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World File Search System辐照
伽马射线辐照的无荚膜 B 组链球菌可促进 T 细胞依赖性免疫并提供交叉保护反应
摘要：B 组链球菌 (GBS) 是一种革兰氏阳性菌，常见于泌尿道，也是新生儿败血症和肺炎的主要原因。尽管目前采用抗生素预防 (IAP)，但新生儿晚发型疾病和非妊娠成人感染的疾病负担仍在增加。最近，已证明通过伽玛射线灭活病原体可以消除其复制能力，但对关键表位的抗原性损害较小。在本研究中，我们通过辐射 (Rad-GBS) 或福尔马林 (Che-GBS) 灭活无荚膜 GBS 菌株，并进一步确定其作为疫苗的免疫原性和保护效果。值得注意的是，与 Che-GBS 相比，Rad-GBS 具有更高的免疫原性，并且在 BMDC 中产生更高的共刺激分子表达。流式细胞分析显示，Rad-GBS 在小鼠体内诱导出更强的 CD4 + IFN-γ + 和 CD4 + IL-17A + 群体。通过用高毒力菌株 CNCTC 10/84 进行攻击来测量保护效果，过继转移结果进一步表明，保护作用被功能性中和抗体和 T 细胞逆转。最后，Rad-GBS 诱导了对 GBS 流行血清型攻击的交叉保护。在用 Rad-GBS 免疫的小鼠血清中测定出针对多种血清型的更高调理吞噬杀灭活性。总体而言，我们的结果表明，灭活的全细胞包裹 GBS 可以作为开发针对侵袭性 GBS 感染的通用疫苗的替代策略。
表面表征和低能辐照的PANI/PBS聚合物纳米复合材料
摘要：在这项工作中，使用溶液制备方法制备了聚苯胺（PANI）（PANI）（PANI）和铅硫纳米颗粒（PBSNP）的纳米复合样品，以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射：5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD，SEM，DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。 此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。
质子辐照在 GaAs 半导体加速辐射老化研究中的应用
摘要：几十年来，质子辐照实验一直被用作研究多种材料辐射效应的替代方法。质子加速器的丰富性和可及性使这种方法便于进行加速辐射老化研究。然而，开发具有更高辐射稳定性的新材料需要大量的模型材料、测试样品，并非常有效地利用加速器光束时间。因此，最佳束流或粒子通量的问题至关重要，需要充分了解。在这项工作中，我们使用 5 MeV 质子在砷化镓样品中引入位移损伤，并使用了广泛的通量值。正电子湮没寿命谱用于定量评估辐射诱导的存活空位的浓度。结果表明，质子通量在 10 11 和 10 12 cm − 2 .s − 1 之间会导致 GaAs 半导体材料中产生类似的单空位浓度，而通量进一步增加会导致该浓度急剧下降。
一种定量方法，用于确定在离子辐照的金属中空隙肿胀期间不受注入的间隙和表面影响影响的区域
Figure 1 Cross-sectional TEM micrographs of Fe irradiated at 475 C to (a-1) 50 peak dpa by 5 MeV Fe ions, (a-2) 50 peak dpa by 3.5 MeV ions, (a-3) 50 peak dpa by 2.5 MeV ions, (a-4) 50 peak dpa by 1 MeV ions, (b-1) 100 peak dpa by 5 MeV ions, (b-2) 100 peak DPA乘以3.5 MeV，（B-3）100峰值DPA乘以2.5 MeV，（B-4）100峰值DPA乘以1 MeV离子。箭头指示梁照射方向。红色实心曲线是SRIM计算的DPA曲线，黑色虚拟曲线是植入的Fe曲线。在每个显微照片的底部显示了表面空隙的裸露区域的宽度。
质子辐照下 NVIDIA Xavier SoC 系列的单粒子效应来源
摘要 — 在本文中，我们使用质子束描述了 NVIDIA Xavier 系列片上系统 (SoC) 中的两个嵌入式 GPU 设备。我们比较了分别针对商业和汽车应用的 NVIDIA Xavier NX 和工业设备。我们使用不同的功率模式评估了两个模块及其子组件（CPU 和 GPU）的单粒子效应 (SEE) 率，并首次尝试使用其基于 ARM 的系统中包含的在线测试工具来识别它们的确切来源。我们的结论是，SoC 的 CPU 复合体中最敏感的部分是各种缓存结构的标签阵列，而在 GPU 中没有观察到任何错误，可能是因为在辐射活动期间，与应用程序的 CPU 部分相比，它的执行速度更快。
基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
MIT 开放获取文章激光#辐照多孔...
