实时可视化分子转变需要一种具有 A ˚ ngstr om 空间和飞秒时间原子分辨率的结构检索方法。含氢分子的成像还需要一种对氢核原子位置敏感的成像方法,大多数方法对氢散射的灵敏度相对较低。激光诱导电子衍射 (LIED) 是一种桌面技术,可以以亚 A ˚ ngstr om 和飞秒时空分辨率以及对氢散射的相对高灵敏度对气相多原子分子的超快结构变化进行成像。在这里,我们对孤立氨分子 (NH 3 ) 在强场电离后的伞状运动进行了成像。中性氨分子电离后,氨阳离子 (NH 3 + ) 在约 8 飞秒内经历超快几何转变,从金字塔结构 ( U HNH = 107 ) 变为平面结构 ( U HNH = 120 )。利用 LIED,我们在电离后 7:8 9:8 飞秒内恢复了近平面 ( U HNH = 117 6 5 ) 场修饰 NH 3 + 分子结构。我们测量的场修饰 NH 3 + 结构与使用量子化学从头计算计算出的平衡场修饰结构高度一致。
为了确定基板的切口,XRD 用于精确测量布拉格角(衍射角)的变化,因为基板的旋转角度相对于入射的 X 射线束会发生变化。如果布拉格角随基板的旋转角度而变化,则表明晶圆上有切口。非零晶圆切口会导致 Omega 峰位随着晶圆旋转而增加或减少,因为晶面与晶圆表面并不完全平行。当晶圆旋转到平面朝向 X 射线束倾斜到最大值时,Omega 衍射峰将位于比布拉格角低一个角度,该角度的幅度等于切口的大小。例如,朝向 X 射线束的 1° 切口晶圆的 Omega 峰位将比布拉格角预测的低 1°。同样,如果切口大小相同但相对于光束的方向相反,Omega 峰值的角度将比布拉格角大 1°。当晶圆在光束中旋转时,切口会导致 Omega 峰值从最小值平稳移动到最大值,并且可以观察到 Omega 峰值在这些极限之间的偏移。
由于设备和互连的缩小以及电子、航空航天和医疗应用的先进封装和组装,微纳米级电子元件的制造变得越来越苛刻。增材制造技术的最新进展使得制造微尺度 3D 互连结构成为可能,但制造过程中的传热是影响这些互连结构可靠性制造的最重要现象之一。在本研究中,研究了三维 (3D) 纳米粒子堆积的光吸收和散射,以深入了解纳米粒子内的微/纳米热传输。由于胶体溶液的干燥会产生不同的纳米粒子构型,因此研究了三种不同铜纳米粒子堆积构型中的等离子体耦合:简单立方 (SC)、面心立方 (FCC) 和六方密堆积 (HCP)。分析了单散射反照率 (ω) 与纳米颗粒尺寸、填充密度和配置的关系,以评估纳米颗粒填充物中 Cu 纳米颗粒的热光特性和等离子体耦合的影响。该分析深入了解了铜纳米颗粒中等离子体增强的吸收及其对纳米颗粒组件激光加热的影响。[DOI:10.1115/1.4047631]
Thermo Fisher Scientific 提供广泛的 X 射线衍射产品组合,使用位置灵敏探测器 (PSD),从简单的台式仪器到最先进的平台,使材料科学家和工程师能够对各种材料进行定性、定量和高级结构研究。应用范围广泛,从工业过程控制中的常规 QC/QA 相关相位量化到粉末、固体或薄膜形式的高级材料的结构、多态性、反应性或动力学的实时测定。Thermo Scientific X 射线衍射产品旨在超越您的分析需求。
摘要:我们报告了沉积在石墨烯上的 5,5′-双(萘-2-基)-2,2′-联噻吩 (NaT2) 薄膜的微观结构、形貌和生长,以掠入射 X 射线衍射 (GIXRD) 为特征,并辅以原子力显微镜 (AFM) 测量。NaT2 沉积在两种类型的石墨烯表面上:定制样品,其中我们将化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯层转移到 Si/SiO 2 基底上,以及常见的商业转移 CVD 石墨烯到 Si/SiO 2 上。原始 Si/SiO 2 基底用作参考。NaT2 晶体结构和取向在很大程度上取决于下面的表面,分子主要位于石墨烯表面(面向取向),并在 Si/SiO 2 参考表面上几乎位于平面外(边缘取向)。生长后的 GIXRD 和 AFM 测量表明,晶体结构和晶粒形态会根据石墨烯表面是否有聚合物残留而有所不同。原位 GIXRD 测量表明,在沉积过程开始时,结晶边缘相的 (111) 反射强度的厚度依赖性不会与零相交,这表明在表面 - 薄膜界面处形成了对应于 1-2 个分子层的初始润湿层。相比之下,在整个沉积过程中,结晶正面相的 (111) 反射强度以恒定的速率作为薄膜厚度的函数增长。■ 简介
太赫兹辐射介于红外和微波之间,最常见的频率范围是 0.1 THz 至 10 THz [1]。由于缺乏有效的、在室温下工作的、紧凑的、成本高效的光源和探测器,太赫兹是整个电磁辐射谱中研究最少的范围之一,直到 20 世纪 80 年代才开始被探索。自过去几十年以来,太赫兹辐射谱引起了研究人员的注意。该辐射范围的具体特征包括非电离、非侵入性、在水中的高吸收率和弥散性(水是生物组织的主要成分)。除了国防应用 [2、3] 和危险物质检测 [4-6] 之外,太赫兹辐射对医学诊断也非常有用 [7]。亚毫米波长最重要的特性是尚未发现其对人体组织有任何负面影响 [8-11]。在医学应用中,这种类型的辐射可用于检测乳腺癌和皮肤癌 [ 12 - 16 ]、研究引入血液循环的标记物,甚至用于分析人眼的角膜 [ 17 , 18 ]。在开发可在大量患者身上测试的设备时,太赫兹辐射的无创性非常重要,它比基于电离辐射的传统方法更具成本效益,诊断也更安全。水分子会强烈衰减太赫兹辐射,因此所研究的生物样本必须很薄或放在由水组成的材料表面。透射配置是可能的,但是它需要准备类似于组织病理学的生物样本,这在活体患者中是不可接受的。因此,反射配置是必要的,我们的研究重点将放在皮肤组织上。这项工作的主要目的是将先进的衍射光学元件 (DOE) 应用于太赫兹发射器和检测器装置。对比健康和癌变皮肤的光学特性可以区分危及生命的病变。由于太赫兹扫描的分辨率有限(波长相对较长),医生的检查无法替代,但这种设备在预防护理中非常有用。我们的目标是设计和制造薄型 DOE,这将使太赫兹皮肤扫描仪更加紧凑和实用。我们提出了一种基于利用的新颖方法,该方法是该领域的新方法
