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控制人白血病干细胞和抗药性的表观遗传机制 在压力下，具有较高代谢独立性的微生物富含人类肠道微生物 柱子中的再生人肝癌（HLOS）/ ... div> 聚ADP-核糖信号在亨廷顿疾病中失调 大语言模型克服了生态学中非结构化文本数据的挑战 宿主菌群中促进寿命的clanic酸的化学诱导 标题：蝴蝶翼尺度的山脊和Crossrib的高度是... 解释混合种群中的SNP遗传力 冥想专业知识的功能连接指纹 评估伪细菌中基因表达的载体及其在Aplysina Marine Sponge研究中的应用 多蛋白质结构与flodmason 进行比对
许多人类癌症，包括急性髓样白血病（AML），是由茎和祖细胞突变引起的。免疫表型分析表明，白血病在层次上发展，白血病干细胞中的突变与疾病传播相关并复发1,2。尽管可以使用细胞表面标记来富集白血病，但它们的频率往往是可变且低，遮盖机制，并阻碍有效的疗法3,4。为了定义人类患者的AML干细胞，我们使用旨在保留造血干细胞（HSC）功能的标签跟踪技术对各种白血病进行了功能基因组分析。我们发现，人类AML的传播是由罕见但静止的静态标签细胞（LRC）种群介导的，该细胞（LRC）种群通过当前已知的免疫表型标记逃避检测。我们表明，人类AML LRC静止是可逆的，保留遗传克隆竞争，维持其表观遗传。lrc静止是由以不同的以启动子为中心的染色质和基因表达动力学定义的，并由不同的AP-1/ETS转录因子网络控制，包括JUN，这与疾病持久性和不同患者的化学疗法抗性有关。这些结果能够对人类患者标本中免疫类型的白血病干细胞的前瞻性隔离和功能性遗传操纵，并在白血病发育和耐药性中建立了表观遗传可塑性的关键功能。我们预计这些发现将导致阐明白血病干细胞静止的基本特性，以及为其临床鉴定和控制的治疗策略设计。
图像预处理的范德华异质结构中的可调阴性和阳性光电导率
视觉信息的处理主要发生在视网膜中，视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里，提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构，该结构通过改变单个波长激光器的强度，表现出负和正照相（NPC和PPC）效应。此外，基于激光的功率依赖性光导不传导效应：I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2，提出了一个修改的理论模型，该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管（FET）表现出出色的光电性能（R NPC = 1.1×10 4 AW - 1，R PPC = 13 AW - 1）和性能稳定性。，基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外，脉冲信号输入将设备的响应性提高了167％，并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向，并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。
细胞膜融合通过表面修饰诱导的细胞穿透肽 - 脂质结合物，促进不同膜之间的紧密接触
东京大学工程研究生院生物工程系，东京Bunkyo-ku 7-3-1 Hongo，日本113-8656，B细胞和分子生物技术研究所（CMB）日本伊巴拉基305-8565。电子邮件：y.teramura@aist.go.jp;电话： + 81（0）29-861-6582 C能源与环境部电化学研究所，国家高级工业科学技术研究所（AIST），1-8-31 Midorigaoka，Ikeda，Ikeda，Ikeda，Ikeda，Ikeda，osaka，Osaka，Osaka，563-8577，日本D. HammarskjoéldsVag 20，SE-751 85，Uppsala，瑞典E硕士/博士学位/博士学位科学创新（T-LSI），Tsukuba大学，Tsukuba大学，1-1-1 tennodai，Tsukuba，Tsukuba，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki 305-8577，日本日本日本†电子补充信息（ESI）。 参见doi：https：//doi.org/ 10.1039/d4ma00193a电子邮件：y.teramura@aist.go.jp;电话： + 81（0）29-861-6582 C能源与环境部电化学研究所，国家高级工业科学技术研究所（AIST），1-8-31 Midorigaoka，Ikeda，Ikeda，Ikeda，Ikeda，Ikeda，osaka，Osaka，Osaka，563-8577，日本D. HammarskjoéldsVag 20，SE-751 85，Uppsala，瑞典E硕士/博士学位/博士学位科学创新（T-LSI），Tsukuba大学，Tsukuba大学，1-1-1 tennodai，Tsukuba，Tsukuba，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki 305-8577，日本日本日本†电子补充信息（ESI）。参见doi：https：//doi.org/ 10.1039/d4ma00193a
