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World File Search System远藤芳
藤崎-冈本的后量子验证
证明是有缺陷的 [10]。最近，发现了对 ISO 标准化分组密码模式 OCB2 [25] 的攻击 [24]，尽管 [31] 认为 OCB2 是安全的。虽然严格且结构良好的证明风格（例如，使用 [10, 35] 中提倡的游戏序列）可以减少隐藏错误和不精确的可能性，但仍然很难写出 100% 正确的证明。（特别是当使用随机预言 [13] 或倒带 [42, 45] 等证明技术时。）尤其是如果证明中的错误发生在看似非常直观的步骤中，读者很可能也不会发现这个错误。在后量子安全（即针对量子对手的安全性）的情况下，这个问题更加严重：后量子安全证明需要推理量子算法（对手）。我们的直觉是由对经典世界的经验所塑造的，而对量子现象的直觉很容易是错误的。这使得看似合理但不正确的证明步骤在后量子安全证明中特别容易不被发现。简而言之，为了确保后量子安全证明的高可信度，仅仅由人来检查是不够的。相反，我们提倡形式化（或计算机辅助）验证：安全证明由检查每个证明步骤的软件来验证。在本文中，我们介绍了第一个这样的形式化验证，即由 H¨ovelmanns、Kiltz、Sch¨age 和 Unruh [23] 分析的 Fujisaki-Okamoto 变换 [18] 的变体。
可再生的异糖型半融合芳族芳族醚聚合物
，可以说是生产接近工程塑料性能的材料的最佳可持续单体之一。19 - 21，由于固定的刚性双环ste-旋转和同层的合成多功能性，其作为与已建立的双氟环烷基芳族苯乙烯（TFVE）单体共聚合的反应性，可产生半氟化的芳烯烯丙基乙烯乙烯乙烯（Fienylene vinylene Ethere）Polymers（Faive）。尽管通常使用双酚来生产最喜欢的聚合物，但已经报道了一些使用原发性脂肪族二醇的例子。22 - 25然而，没有以前的报道曾尝试使用二次或环状脂肪族二醇产生氟芳基芳基乙烯基醚（FAVE）聚体。在此，我们报告了与BIS -TFVE单体的商业异糖层的平均，无金属且有效的台阶增长聚合，以生成含有明显（23 - 31 wt。％）可再生且潜在可生物降解含量的最爱的聚合物。这种类型的半氟化物可以在涂料，光学膜和气体分离技术中找到应用。
发现（5-芳基-4-4-oxo-2
2型糖尿病（T2DM）是一种严重的慢性病，在全球范围内增长令人震惊。当前对T2DM的治疗主要依赖于药物组合来控制血糖水平，从而阻止高血糖相关并发症的发作。最近出现了多种靶向药物的开发，作为用于治疗具有多因素发病机理的复杂疾病（例如T2DM）的有吸引力的替代品。蛋白酪氨酸磷酸酶1B（PTP1B）和醛糖还原酶（AKR1B1）是两种与T2DM及其慢性并发症发展至关重要的酶，因此，针对这两种这些酶的双重抑制剂可以为这种复杂的病理学治疗提供新的酶。在继续搜索双靶标的PTP1B/AKR1B1抑制剂时，我们设计了新的（5-芳基-4-OXO-2-硫代硫代硫醇二唑烷-3-基）。，其中3-（4-苯基丁氧基）苄基衍生物6F和7F，具有有趣的抑制活性对这两个靶标，被证明可以控制与T2DM和相关并发症发展有关的特定细胞途径。
用编织芳基聚合物催化
摘要：在2011年，出现了一种新型的超链连接聚合物（HCP），称为编织芳香聚合物（KAPS），其特征是它们具有非凡的化学和热稳定性，其孔隙率特性，尤其是其合成的简单性，其合成的简单性是基于以前的芳族单体的结合而没有任何均可进行的。下一个逻辑步骤是将金属掺入这些网络中，以支持不同的可溶性分子催化剂或金属纳米颗粒（NPS）。因此，在过去的十年中，含金属KAP的数量逐渐增长，我们认为，在报告的第一个KAPS诞辰10周年中，对所有含金属的KAP的审查及其在异质金属催化剂中的应用是强制性的。在本综述中，总结所有包含金属的KAP的最相关特征，分为两个大组，分为金属络合物或金属NP，并根据金属掺入的类型进行分类。最后，根据每个研究的反应中使用的金属进行比较，并评论了这些类型的材料的未来目标。
伊藤色素减退症和不对称哭泣面容
并将这种疾病命名为伊藤色素减退症 [2]。后来人们发现，伊藤色素减退症不仅是一种皮肤病，还会影响其他系统，主要是中枢神经系统和肌肉骨骼系统 [3,4]。一些理论认为，伊藤色素减退症是染色体嵌合体的一种非特异性表现；然而，并不是每例伊藤色素减退症都有这种表现 [5,6]。发病率和患病率估计在 1/7540 到 1/82,000 之间 [6]。色素减退症的典型特征是色素减退性病变，可能呈旋涡状、线状条纹或沿 Blaschko 线的斑块。它们主要出现在躯干上，但也可能出现在四肢、面部和头皮上 [7]。病变可能在出生时或出生后 18 个月内出现 [8]。在此，我们报告了一例患有多种先天性异常且无 HI 家族史的 HI 病例。
双机编队飞行远场尾流涡演变...
