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World File Search System铁电负
硅在绝缘子中的单事件传播效应...
亲爱的编辑，铁电隧道FET（FETFET）是关于新型低功率电子设备的越来越重要的研究主题[1，2]，因为铁电气材料的负电容效应有助于提高潜在的通道并增加TFET中的状态电流。铁电疗法显示辐射性能对辐射的辐射硬性能，这对于基于这种苛刻环境中使用的这种材料的设备很有帮助[3，4]。单事件传播（集合）效应是由空间或陆地辐射环境中的高能量颗粒引起的，这可能会导致软错误的可能性，甚至可能导致航天器中的灾难性事故[5，6]。对重离子打击下FETFET的辐射效应的搜索对于评估这些设备在太空环境中的潜在误差非常重要。为了提高设备的性能，我们提出了一种新的硅在绝缘子双门栅极FETFET（SOI DG-FETFET）中，并使用Si：HFO 2铁电栅极介电。使用Synopsys Sentaurus Tech-Nology Computer Adided Design（TCAD）Simulator [7]研究了SOI DG-FETFET中的单事件传播效应[7]。设备结构和仿真设置。
深入了解铁、氧化应激和铁死亡
简单总结：在本文中，我们回顾了过去十年的知识进展，得益于许多学者和研究人员的投入，这些进展已经阐明了与铁死亡及其与癌症的关系有关的许多方面。铁死亡目前被认为是一种独特的受调节细胞死亡 (RCD) 类型，其特征是铁依赖性氧化应激和致命氧化脂质的积累。重点关注最近的文献，强调了铁稳态、氧化应激和脂质代谢之间的联系，这些联系总体上调节了铁死亡细胞死亡。此外，特别关注了这种 RCD 通路可能作为肿瘤抑制机制的激活。从调控和分子角度深入了解它可以为开发治疗对常规疗法有耐药性的肿瘤的新候选药物提供重要信息。
铁，铁毒和头颈癌 - helda
1美国亚特兰大埃默里大学医学院Winship Cancer Institute的血液学和医学肿瘤学系，美国佐治亚州30322； nfsaba@emory.edu 2 Wallace H. Coulter生物医学工程系，佐治亚理工学院和埃默里大学，亚特兰大，佐治亚州亚特兰大，佐治亚州30322，美国3美国，西南大学药物科学和中医学院，西南大学，中国北部400715，中国; lx126001@126.com 4 Otorhinolaryngology-Head and Neck Surgery系，赫尔辛基大学和赫尔辛基大学医院的系统肿瘤学研究计划，芬兰赫尔辛基，赫尔辛基大学医院； antti.makitie@helsinki。 e likek@ump.edu.pl 6 Poznan医学科学大学药理学系，波兰Poznan 60-806； agata.czarnywojtek@ump.edu.pl 7内分泌学系，代谢和内科医学系，波兹南医学科学大学，Przybyszewskiego 49，60-355 Poznan，Poland 8，Poland 8，国际高级和颈部科学科学的协调员，35125 PADUA，ITALE，ITALE，ITALE； profalfirlito@gmail.com *通信：yong.teng@emory.edu;电话。 ： +1-（404）-712-8514†这些作者对这项工作也同样贡献。1美国亚特兰大埃默里大学医学院Winship Cancer Institute的血液学和医学肿瘤学系，美国佐治亚州30322； nfsaba@emory.edu 2 Wallace H. Coulter生物医学工程系，佐治亚理工学院和埃默里大学，亚特兰大，佐治亚州亚特兰大，佐治亚州30322，美国3美国，西南大学药物科学和中医学院，西南大学，中国北部400715，中国; lx126001@126.com 4 Otorhinolaryngology-Head and Neck Surgery系，赫尔辛基大学和赫尔辛基大学医院的系统肿瘤学研究计划，芬兰赫尔辛基，赫尔辛基大学医院； antti.makitie@helsinki。 e likek@ump.edu.pl 6 Poznan医学科学大学药理学系，波兰Poznan 60-806； agata.czarnywojtek@ump.edu.pl 7内分泌学系，代谢和内科医学系，波兹南医学科学大学，Przybyszewskiego 49，60-355 Poznan，Poland 8，Poland 8，国际高级和颈部科学科学的协调员，35125 PADUA，ITALE，ITALE，ITALE； profalfirlito@gmail.com *通信：yong.teng@emory.edu;电话。： +1-（404）-712-8514†这些作者对这项工作也同样贡献。
