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在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
利用分子剪裁方法快速精准构建大分子CCSD(T)级势能面
MP2 CCSD（T）几何形状E FC EMTAδEFC EMTAΔCIS-248.06688 -248.06625 -0.00063 -248.13930 -248.13875 TS1 -NMA -248.04284 -248.04218 -0.00066 -248.11685 -248.11630.11630.00054 TS2 -NNMA -248.037553 -248.03695.0 .00043 -248.14116 -248.14081 -0.00035 N2 -248.05584（1.5）（1.5）
帽层对6英寸Si(111)衬底上生长的AlN势垒HEMT性能的影响
近年来，氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 因其在降低开关损耗、维持高击穿电压以及保持高温稳定性方面所表现出的卓越性能，其商业化进程不断加快 [1,2]。大尺寸 Si 衬底上 GaN 外延生长技术的进步降低了生产成本。同时，Si 上的 HEMT 器件可以轻松集成到现有的 Si 铸造厂中 [4-6]。上述优势使 GaN 基 HEMT 器件更接近大众市场应用。阻挡层是 HEMT 器件中的关键元件之一，它决定了导电通道的电阻。AlGaN 是最常用的阻挡材料。在 AlGaN / GaN 界面区域形成的二维电子气 (2DEG) 表现出良好的稳定性、低的薄层电阻、高的载流子密度和高的电子迁移率 [7,8]。由于在 AlN / GaN 界面区域形成了更高的 2DEG 密度，AlN 作为阻挡层材料也引起了人们的关注 [9]。据报道，薄层电阻 (Rs) 值低至 128 Ω/sq，2DEG 密度为 3.21 × 10 13 / cm 2 [10]。此外，在 AlN 系统中可以避免合金散射，从而提高 2DEG 霍尔迁移率 [11,12]。已经证明了基于 AlN 阻挡层的 HEMT 器件具有低栅极漏电和高 I on / I off 比 [13]。表 1 总结了最近对具有最佳 Rs 性能的 AlN / GaN 异质结构的研究。然而，由于 AlN 与 GaN 沟道层的晶格失配较大 (2.5%)，因此 AlN 的弛豫是一个主要挑战。氮化硅 (SiN x ) 帽层已被用作表面钝化层，以避免/减少 AlN 弛豫 [ 14 ] 。然而，钝化帽层的成分和厚度对抑制弛豫的影响很少被研究。在本文中，我们报告了包含原位生长的 GaN 和/或 SiN x 帽层的 AlN/GaN 异质结构的长期 2DEG 稳定性。
约瑟夫森结的量子图
与谐振子势不同，洗衣板势的能量空间并不相等。这是该系统的一个重要特性，使其成为量子比特的候选者，这一点后面会讨论。图 4 显示了我计算中的势和 4 个最低状态的特征函数。特征函数看起来与谐振子势的特征函数相似。但是，我们可以看到，在状态 2 和状态 3 的函数右边缘，函数不再为零。事实上，由于阱的右势垒不是无限高的（实际上在这种情况下非常低），所以每个状态都必须有一个传输速率（或量子隧穿速率）。从函数草图中，我们可以粗略地看出，状态 2 和 3 的隧穿速率比状态 0 和 1 的隧穿速率大得多。实际上，这种隧穿速率的差异是我们设计具有约瑟夫森结的量子比特的另一个基础。在下一节中，我将计算每个状态的隧穿速率，并解释如何通过量子隧穿来测量这种量子比特的状态。
![arXiv:2208.01297v2 [nucl-th] 2022 年 10 月 29 日](/simg/g:\will\search\icon\source\e\e9442ff7e07ee4030cbda0a8eff22afdd5360c5f.webp)
arXiv:2208.01297v2 [nucl-th] 2022 年 10 月 29 日
我们研究了在√sNN≈3.0-30GeV中心区Au+Au碰撞中Λ定向流对Λ势的敏感性。由手性有效场理论（χEFT）获得的Λ势用于微观传输模型，该模型是相对论量子分子动力学的矢量版本。我们发现，由χEFT获得的密度相关Λ势（假设势的动量依赖性较弱）重现了STAR合作在束流能量扫描程序中测得的Λ定向流的快速性和束流能量依赖性。虽然Λ定向流对势的密度依赖性不敏感，但它易受动量依赖性的影响。我们还表明，基于冲击波模型的流体动力学图预测质子、Λ 和 Ξ 定向流的相似性，但 Ω 重子的定向流与其他重子略有不同。我们还表明，夸克聚结预测超子的定向流具有不同的快度依赖性。这些研究表明，对超子定向流快度依赖性的广泛测量可能为高能重离子碰撞中产生的热致密物质的性质提供重要信息。
超对称量子力学
超对称是玻色子和费米子之间的一种理论对称，它为标准模型中的一些问题提供了令人满意的解决方案。目前还没有实验表明它的存在。超对称量子力学 (SUSY QM) 最初是在破缺超对称的背景下研究的，作为量子场论测试方法的环境。SUSY QM 很快成为一个独立的研究领域，除了测试超对称破缺之外，还发现了它的几种应用。本文介绍了超对称量子力学。推导了主要公式，并讨论了作为玻色子-费米子对称的数学形式主义的解释。研究了上述两个应用，即形状不变势和准可解系统。研究发现，SUSY QM 提供了一种对势进行分类和求解的简洁方法，势是一种与形状不变性相关的属性。两个已知的可解势被证明是形状不变的。此外，还展示了如何使用 SUSY QM 来解决和寻找新的准可解势。最后，以这两个应用作为激励示例，论证了研究超对称量子力学的动机。
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量子自洽运动方程法用于在量子计算机上计算分子激发能、电离势和电子亲和力
为了估计嘈杂的中尺度量子 (NISQ) 时代设备上的分子基态特性，基于变分量子特征求解器 (VQE) 的算法因其相对较低的电路深度和对噪声的抵抗力而广受欢迎。9,10 这导致了一系列成功的演示，涉及在当今的量子设备和模拟器上计算小分子的分子基态能量。4,6,11 – 22 然而，仅仅估计分子基态能量不足以描述许多涉及某种形式的电子激发的有趣化学过程。23 例如，准确模拟化学现象，如光化学反应、涉及过渡金属配合物的催化过程、光合作用、太阳能电池操作等，需要准确模拟分子基态和激发态。此类系统的电子激发态通常具有很强的相关性，因此需要使用复杂的量子化学理论来准确描述它们。在过去的几十年里，在这方面已经开发了许多方法。 24 – 32 运动方程耦合团簇 (EOM-CC) 26 方法最初由 Stanton 和 Bartlett 开发，是一种常用的例子，通常用于计算分子激发态特性，例如激发能
用机器学习的原子势来加速无机表面的预测Kyle Noordhoek 1，Christopher J. Bartel 1 * 1离开
固态材料的表面特性通常决定其功能，尤其是对于纳米级效应变得重要的应用。相关表面及其性质在很大程度上是通过材料的合成或操作条件来确定的。这些条件决定了热力学驱动力和动力学速率，负责产生观察到的表面结构和形态。计算表面科学方法长期以来一直应用于将热化学条件与表面相稳定性联系起来，尤其是在异质催化和薄膜生长群落中。本综述在引入新兴数据驱动的方法之前对第一原理的方法进行了简要介绍，以计算表面相图。其余评论的重点是机器学习的应用，主要是以学识的间势的形式来研究复杂的表面。随着机器学习算法和训练它们的大型数据集在材料科学中变得越来越普遍，计算方法有望变得更加预测性和强大，以建模纳米级的无机表面的复杂性。简介