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World File Search System间层
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
功能梯度材料 (FGM) 中间层在激光熔化沉积 (LMD) 和电弧增材制造 (WAAM) 法制造英科乃尔-不锈钢双金属结构中的作用
摘要：通过直接沉积制备的双金属结构由于异种金属的组织和性能突然变化而存在缺陷。激光金属沉积（LMD）-电弧增材制造（WAAM）工艺可以通过沉积功能梯度材料（FGM）层（例如使用LMD的薄中间层）来缓解两种不同材料之间的缺陷，并可用于使用WAAM以较高的沉积速率和相对较低的成本制备双金属结构。本研究进行了LMD-WAAM工艺，并研究了制备的IN625-SUS304L双金属结构的微观组织。LMD-WAAM样品的FGM区的微观组织主要为细小的等轴枝晶形貌。相反，WAAM区构成了粗大的柱状枝晶形貌。LMD-WAAM样品的主要合金元素的成分随着沉积层高度而逐渐变化。 LMD-WAAM 样品的显微硬度随 Inconel 含量的增加而增加。对于 LMD-WAAM 样品，断裂发生在 25% IN625 和 0% IN625 之间的界面附近；对于 WAAM 样品，最终断裂发生在界面附近的 SUS304L 中。LMD-WAAM 样品的拉伸强度与激光功率成反比。结果表明，LMD-WAAM 样品的拉伸强度比仅使用 WAAM 制造的样品高 8%。
自支撑CoxP/Co3(PO4)2/C复合纳米纤维垫的合成及其作为锂硫电池多功能中间层的特性
超级电容器[18]、锌空气[19,20]和锂空气电池[21]以及锂离子、钠离子和钾离子存储负极。[22–24] 不同钴磷化物（Co x P：CoP+Co 2 P）[25]与氧化钴（Co x P/CoO）[26]的组合使这些材料多功能化并提高了其性能。另一方面，Co x P和Co 3 (PO 4 ) 2的联合作用对锂硫电池电化学性能和多硫化物转化机理的影响尚未研究。尽管钴磷化物具有广泛的潜在应用，但它们通常通过复杂的合成路线合成，包括在过量的磷源和还原剂中对钴或钴氧化物进行磷化。[22,24–26] 最近，Li等人。报道了使用化学计量的脱氧核糖核酸 (DNA) 作为 P 源，通过简便的静电纺丝和热处理成功合成了 Co 2 P/Co 2 N/C。[27] 另一方面，由于聚丙烯腈（碳源）溶液中无机组分的溶解度较差，限制了 Co 2 P 的含量。相反，使用水和乙醇可溶性的聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 作为碳源，可以合成无机组分含量高的碳复合材料。[28] 此外，还证实了 PVP 衍生的碳/SiO 2 复合纳米纤维垫可以作为多功能中间层，有效防止多硫化物的穿梭，并提高 S 基锂电池的电化学性能。[29,30]
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
用于高稳定、高效锂掺杂 Spiro-OMeTAD 基钙钛矿太阳能电池的多面二茂铁中间层
近年来，金属卤化物钙钛矿作为光伏器件中很有前途的光收集层，引起了越来越多的研究关注。迄今为止，使用螺环-OMeTAD 作为空穴传输层 (HTL) 是生产 PSC 的先决条件，其最高 PCE 可达 25% 以上。[1–3] 然而，在实现创纪录的 PCE 的同时，使用螺环-OMeTAD 也显著导致了钙钛矿层的快速降解。使用螺环-OMeTAD 给 PSC 带来的额外不稳定性源于添加到螺环-OMeTAD 中的掺杂剂，这些掺杂剂是改善 HTL 低固有电导率所必需的。[4–6] 截至撰写本文时，性能最高的 PSC 是使用锂双（三氟甲烷磺酰基）酰亚胺 (LiTFSI) 掺杂的螺环-OMeTAD 制备的，能够
中间层和铁电材料对电荷的影响...
