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高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层
纳米复合材料上的结构分析使用纳米凹痕引导免费焊料
摘要：由于基于铅的焊料受到限制，微电子行业一直在寻找像SAC这样的无铅焊料。但是有一些焊接接头失败的情况，可降低产品的可靠性，因为形成的金属间化合物层（IMC）是脆弱的。较厚的IMC层降低了焊料关节强度。本文分析了无铅焊接接头的实际工业包装组件。TiO 2，Fe 2 O 3和具有0.05重量百分比（wt。％）的Nio纳米颗粒被使用机械搅拌器混合到96.5％SN-3.0％AG-0.5％CU（SAC305）焊料中，以制造纳米无铅铅焊剂。使用扫描电子显微镜（SEM）和纳米Interenter研究了微型焊料中纳米颗粒对IMC层和纳米复合焊料连接质量的影响。添加TIO 2，Fe 2 O 3，Nio纳米颗粒更改了微观结构，并将IMC层厚度降低了29％-35％。纳米复合焊料的硬度和弹性模量分别增加了1％ - 11％和8％-31％。与纯SAC305相比，SAC305与Nio纳米颗粒的组成焊具有最高的硬度，并且Fe2O3的弹性模量最高。这证明了TiO 2，Fe 2 O 3和Nio的纳米颗粒的掺入增强了纯SAC的机械性能，并提高了微型电子包装中焊接接头的可靠性。
母校StudiorumUniversitàdiBologna Archivio ...
摘要 - 在本文中，我们对在长期外国家应力下具有p-gan栅极的gan-on-on-si功率hemt中发生的时间依赖性排水崩溃进行了广泛的研究。尤其是，研究了由高温偏移应力引起的时间依赖性分解，这是不同过程和结构变化的函数。主要结果表明，通过改变门对距离距离（L GD）和场板配置，故障的物理位置也会发生变化。如果L GD相对较短（3 µm），则会通过排水和源之间的GAN通道层发生时间分解。在这种情况下，较薄的GAN层显着改善了长期偏离应力的稳健性。如果L GD相对长（≥4µm），则故障发生在二维电子气体（2DEG）和源场板之间。在第二种情况下，GAN层的厚度和L GD对时间依赖性分解没有显着影响，而可以优化场板长度以减少暴露于高电场的面积，因此限制了故障的可能性。最后，也已经分析了Algan屏障层的作用。如果L GD = 3 µm，则首选较薄的α层，而如果LGD≥4µm，则较低的铝含量的较厚层会增加较长的时间，以使较长的时间在未稳定应力下分解。
脑水微波感应——利用人脑模型的模拟和实验研究
摘要 本文介绍了一种基于微波的方法，旨在非侵入性地测量人脑中的水，特别是脑脊液 (CSF) 动态。微波测量技术在工业应用中广为人知。最近，微波技术也引起了生物医学应用的兴趣。这是首次提出将其用于测量脑水，特别是 CSF。为了验证该技术对感知人类头骨内 CSF 和水量的动态变化的灵敏度，我们构建了两个不同的头部模型。它们由多层头部模型组成，包括一个真实的人类头骨，模仿人类头部的电磁特性。此外，使用平面层模型和半球层模型的电磁模拟来评估 CSF 的变化。此外，使用 2D 功率流表示来评估头部模型内的传播和功率流。选择反射传感器原理是因为它简单且能够测量相对较厚的样品。重要的是，反射传感器仅需要单端口测量，这使得它非常适合体内脑监测。此外，测量装置不需要将传感器连接到头部，因此无需接触头部即可进行测量。我们的实验研究以及模拟结果证明了通过微波非侵入性地感知大脑中脑脊液体积的微小动态变化的可能性，特别是在蛛网膜下腔中。
SAC3807无铅焊料与不同铜基板之间的界面反应通过反射焊接过程