天津大学材料科学与工程学院，新能源材料研究所，先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津 300072 电子邮件：yang_jing@tju.edu.cn (J. Yang 教授) S.-H. Bae 教授 美国华盛顿大学圣路易斯分校机械工程与材料科学系，美国密苏里州 63130 美国华盛顿大学圣路易斯分校材料科学与工程研究所，美国密苏里州 63130 麻省理工学院机械工程系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 S.-H. Bae 教授、J. Kim 教授 美国麻省理工学院机械工程系，美国马萨诸塞州剑桥 02139
利用电子风力对伽马射线辐照的 GaN HEMT 进行非热退火
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战，因为唯一成熟的技术——热退火，并不能保证获得良好的结果。在本研究中，我们介绍了一种非热退火技术，其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照（5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率）GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下，饱和电流和最大跨导完全恢复，阈值电压部分恢复。相比之下，300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加，从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化，因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流，但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤，而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
ATLAS 内跟踪器硅条传感器中多晶硅电阻器随温度、辐照前后的变化特性
a 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2, 18221 Prague 8，捷克共和国 b 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2, Prague, CZ18000，捷克共和国 c 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 d 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），Campus UAB-Bellaterra，08193 Barcelona，西班牙 e 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedr´atico Jos´e Beltr´an 2, E-46980 Paterna，瓦伦西亚，西班牙 f 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 Ljubljana，斯洛文尼亚 g加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，美国加利福尼亚州 95064 h 西蒙弗雷泽大学物理系，加拿大不列颠哥伦比亚省本那比市 8888 University Drive V5A 1S6 i TRIUMF，加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市 4004 Wesbrook Mall V6T 2A3 j 筑波大学纯粹与应用科学研究所，日本茨城县筑波市 Tennodai 1-1-1 305-8571 k 多伦多大学物理系，加拿大安大略省多伦多市 Saint George St. 60 M5S1A7 l 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，日本茨城县筑波市 Oho 1-1 305-0801
通过聚焦 Ga+ 光束辐照醋酸钯膜实现金属微纳米结构的高通量直接写入
摘要：金属纳米图案在利用纳米级电传导的应用中无处不在，包括互连、电纳米接触和金属垫之间的小间隙。这些金属纳米图案可以设计成显示其他物理特性（光学透明性、等离子体效应、铁磁性、超导性、散热等）。出于这些原因，深入研究使用简单工艺的新型光刻方法是实现高分辨率和高吞吐量金属纳米图案的关键持续问题。在本文中，我们介绍了一种简单的方法，通过聚焦的 Ga + 束有效分解 Pd 3 (OAc) 6 旋涂薄膜，从而得到富含金属的 Pd 纳米结构。值得注意的是，使用低至 30 μ C/cm 2 的电荷剂量就足以制造金属 Pd 含量高于 50% (at.) 且具有低电阻率 (70 μ Ω · cm) 的结构。二元碰撞近似模拟为这一实验发现提供了理论支持。这种显著的行为用于提供三种概念验证应用：(i) 创建与纳米线的电接触，(ii) 在大型金属接触垫之间制造小 (40 纳米) 间隙，以及 (iii) 制造大面积金属网格。讨论了聚焦离子束直接分解旋涂有机金属薄膜对多个领域的影响。关键词：聚焦离子束、旋涂有机金属薄膜、电接触、纳米间隙电极、大面积网格■ 简介