机构名称：
¥ 1.0
无定形的氧化物半导体晶体管已成为展示面板中的成熟技术，并且最近被认为是用于单片3D应用的有希望的后端兼容通道材料。然而，实现具有与传统晶体半导体相当的性能的高弹性无定形半导体材料一直是一个长期的问题。最近发现，通过原子层沉积（ALD）工艺实现的氧化im氧化物的厚度可以调整其材料特性以实现高迁移率，高驱动电流，高/o效比，并在同一时间超出了传统氧化物半导体材料的功能。在这项工作中，综述了这项工作的历史，导致氧化含量重新出现，其基本材料特性，侧重于ALD的生长技术，最先进的氧化辅助设备研究以及设备的偏置稳定性。
审查 - 超薄薄的无定形氧化物晶体管
主要关键词
相关文件推荐