摘要。铜底物的不同组成材料显着影响金属间化合物（IMC）形成和焊接接头耐用性。这项研究是针对无铅焊料和不同铜基板之间的界面反应进行的。选定的底物是铜（CU）和铜 - 晶状体（CU-BE）。所涉及的无铅焊料是直径为700 µm的SN-3.8AG-0.7CU（SAC3807）焊球。所有样品均经过等温老化过程。通过扫描电子显微镜（SEM），光学显微镜（OM）和能量色散X射线分析（EDX）检查了IMC形成的材料表征和分析。回流过程后，结果表明Cu 6 SN 5和Cu 3 SN IMC层在SAC3870/CU和SAC3870/CU-BE界面形成。在SAC3870/ CU上老化处理后，发生了类似杆状的形状Cu 6 Sn 5和针状Cu 3 Sn 4。同时，SAC3870/Cu-Be的IMC层显示出类似杆状的形状，变成了块状的形状形状Cu 6 Sn 5和Cu 3 Sn 4杆形状。此结果表明在SAC3807/CU和SAC3807/CU-BE的老化过程中，在金属间表面上形成了Ag 3 SN纳米大小。与SAC3807/CU相比，SAC3807/CU-BE的Ag 3 Sn纳米尺寸元件很多。此外，SAC3807/CU-BE的IMC厚度比SAC3807/CU显示出较厚的层。此外，由于百分比非常低，因此无法轻易检测到SAC3807/CU-BE的元素。
通过高通量FTIR分析与微孔板读取器
抽象的FTIR光谱识别是当今的金标准分析程序，用于塑料污染材料表征。高通量FTIR技术已经用于小型微型塑料（10-500 µm），但对于大型微塑料（500-5 mm）和大型塑料（> 5 mm）而言，较少的。通常使用ATR分析这些较大的塑料，该塑料是高度手动的，有时会破坏感兴趣的颗粒。此外，由于昂贵的光谱数据收集，由于参考材料和光谱收集模式的种类有限，光谱库通常是不足的。我们使用FTIR微板读取器来测量大型颗粒（> 500 µm），推进了一种新的高通量技术来解决这些问题。我们创建了一个新的参考数据库，其中包括6000多个光谱，用于传输，ATR和反射频谱收集模式，其与塑料污染研究相关的600多个塑料，有机和矿物参考材料。我们还通过创建一个新的粒子支架来使用现成的零件创建用于传输测量的新粒子读取器中的未来分析，并为存储颗粒制造非塑料96孔微孔板。我们确定应将颗粒呈现给读取器，因为较厚的颗粒会导致质量不佳的光谱和鉴定，因此应尽可能薄。我们使用Open Specy验证了新数据库，并证明了光谱库中需要其他传输和反射光谱参考数据。
Notification -Physics -5554（3）.pdf -Neduet -Ned University
光和图像形成的传播：huygens的原理，费马特的原理，反射和折射法，在球形表面薄镜片上的折射，牛顿方程的薄镜。矩阵方法中的矩阵方法：射线传输矩阵，较厚的镜头，系统矩阵元素的重要性，基数，光学仪器，光学仪器，色和单色畸变。叠加和干扰：站立波，节拍，相位和组速度，两光束和多光束干扰，薄介电膜，米歇尔森和Fabry-perot干涉仪，分辨能力，自由云端范围。极化：线性，圆形和椭圆极化，琼斯矩阵，偏振光的产生，二色性，Brewster定律，双重折射，双重折射，电磁和磁光效应。衍射：单个缝隙，矩形和圆形光圈，双缝，许多缝隙，衍射光栅，分散剂，分散功率燃烧的光栅，区域板，矩形孔径。连贯性和全息图：时间连贯性，空间连贯性，点对象的全息图和扩展对象。Laser: Population Inversion, Resonators, Threshold, and Gain Energy Quantization in Light and Matter, Thermal Equilibrium and Blackbody Radiation, Non-laser Sources of Electromagnetic Radiation, Einstein's Theory of Light-Matter Interaction, Elements, operation, Characteristics, types and Parameters of Laser, Rate Equations Absorption, Gain Media, Steady-State Laser Output, Homogeneous Broadening,不均匀的拓宽，时间依赖性现象。
