本文报告的研究由美国教育部教育科学研究所通过授予堪萨斯大学的 R324A190223 号拨款资助。本文表达的观点为作者的观点,不代表研究所或美国教育部的观点。本研究还得到了美国教育部特殊教育项目办公室、实地启动项目(#H324C020078)、促进早期儿童语言和读写准备的示范中心(#H326M070005)以及美国卫生与公众服务部 (HHS) 卫生资源与服务管理局 (HRSA) 的支持,该奖项总额为 884,700 美元,其中 0% 由非政府来源资助。本文内容为作者的观点,不一定代表 HRSA、HHS 或美国政府的官方观点或认可。有关更多信息,请访问 HRSA.gov。
Jessica Bammerlin,资源教师,Yreka Union 小学学区 Tina Cheuk,小学科学教育助理教授,加州州立理工大学 Deborah Costa-Hernandez,加州阅读与文学项目执行董事、加州主题项目 Nancy Cushen-White,加州大学旧金山分校阅读障碍研究中心儿科临床教授 Sydney Dion,学区读写教学与设计教练,Tahoe-Truckee 联合学区 Tammy Duggan,学区阅读专家/教学教练,Thermalito Union 小学学区 Jennifer Elemen,教育管理员,语言与读写、历史-社会科学-公民教育,蒙特雷县教育办公室 Barbara Flores,加州州立大学圣贝纳迪诺分校名誉教授 Marlene Fong,加州教师协会教学领导团协调员 Kathy Futterman,加州州立大学东湾分校教育心理学与教师教育系兼职教师Margaret Goldberg,奥克兰联合学区早期读写能力负责人 Roni Jones,加州教育卓越合作组织支持系统高级经理 Elizabeth Kaufman,索诺玛谷联合学区教育服务副主管 Gwenn Lei,圣马刁县教育办公室阅读语言艺术/历史-社会科学协调员 Lorena Lopez,阿苏萨联合学区教师 Andrea Marks,内华达县学校总监课程、教学和问责主任 Dana McVey,First 5 California儿童发展顾问 Robin Mencher,KQED教育执行董事 Edward “Alex” Mertens,弗雷斯诺联合学区教师 Mindy Montanio,克恩高中学区特别任务教师 Michelle Nieto,圣地亚哥联合学区教师 Melissa Pattullo,亨廷顿海滩联合高中学区读写能力专家学区 David Pearson、加州大学伯克利分校 Evelyn Lois Corey 教学科学名誉教授
IDEA 通过 1:1 技术设备为学生提供加速教学,包括数学和读写自适应软件以及该地区数字图书馆中的数十万本书籍。IDEA 课程资源包括在国家评估措施中获得最高评级的高质量教学材料。IDEA 课程定期使用质量评估工具进行评估,确保符合德克萨斯州基本知识和技能和 AP 课程标准以及 STAAR/EOC 和 AP 考试。IDEA 为教师和领导人员提供各种培训机会,旨在培养教师的教学内容知识和领导者的指导技能。连续 15 年,100% 的 IDEA 学生都被大学录取,这表明 IDEA 学术课程为学生接受高等教育做好了充分的准备。
• 数以千计的实用和可定制资源,包括示例政策、程序、手册、表格、职位描述和面试指南 • 现实世界商业工具包提供数百种可编辑工具来支持程序、行政和管理质量 • 学习活动和资源、按年龄段或主题推荐的书籍、配套学习活动、课堂材料、课程计划和课程构想、体育活动指南、读写练习和管理挑战性行为工具,这些工具将支持教育工作者支持注册和许可的儿童保育和学龄儿童计划中的儿童 南达科他州 ECE 资源免费提供给在 DSS 注册或许可计划中工作的南达科他州儿童保育和学龄儿童保育专业人员。如果您目前在南达科他州注册或许可的儿童保育或学龄儿童计划中工作。请访问 sdeceresources.org 申请免费会员资格
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器,具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点,几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面,MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案,而 e-flash 存在严重的经济障碍,阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面,MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品,以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而,由于速度限制和耐久性问题,很难取代L1或L2缓存SRAM,尤其是对于两端自旋转移矩(STT)MRAM [ 9 − 11 ] 。因此,需要进一步探索下一代MRAM器件。
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器,具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点,几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面,MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案,而 e-flash 存在严重的经济障碍,阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面,MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品,以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而,由于速度限制和耐久性问题,很难取代L1或L2缓存SRAM,尤其是对于两端自旋转移矩(STT)MRAM [ 9 − 11 ] 。因此,需要进一步探索下一代MRAM器件。
入学要求 City & Guilds 没有为该资格的入学设定最低要求。学徒框架建议如下:雇主会对符合以下条件的候选人感兴趣: 热衷于并有动力在工程环境中工作 愿意参加在职和脱产培训课程,并将所学应用于工作场所 具有该领域的工作经验或就业经验 已完成 14 至 19 年的工程或制造文凭 已完成工程或其他相关领域的青年学徒计划 拥有英语、数学和科学的 GCSE 证书 已完成基本算术、读写和沟通技巧的测试,并具有空间意识 作为指导,工程制造框架适用于拥有五个 GCSE 证书且英语、数学和科学成绩为 D 至 E 的申请人。评估作业,多项选择测试
入学要求 City & Guilds 没有为该资格的入学设定最低要求。学徒框架建议如下:雇主会对符合以下条件的候选人感兴趣: 热衷于并有动力在工程环境中工作 愿意参加在职和脱产培训课程,并将所学应用于工作场所 具有该领域的工作经验或就业经验 已完成 14 至 19 年的工程或制造文凭 已完成工程或其他相关领域的青年学徒计划 拥有英语、数学和科学的 GCSE 证书 已完成基本算术、读写和沟通技巧的测试,并具有空间意识 作为指导,该资格的工程制造框架适用于拥有 5 个英语、数学和科学 GCSE 成绩 C 及以上的申请人。 评估作业、多项选择题测试、简答题考试
我们的专业天才培养计划 (G&T)、选择性校本学术拓展计划 (SBAE) 以及其他计划(如 11-12 年级早餐俱乐部、学术支持课程以及法语和印尼语俱乐部)为成绩优异的学生提供丰富的教育课程。我们的职业教育与培训 (VET) 和就业团队为希望完成证书课程、在 TAFE 或私人培训机构继续深造或接受培训或学徒培训的学生提供大量机会。我们的学生服务团队通过小学过渡计划为学生提供早期支持,然后从 7 年级开始努力认可和奖励学生的努力和卓越表现,并优先考虑所有学生的适应力、心理健康和福祉。我们的读写和算术团队努力确保所有学生都具备实现 WACE 所需的技能。
Gateway 的所有读写教学均基于 2024 SCCR ELA 标准。我们的一级教学不仅包括全组教学,还包括小组教学、策略小组和一对一会议。指导教学的格林维尔县学校课程图涉及 Scarborough's Rope 的语言理解和单词识别部分,并包括阅读科学研究支持的最佳实践。在每个 ELA 教室中,都有专门的时间用于语言和单词学习部分,包括使用各种基于标准的材料的语音意识、语音、流利度、词汇和理解。学生每天参加共享阅读、互动朗读、仔细阅读、共享写作和独立阅读和写作。学生通过结构化讨论、朗读和协作项目来培养他们的口语技能
