XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System表面状态
zhe.li@hit.edu.cn拓扑表面状态...
1个国家可调节激光技术的国家主要实验室，工业和信息技术部Micro-Nano optoelectronic信息系统关键实验室，Harbin Technology Institute of Science，Harbin Technology of Science（沉申），深圳518055，中国518055，中国2个新能源材料，Southwestic Instuilt of Secient and Shermang 62210，大学，200444年，上海，中国上海4量子固态物理学，物理与天文学系，库伊文尼尔·库伊文，Celestijnenlaan 200d，200d，3001，比利时，5引民省5号省级省级的省级省级私人实验室，半导体材料和智能光电系统的Shenzhen，Shenzhen，Shenzhen）5这些作者做出了同样的贡献。§当前的地址：量子固态物理，物理与天文学系，卢文库文，BE-3001鲁汶，比利时，比利时†相应的作者：junyi_ge@t.shu.shu.edu.edu.edu.edu.edu.cn‡相应的作者：
露出表面状态 - 含碳 - 碳 - ...
掺杂氮的碳量子点是通过一步大气压微质量工艺合成的。使用一系列的光学和化学测量以及通过理论计算来研究观察到的光致发光发射及其与氮掺杂的关系。氮掺杂到核心和氧基团的表面状态的功能化产生了杂种结构，该结构造成了量子的发光量高达33％。载体乘积被视为量子产率中的阶梯状增强。对可见光发射的分析表明，发射的大部分源自表面状态，而不是由于量子点核心内的重组而引起的。表面官能团的作用在确定光学特性中的量子确定性上是主要的。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC下的开放访问文章（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）。
直接测量 RhSi 中的螺旋表面状态...
尽管边缘态是拓扑物理学的基本性质，但直接测量拓扑半金属费米弧的电子和光学特性一直是实验上的重大挑战，因为它们的响应常常被金属块体所淹没。然而，表面态和块体态携带的激光驱动电流可以在非对称晶体中以不同的方向传播，这使得这两个成分很容易分离。受最近理论预测 [1] 的启发，我们测量了在 0.45−1.1eV 入射光子能量范围内源自非对称手性韦尔半金属 RhSi 费米弧的线性和圆形光电效应电流。虽然在研究的能量范围内表面光电流的方向偏离了理论预期，但我们的数据与预测的圆形光电效应光谱形状与光子能量的关系非常吻合。还观察到了由线性光电效应引起的表面电流，出乎意料的结果是只需要六个允许的张量元素中的两个来描述测量值，这表明出现了与晶体空间群不一致的近似镜像对称性。
非焊接dyson拓扑绝缘子中表面状态的脆弱性
拓扑绝缘子和超导体支持扩展的表面状态，以防止静态疾病的本地化作用。具体而言，在属于对称类A，AI和AII的Wigner-Dyson绝缘子中，通过光流的机理机制，延长的表面状态的带连续连接到同样的扩展式散装状态。在这项工作中，我们表明，大多数非官方 - 戴森拓扑超导体和手性拓扑绝缘子都没有这种机制。在这些系统中，精确有一个点，带有延伸状态，频段的中心e¼0。远离它，状态是空间定位的，也可以通过添加空间局部电位来制作。将AIII类和蜿蜒数量ν¼1中的三维绝缘子作为范式案例研究，我们讨论了这种现象背后的物理原理及其方法论和应用后果。尤其是我们表明，在表面状态描述中的低能量dirac近似可能是危险的，因为它们倾向于掩盖本地性现象。我们还确定了根据浆果曲率定义的标志物是晶格模型中状态定位程度的度量，并通过广泛的数值模拟来支持我们的分析预测。作为我们研究的一部分，我们确定了可能区分运输或隧道光谱中这些不同替代方案的可能实验特征。这项工作的一个主要结论是，非官方 - 迪森拓扑绝缘子的表面现象学比其Wigner-Dyson兄弟姐妹的表面现象学得多，极限限制是光谱范围的量子临界临界临界）所有状态的量子批判性地定位，除了在E¼0关键点外。
轨道成分和持续的狄拉克表面状态，用于FETE0.55SE0.45
1 Stanford Institute for Materials and Energy Sciences, SLAC National Accelerator Laboratory , Menlo Park, California 94025, USA 2 Department of Applied Physics and Physics, Stanford University , Stanford, California 94305, USA 3 Geballe Laboratory for Advanced Materials, Stanford University , Stanford, California 94305, USA 4 Department of Physics, University of California , Berkeley, California 94720, USA 5 Donostia International Physics Center , 20018 Donostia-San Sebastián, Spain 6 Physics Department, University of the Basque Country (UPV/EHU) , Bilbao, Spain 7 Institute for Theoretical Solid State Physics, IFW Dresden, Helmholtzstrasse 20, Dresden, Germany 8 Advanced Light Source , Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA 9宾夕法尼亚州立大学物理系，宾夕法尼亚大学公园16802，美国10物理与天文学系，赖斯大学，德克萨斯州休斯敦市莱斯大学77005，11 Stanford Synchrotron Radiation Lightsiled Lightsce，Slac National Accelerator slac National Accelorator Laborator，Menlo Park，California 94025，US 12 Max Pallans 7德国
NBP Weyl半薄膜中微不足道表面状态的大型费米 - 能量转移和抑制
自旋向充电传输的有效转化，反之亦然，这与基于自旋电子产品的检测和生成自旋电流具有主要相关性。界面的界面对此过程有明显影响。在这里，Terahertz（THz）发射光谱拷贝用于研究大约50个原型F |中的超快旋转电荷转换（S2C）由铁磁层F（例如Ni 81 Fe 19，Co或Fe）和具有强（PT）或弱（Cu和Al）旋转轨道耦合的非磁性层N组成的n双层。改变f/n界面的结构会导致振幅急剧变化，甚至导致THZ电荷电流极性的反转。非常明显的是，当n是具有小旋转霍尔角的材料时，会发现对超快电荷电流的主要界面贡献。其大小约为在F |中发现的大约20％ PT参考样本。对称性参数和第一原理的计算强烈表明，界面S2C来自界面缺陷处的自旋极化电子的偏斜散射。结果突出了界面S2C偏斜散射的潜力，并提出了一种有希望的途径，以从DC到Terahertz的所有频率下量身定制的界面增强S2C。
高级材料-2023 -volckaert.pdf -Purdue Physics
通过AD原子沉积对量子物质的电子结构进行修改允许对电子和磁性的定向设计。在本研究中使用了此概念，以调整基于MNBI 2 TE 4的磁性拓扑绝缘子的表面电子结构。这些系统的拓扑带通常是强烈的电子掺杂的，并与表面状态的多种表面状态杂交，这些状态将显着拓扑状态置于电子传输和实际应用的范围。在这项研究中，微焦点角度分辨光发射光谱（微摩尔）可直接访问MNBI 2 TE 4和MNBI 4 TE 7的终止依赖性分散体。所得的带结构变化被发现是高度复杂的，涵盖了覆盖范围依赖性的双极掺杂效应，去除表面状态杂交以及表面状态带隙的塌陷。此外，发现掺杂带弯曲会产生可调的量子井状态。这种广泛的观察到的电子结构修饰可以提供新的方法来利用拓扑状态和富含锰二硫化锰的表面电子结构。