引导芯片植入
如果没有“自动唤醒”模式，请确保天线或室外读取器已打开。然后慢慢地将植入物从读取器的一个角滑到另一个角。如果标签被拒绝，天线可以读取植入物反射的数据。对于 X3 和 X4 型号，可能需要预先格式化植入物。您可以更改格式，例如：例如，可以使用“NFC 工具”应用程序来完成此操作：为此，选择“其他”选项卡和“格式化”选项。然后慢慢地将植入物在智能手机背面滑动，直到它振动并确认格式化。现在尝试将植入物教导给系统；就像你会做的那样，例如， B. 应添加新的应答器卡。如果这个过程有效，就可以肯定地说，该设备与植入物兼容。测试智能手机（X2 / X3 / X4 / XRange）激活智能手机的 NFC 功能。在 Android 设备上，您通常可以在“设置”►“更多”►“NFC”下找到此选项。现在从 Google App Store 安装任何 NFC 应用。为此，我们推荐使用“NFC 工具”应用程序。为了能够在以后（编程后）从任何智能手机上读取植入物，不需要任何应用程序。一旦 NFC 功能被激活并且您安装了相应的应用程序，您就可以尝试读取植入物。每部智能手机上的 NFC 天线位于不同位置。您可能需要尝试多次才能找到 NFC 热点。请注意，较厚的智能手机外壳可能会限制植入物的接收。一旦找到热点，尝试将记录写入测试植入物。如果此过程也成功，则您的智能手机完全兼容。
探索酵母细胞膜脂适应与乙酸胁迫生理反应之间的相互作用
摘要 乙酸是木质纤维素预处理的副产物，是酵母发酵过程的强效抑制剂。较厚的酵母质膜 (PM) 预计会减缓未解离的乙酸向细胞中的被动扩散。分子动力学模拟表明，通过延长甘油磷脂 (GPL) 脂肪酰基链可以增加膜厚度。之前，我们成功改造了酿酒酵母以增加 GPL 脂肪酰基链长，但未能降低乙酸净吸收量。在这里，我们测试了改变二酰基甘油 (DAG) 的相对丰度是否会影响具有较长 GPL 酰基链的细胞 (DAG EN ) 中 PM 对乙酸的渗透性。为此，我们在 DAG EN 中表达了二酰基甘油激酶 α (DGKα)。由此产生的 DAG EN _Dgkα 菌株表现出恢复的 DAG 水平，在含有 13 g/L 乙酸的培养基中生长，并且积累的乙酸较少。乙酸应激和能量负担伴随着 DAG EN _Dgkα 细胞中葡萄糖摄取量的增加。与 DAG EN 相比，DAG EN _Dgkα 中几种膜脂的相对丰度因乙酸应激而发生变化。我们认为，增加能量供应和改变膜脂组成的能力可以弥补应激条件下 DAG EN _Dgkα 中高净乙酸摄取量的负面影响。
laportea decumana的乙醇提取物的效果（...
摘要：laportea decumana（roxb。）wedd。是一种传统上用于其镇痛，抗染料，抗氧化剂，抗炎和抗菌用途的植物。这项研究旨在确定急性损伤大鼠模型中分离的Decumana乙醇提取物软膏对炎症，增殖和成熟阶段的伤口愈合作用。L. decumana叶片，然后用离心机用N-己烷分馏。在动物模型中使用了极性分数。急性损伤，这些区域被分配接受凡士林，2％Decumana提取物，4％L。decumana提取物或Myrhax药膏（对照）。在炎症，增殖和成熟阶段的伤口组织学评估分别在受伤后第1天和第9天进行。结果表明，第9天的伤口直径使用4％L. l. umana治疗明显低于Vaseline和2％Decmumana治疗，并且与使用Myrhax药膏的结果相似。组织病理学检查表明，在炎症阶段，所有伤口均表现出水肿，白细胞和巨噬细胞。然而，在增殖阶段，与仅凡士林治疗相比，在成熟阶段，4％的Decumana治疗可显着增加肉芽和成纤维细胞，较厚的胶原蛋白和更快的重新上皮化。总而言之，在大鼠急性损伤模型中有4％的Decumana表现出有效的伤口治疗作用，尤其是加速了伤口愈合的增殖和成熟阶段。关键字：l aportea decumana，伤口愈合，炎症，增殖，成熟