自旋向充电传输的有效转化,反之亦然,这与基于自旋电子产品的检测和生成自旋电流具有主要相关性。界面的界面对此过程有明显影响。在这里,Terahertz(THz)发射光谱拷贝用于研究大约50个原型F |中的超快旋转电荷转换(S2C)由铁磁层F(例如Ni 81 Fe 19,Co或Fe)和具有强(PT)或弱(Cu和Al)旋转轨道耦合的非磁性层N组成的n双层。改变f/n界面的结构会导致振幅急剧变化,甚至导致THZ电荷电流极性的反转。非常明显的是,当n是具有小旋转霍尔角的材料时,会发现对超快电荷电流的主要界面贡献。其大小约为在F |中发现的大约20% PT参考样本。对称性参数和第一原理的计算强烈表明,界面S2C来自界面缺陷处的自旋极化电子的偏斜散射。结果突出了界面S2C偏斜散射的潜力,并提出了一种有希望的途径,以从DC到Terahertz的所有频率下量身定制的界面增强S2C。
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