针对铁死亡
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具有 Hf1-xZrxO2 栅极结构的低压工作 2D MoS2 铁电存储晶体管
铁电场效应晶体管 (FeFET) 因其良好的工作速度和耐用性而成为一种引人注目的非易失性存储器技术。然而，与读取相比，翻转极化需要更高的电压，这会影响写入单元的功耗。在这里，我们报告了一种具有低工作电压的 CMOS 兼容 FeFET 单元。我们设计了铁电 Hf 1-x Zr x O 2 (HZO) 薄膜来形成负电容 (NC) 栅极电介质，这会在少层二硫化钼 (MoS 2 ) FeFET 中产生逆时钟极化域的磁滞回线。不稳定的负电容器固有支持亚热电子摆幅率，因此能够在磁滞窗口远小于工作电压的一半的情况下切换铁电极化。 FeFET 的开/关电流比高达 10 7 以上，在最低编程 (P)/擦除 (E) 电压为 3 V 时，逆时针存储窗口 (MW) 为 0.1 V。还展示了强大的耐久性 (10 3 次循环) 和保留 (10 4 秒) 特性。我们的结果表明，HZO/MoS 2 铁电存储晶体管可以在尺寸和电压可扩展的非易失性存储器应用中实现新的机会。
负迁移研究综述
摘要 — 迁移学习 (TL) 利用来自一个或多个源域的数据或知识来促进目标域中的学习。由于注释成本、隐私问题等原因，当目标域中标记数据很少或没有标记数据时，它特别有用。不幸的是，TL 的有效性并不总是能得到保证。负迁移 (NT)，即利用源域数据/知识会不理想地降低目标域的学习性能，一直是 TL 中存在已久且具有挑战性的问题。文献中提出了各种方法来处理它。然而，目前还没有关于 NT 的制定、导致 NT 的因素以及缓解 NT 的算法的系统调查。本文填补了这一空白，首先介绍了 NT 的定义及其因素，然后根据四类回顾了大约 50 种克服 NT 的代表性方法：安全迁移、域相似性估计、远距离迁移和 NT 缓解。我们还讨论了相关领域的NT，例如多任务学习、终身学习和对抗性攻击。
碳负射™战略
为确保到 2050 年实现千兆吨级 CDR 部署，DOE 将专注于实现到 2030 年 2500 万吨 CDR 需求的中期目标所需的科学和创新。该中期目标的组成将反映上述六种 CDR 途径的多样化组成，并确保每一种途径至少达到百万吨级。这是因为，在六种可能的 CDR 途径中，目前并没有明显的“赢家”，也没有理想的 CDR 解决方案：每一种途径都有独特的优势、权衡和挑战，涉及成本、技术成熟度、土地和能源需求、对测量、监测、报告和验证 (MMRV) 的信心以及储存期限。例如，DAC 等技术目前需要大量的基础设施投资和能源投入，但具有高度的可测量性和可验证性。相比之下，改进森林管理等方法可以利用自然和工作生态系统的光合生产力，但可能难以以高空间和时间分辨率进行测量，并且提供的储存持久性较差。
使用不匹配负性
关于成人注意力/多动症（ADHD）的神经生理学（ADHD）的神经生理学相对较少的研究。不匹配负性（MMN）是一个与事件相关的潜在组件，代表了竞技前听觉处理，它与认知状态密切相关。我们研究了MMN特征作为生物标志物，以将药物为ADHD和健康对照组（HCS）分类。传感器级特征（振幅和潜伏期）和源级特征（源级激活），并使用被动听觉奇怪的球范式比较了34例ADHD患者的脑电图和45个HC患者的脑电图。分析了MMN特征与ADHD症状之间的相关性。最后，我们使用MMN的传感器和源级特征来应用机器学习以区分这两组。成年ADHD患者在额内中央电极处显示出明显较低的MMN振幅，并且在额叶，颞叶和边缘叶中的MMN源激活降低，这些lobes与MMN发生器和ADHD病理生理学密切相关。来源活动与多动症症状显着相关。基于MMN源活动特征，成人ADHD患者和HCS的最佳分类性能表现出81.01％的精度，82.35％的敏感性和80.00％的特异性。我们的结果表明，异常MMN反映了成年ADHD患者的病理生理特征，并且可以在临床上用作成人ADHD的神经标志物。