为TERT表达在恶性黑色素瘤中的作用和TERT的非规范功能，我们的目的是通过分析几个高度注释的高度注释的黑色素瘤队列来扩展当前对TERT启动子突变和肿瘤进展中表达改变的知识。使用多元模型，我们发现在免疫检查点抑制下，没有用于TERT促进突变突变或TERT表达与黑色素瘤同龄人的存活率的稳定关联。然而，CD4+ T细胞的存在随TERT表达而增加，并且与耗尽标记的表达相关。虽然启动子突变的频率没有随着勃斯洛的厚度而变化，但在较薄的原始引起的转移中，TERT表达增加了。作为单细胞RNA - 序列（RNA-Seq）表明，TERT表达与细胞迁移的基因和细胞外基质的动力学有关，这表明TERT在侵袭和转移过程中的作用。在几个大肿瘤和单细胞RNA-seq队列中发现的共同调节基因也表明，与线粒体DNA稳定性和核DNA修复有关的TERT的非传统功能。这种模式在胶质母细胞瘤和其他实体中也很明显。因此，我们的研究增加了TERT表达在癌症转移中的作用，并可能具有免疫抵抗力。
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
乙腈前的微波驱动的2H-MOS2的微波驱动的去角质会产生具有异常高收率的大面积超薄薄片
摘要：2D材料在许多领域都显示出令人兴奋的特性，但是应用程序的开发受到低收益，高处理时间和当前去角质方法质量受损的障碍。在这项工作中，我们使用了MOS 2的出色MW吸收特性来诱导快速加热，从而产生吸附的，低沸点溶剂的近乎稳定性蒸发。突然的蒸发产生了内部压力，可以以高效率分离MOS 2层，并且通过分散溶剂的作用将其保持分离。我们的快速方法（90 s）给出了高度的高产（47％，在0.2 mg/ml时为47％，在1 mg/ml时为35％）高度脱落的材料（4层以下90％），大面积（高达几μm2）和优质的质量（未检测到显着的MOO 3）。关键字：钼二硫化物，过渡金属二盐元素（TMDC），微波驱动的去角质，大面积超薄片，高横向尺寸，高产量t