大涡模拟 (LES) 已用于研究飞机编队后方 10 分钟内的远场四涡尾流涡旋演变情况。在编队飞行场景中，尾流涡旋行为比传统的单架飞机情况复杂、混乱且多样，并且非常敏感地取决于编队几何形状，即两架飞机的横向和垂直偏移。尽管在各种编队飞行场景中尾流涡旋行为的个案变化很大，但涡旋消散后的最终羽流尺寸通常与单架飞机场景有很大不同。羽流深约 170 至 250 米，宽约 400 至 680 米，而一架 A350/B777 飞机将产生 480 米深和 330 米宽的羽流。因此，编队飞行羽流没有那么深，但它们更宽，因为涡流不仅垂直传播，而且沿翼展方向传播。两种不同的 LES 模型已被独立使用，并显示出一致的结果，表明研究结果的稳健性。值得注意的是，二氧化碳排放只是航空气候影响的一个因素，还有其他几个因素，如凝结尾迹、水蒸气和氮氧化物的排放，这些都会受到编队飞行的影响。因此，我们还强调了年轻编队飞行凝结尾迹与经典凝结尾迹在冰微物理和几何特性方面的差异
等离子场的远场Petahertz采样
摘要：金属纳米结构对光学激发的响应导致局部表面等离子体（LSP）生成，并在例如量子光学和纳米光子学中驱动纳米级场限制驱动应用。Terahertz域中的现场采样对追踪此类集体激发的能力产生了巨大影响。在这里，我们扩展了此类功能，并在更相关的Petahertz域中对LSP进行直接采样。该方法允许以亚周期精度测量任意纳米结构中的LSP场。我们演示了胶体纳米颗粒的技术，并将结果与有限差分的时间域计算进行了比较，这表明可以解决等离子体激发的堆积和逐步化。此外，我们观察到了几个周期脉冲的光谱阶段的重塑，并通过调整等离激元样品来证明临时脉冲成型。该方法可以扩展到单个纳米系统，并应用于探索亚周期现象。关键字：等离激光，等离子体动力学，金纳米颗粒，Petahertz现场采样■简介
基于光子学的近场测量和远场...
摘要 本研究使用具有平面扫描功能的电光 (EO) 传感器演示了基于光子学的 300 GHz 频段近场测量和远场特性分析。待测场在 EO 传感器处上变频至光域 (1550 nm)，并通过光纤传送至测量系统。在 13 s 的一维测量时间内，系统的典型相位漂移为 0.46 ◦，小于该时间尺度下相位测量的标准偏差 1.2 ◦。将从测得的近场分布计算出的喇叭天线远场方向图与使用矢量网络分析仪通过直接远场测量系统测得的远场方向图进行了比较。对于与角度相关的参数，我们通过近场测量获得的结果的精度与通过直接远场测量获得的结果相当。我们的近场测量结果与直接远场测量结果之间的旁瓣电平差异（约 1 dB）归因于探针校正数据的过量噪声。我们相信，基于光子学的球形 EO 探针扫描近场测量将为 300 GHz 频段高增益天线的表征铺平道路。
从三芳胺单体到 2D Coval
摘要：与传统的湿化学合成技术相比，超高真空条件下有机网络的表面合成几乎没有控制参数。分子沉积速率和基底温度通常是唯一需要动态调整的合成变量。本文我们证明，无需专用源，仅依靠回填氢气和离子规细丝即可创造和控制真空环境中的还原条件，并且可以显著影响用于合成二维共价有机骨架（2D COF）的类 Ullmann 表面反应。使用三溴二甲基亚甲基桥连三苯胺 [(Br 3 )DTPA] 作为单体前体，我们发现原子氢 (H • ) 会严重阻碍芳基 − 芳基键的形成，我们怀疑该反应可能是限制通过表面合成产生的 2D COF 最终尺寸的一个因素。相反，我们表明，控制相对单体和氢通量可用于生产大型自组装单体、二聚体或大环六聚体岛，这些单体、二聚体或大环六聚体本身就很有趣。从单一前体表面合成低聚物可避免湿化学合成时间长和沉积源多的潜在挑战。使用扫描隧道显微镜和光谱 (STM/STS)，我们表明，通过此低聚物序列的电子状态变化提供了对 2D COF（在没有原子氢的情况下合成）的深刻见解，这是单体电子结构演变的终点。关键词：扫描隧道显微镜 (STM)、共价有机骨架 (COF)、三角烯、异三角烯、DTPA、自组装单层 (SAM)
DUNE 远探测器的 FBK SiPM 生产现状
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC)，其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下，FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM)，该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声，约为几 mHz/mm2，后脉冲概率低，并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内，NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发，通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备，目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备，并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK，我们开发了一个小型供应链，其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司，能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中，我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。