开发了同步辐射X射线(SR)分层照相和衍射方法,实现了对智能功率模块(IPM)内部退化行为的无损测量。通过SR分层照相跟踪IPM样品纳米颗粒Cu键合层的疲劳行为表明,大的聚集Cu簇引入了曲折裂纹和裂纹分支,从而降低了裂纹扩展速率,有望延长疲劳寿命。老化过程中的分层照相测量表明,纳米颗粒Cu的氧化是降低键合强度的主要退化模式,通过添加Bi和Sn可以改善键合强度。开发的旋转螺旋狭缝系统实现了IPM样品键合层中的空间分辨衍射测量。利用该技术可以获得IPM中应力和应变的内部分布图。SR分层成像与基于螺旋狭缝的衍射技术相结合将成为下一代IPM可靠性分析的有力工具。
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology, Kanpur EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II Schedule: Lectures: 10:00 AM – 11:00 AM MWF (L1) Tutorials: 10:00 AM – 11:00 AM Tu (TB103-TB106) Text: Semiconductor Devices and Circuits, Aloke Dutta, Oxford University Press, 2008 References: * Analysis and模拟集成电路的设计; P.R.Gray,P.J。Hurst,S.H。 刘易斯和R.G. Meyer; John Wiley&Sons,第4版,2001年 * MOS模拟电路,用于信号处理; R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利(John Wiley&Sons),1986年 *微电子电路;作为。 Sedra和K.C. 史密斯;牛津大学出版社,第5版,2004年 *微电子学; J. Millman和A. Grabel; McGraw-Hill,第2版,1987年讲师:Aloke Dutta,WL 126,7661,Aloke Tutors:S.S.S.K. iyer(WL 122,7820,Sskiyer),S。Qureshi(WL 211,7133,Qureshi),A。Verma(WL 132,6432,Amitkver)和Aloke Dutta主题:1。Hurst,S.H。刘易斯和R.G.Meyer; John Wiley&Sons,第4版,2001年 * MOS模拟电路,用于信号处理; R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利(John Wiley&Sons),1986年 *微电子电路;作为。 Sedra和K.C. 史密斯;牛津大学出版社,第5版,2004年 *微电子学; J. Millman和A. Grabel; McGraw-Hill,第2版,1987年讲师:Aloke Dutta,WL 126,7661,Aloke Tutors:S.S.S.K. iyer(WL 122,7820,Sskiyer),S。Qureshi(WL 211,7133,Qureshi),A。Verma(WL 132,6432,Amitkver)和Aloke Dutta主题:1。Meyer; John Wiley&Sons,第4版,2001年 * MOS模拟电路,用于信号处理; R. Gregorian和G.C.temes;约翰·威利(John Wiley&Sons),1986年 *微电子电路;作为。 Sedra和K.C.史密斯;牛津大学出版社,第5版,2004年 *微电子学; J. Millman和A. Grabel; McGraw-Hill,第2版,1987年讲师:Aloke Dutta,WL 126,7661,Aloke Tutors:S.S.S.K.iyer(WL 122,7820,Sskiyer),S。Qureshi(WL 211,7133,Qureshi),A。Verma(WL 132,6432,Amitkver)和Aloke Dutta主题:1。I-V特征和基本半导体设备(二极管,BJT和MOSFETS)的小信号模型2。偏见3。放大器4。输出阶段5。放大器的低和高频响应6。放大器的稳定性和补偿7。操作放大器分级:教程评估(微型Quizzes)15%2个测验(1月30日和3月27日)15%中期30%末端 - 末端 - 40%注释:所有相关材料都将在Brihaspati中发布在任何情况下,在任何情况下都可以在任何情况下发布,均不允许使用MINI-QUIZZ
国际计划委员会,由 Rod Hill 担任主席,对于会议的顺利进行,我们感谢 Kathleen Kilmer 及其 NIST 会议办公室的工作人员,特别是 Tammie Grice 和 Lori Phillips。如果没有 Ray Young 和