摘要 - 我们研究使用TIN/HF X ZR 1-X O 2/Interlayer/Si（MFIS）GATE堆栈的Si Fefet耐力疲劳期间，不同的层中和铁电材料对电荷捕获的影响。我们拥有具有不同层间（SIO 2或SION）和HF X ZR 1-X O 2材料（X = 0.75、0.6、0.5）的FeFET设备，并在耐力疲劳期间直接提取了电荷捕获。我们发现：1）层间中N元素的引入抑制了电荷捕获和缺陷的产生，并改善了耐力特征。2) As the spontaneous polarization ( P s ) of the Hf x Zr 1-x O 2 decreases from 25.9 μC/cm 2 (Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ) to 20.3 μC/cm 2 (Hf 0.6 Zr 0.4 O 2 ), the charge trapping behavior decreases, resulting in the slow degradation rate of memory window (MW) during program/erase cycling;另外，当P S进一步降低至8.1μc/cm 2（HF 0.75 ZR 0.25 O 2）时，初始MW几乎消失（仅〜0.02 V）。因此，P s的减少可以改善耐力特征。合同中，它也可以减少MW。我们的工作有助于设计MFIS Gate堆栈以提高耐力特征。
dion-jacobson中的中间层三重能量转移两个 -
值得注意的是，除了激子基态漂白剂外，界面三重能量转移的每种化合物都在能量上有利，在较长的波长（大约450 - 650 nm）以外的较长波长处表现出广泛的光诱导吸收（PIA）特征。在图2 B中为选定样品显示了此波长范围的扩展视图。对于每种富含溴化物的化合物，广泛的PIA特征是长期寿命的，并且在瞬态吸收设置订立的5 ns窗口范围内不会完全衰减。然而，纯碘化物化合物（1,5 NDA）PBI 4的瞬态光谱仅包含激子漂白剂，并且在更长的波长下没有明显的PIA。至少在定性上，这些模式表明长寿的PIA可能与萘三胞胎物种有关。该分配与以前的微秒瞬时吸收研究一致，该研究是根据萘的浓缩，三联敏化溶液进行的，其中作者在450 - 650 Nm区域中观察到与单性链接的450 - 650 NM区域中具有与单烯烯型Naphthalene Treepemere excimerersecimerer的450 - 650 Nm区域的广泛交流荷兰转移吸收带。28在含有thieno [3,2- b]硫烯-2噻吩-2甲基铵阳离子（结构上与萘）中的RP 2D钙钛矿中也观察到了类似的广泛PIA特征，并分配给有机分子的三重态兴奋。5基于我们的实验观察结果以及与文献中的示例的这些比较，我们认为450 - 650 nm探针范围内的宽阔而长的PIA与萘三胞胎物种有关。
评论固态电池的多孔混合离子电子导体中间层
可充电固态电池（SSB）已作为基于降低的火灾危险和实现高级电池化学物质（例如碱金属阳极）的潜力而成为下一代储能装置。然而，陶瓷固体电解质（SES）通常在缓解机械应力方面具有有限的能力，并且对以身体为中心的立方体碱金属或其合金在化学上不稳定，或其具有较小溶质元件（β-相）的合金。肿胀 - 然后对β期的重新培训通常会引起不稳定性，例如SE断裂和腐蚀以及电子/离子接触的丧失，这会导致高电荷转移耐药性，短路等。这些挑战要求其他类别的材料和新型纳米复合体系结构的合作，以缓解压力和维护基本接触，同时最大程度地减少有害的破坏。在这篇综述中，我们总结了解决这些问题的最新进展，包括将其他类别的材料（MIEC）多孔中间层和离子电子绝缘子（IEI）粘合剂（例如SE和金属（例如β-相和当前的收集器）除外）是传统SSB组成的，除了SE和金属（例如β-相和当前的收集器）之外，还包括传统的SSB组合。特别是我们专注于提供理论解释，以了解开放式纳米孔MIEC中间层如何操纵β相沉积和剥离行为，从而抑制这种不稳定性，从而指代基本的热力学和动力学来控制β-相的成核和生长。审查结束时，通过描述SSB的多孔MIEC Interlayers未来设计的途径。