图像预处理的范德华异质结构中的可调阴性和阳性光电导率
视觉信息的处理主要发生在视网膜中，视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里，提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构，该结构通过改变单个波长激光器的强度，表现出负和正照相（NPC和PPC）效应。此外，基于激光的功率依赖性光导不传导效应：I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2，提出了一个修改的理论模型，该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管（FET）表现出出色的光电性能（R NPC = 1.1×10 4 AW - 1，R PPC = 13 AW - 1）和性能稳定性。，基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外，脉冲信号输入将设备的响应性提高了167％，并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向，并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
异质结构中的扭曲角 - 依赖性山谷极化切换
Moiré超级晶格在Van der Waals的异质结构中的扭曲工程可以操纵山谷中层Incepitons（IXS）的山谷物理学，为下一代谷化设备铺平了道路。然而，到目前为止，在电气控制的异质结构中尚未研究对山谷极化上激素电位的扭曲角度依赖性控制，需要探索下面的物理机制。在这里，我们证明了莫伊尔时期的极化切换和山谷极化程度的依赖性。我们还找到了揭示激子电势和电子孔交换相互作用的扭曲角度调节的机制，这些机制阐明了实验观察到的IXS的扭曲角度依赖性山谷极化。此外，我们根据极化开关实现了可谷化的设备。我们的工作通过在电控制异质结构中调谐扭转角来证明了IXS山谷极化的操纵，这为在互惠设备中开放了电气控制山谷自由度的途径。
蛋白质结构的深层生成模型发现了跨连续折叠空间的远距离关系
我们对折叠空间的看法隐含地基于许多影响我们分析，解释和理解生物系统的假设 - 从蛋白质结构比较和分类到功能预测和进化分析。例如，是否有最佳的粒度来查看蛋白质结构相似性（例如建筑，拓扑或其他层面）？如果是这样，它的问题类型有何不同？同样，折叠空间的离散/连续二分法在结构生物信息学中至关重要，但仍未解决。折叠空间bin“类似”折叠的离散视图分为不同的非重叠组；不幸的是，这样的融合本固有地错过了许多遥远的关系。虽然诸如CATH，SCOP和ECOD之类的层次系统代表了蛋白质分类的主要步骤，但在蛋白质分类中，一种可扩展，客观和概念灵活的方法，较少对假设和启发式方法的依赖较少，但可以实现对折叠空间的更加系统和细微的探索，尤其是在进化中涉及进化的关系。以蛋白质结构的最新“乌尔堡”模型为基础，我们开发了一种新的方法来消除蛋白质相互关系。该框架称为“ Deepurfold”，植根于通过变分贝叶斯推断的深层生成建模，我们发现它对于跨蛋白质宇宙的比较分析很有用。批判性的深层利用其深层生成模型的学习嵌入，该模型占据了高维的潜在空间，并且可以根据给定的蛋白质进行蒸馏，以合并的表示，该表示的融合，结合序列，结构，生物物理和系统源。值得注意的是，deepurfold是结构指导的，
异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
通过空间物质结构雕刻超局部光 - 耦合
摘要：空腔量子电磁性的中心主题是单个光学模式与单个物质激发的耦合，导致双腔极化子的双重组控制耦合构成的光学特性。尤其是在Ultrastrong耦合方案中，那里的真空狂欢频率与光的准载体频率的比率是ωr ∕ c，接近Unity，Polariton Doublet Bridges巨大的频谱宽度2ωr，以及与偏离光和物质模式的进一步相互作用。尽管增加了复杂性，但由于增加了设计光 - 耦合共振的自由度，因此最终的多模式耦合最近引起了人们的注意。在这里，我们通过实验实现了一种新型策略，以通过在子波量表上定制多种平面金属Thz共振器的多种模式的空间过度雕刻超强的多模式耦合，以及多种平面金属THZ谐振器的空间过度和多种模式的降级两维电子的回旋量。我们显示
使用结构图嵌入的快速蛋白质结构搜索
考虑到局部几何形状[5]，坐标对齐[6]和3D Zernike的描述符[7，8]，已经开发了多种方法来比较，对齐和搜索[1] [1] [1] [2，3，4]。由于蛋白质结构比序列[9]更保守[9]，这些方法已被证明在远程同源性检测[10]，蛋白质分类[11]中有用[11]，从结构[12]推断功能[12]，聚类大数据库[13，14]并评估结构预测的准确性。最高的精度方法倾向于根据DALI等坐标[3]进行仔细的比较，但是搜索大型结构数据库，例如Alphafold蛋白结构数据库[15，16]或ESM宏基因组图[17] [17]使用这些方法很慢。最近，foldseek [18]通过将一级序列转换为一系列学到的局部特长基序来解决了这个问题。然后，它使用生物信息学中快速序列搜索的丰富历史记录大大减少查询的成对比较时间与数据库的每个成员。为了进一步减少搜索时间，应更快地将成对比较步骤进行。