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大型热电站参考功率跟踪用热能存储系统混合模糊逻辑控制器的设计和实现
伊朗德黑兰阿米尔卡比尔理工大学（德黑兰理工学院）机械工程系。摘要太阳能烟囱发电厂 (SCPP) 是一种相对较新的技术，利用太阳能热能发电，结构相对简单，运行可靠。目前和不久的将来，SCPP 将成为传统发电技术的主要竞争对手之一。考虑到一天内和一年中不同日子内太阳辐射和环境温度的变化性质是主要发电厂的激励因素，控制太阳能烟囱发电厂的功率输出以满足当地和国家电网的各种需求至关重要。本文研究了配备天然或人工热存储的大型太阳能烟囱发电厂的模糊逻辑控制 (FLC) 系统的设计和实施，以满足各种基线到峰值需求模式。实际发电量与参考值之间的功率误差以及该误差的变化率被定义为控制器输入。基于专家知识和工厂的动态行为生成 IF-THEN 规则知识库。控制器的输出，即涡轮机入口闸门的开度，将施加于电厂。模拟结果表明，配备集成主动和被动控制系统（包括 FLC 和热能存储）的 SCPP 可以在各种电网需求模式和不同环境条件下跟踪每日参考曲线。关键词：太阳能烟囱发电厂；主动和被动控制；模糊逻辑控制；热能存储；电网需求。
流量测量结构 - WUR eDepot
流量测量结构被定义为安装在明渠或封闭管道中的水力结构，这些管道具有自由水位，在大多数情况下，可以从测量的上游水位得出流量。图 1 显示了流量测量结构。事实上，这种结构是人为减少渠道或管道的横截面积，导致上游水位上升，从而导致结构上的水位下降。如果减少幅度足够大，我们就会得到流量和上游水位之间的独特关系。通过连续测量这个水位，我们还可以获得流量随时间变化的连续记录。流量和上游水位之间的关系主要取决于结构的形状和尺寸，而上游渠道或管道的几何形状则略有不同。可以从理论方法建立该关系，该方法需要通过校准来支持，校准主要通过水力模型研究进行。在过去的几个世纪中，设计了多种类型的流量测量结构，其特性满足了现代水资源开发的需求，特别是在灌溉计划和水文研究中。了解流量测量结构的使用的最有效方法是查阅专门针对这些结构发布的手册。这样的手册 [1] 和 [2] 不仅对现有结构进行了相当完整的回顾，而且还提供了必要的基本原理和实用概述，说明如何根据特定需求选择最合适的结构以及如何进行流量测量结构的水力设计。本章讨论堰、水槽和闸门等明渠中的流量测量结构。此外，其中一些结构用于具有自由水位的封闭管道，例如下水道。
相关的量子位置置换量，以减少变异量子eigensolver中的Ansatz深度
变异量子本质量（VQE）是一种选择在近期基于栅极的量子计算机上的分子的电子结构概率的选择。但是，电路深度有望随问题大小而显着增长。增加的深度既可以降低结果的准确性又可以降低训练性。在这项工作中，我们提出了一种减少Ansatz电路深度的方法。我们的方法称为“ permvqe”，在VQE中添加了一个额外的优化循环，该循环排列了Qubits，以便求解量子的Hamiltonian，该量子hamiltonian最大程度地将相关性定位在基态。置换的选择基于相互信息，这是电子与/或旋转轨道中孔之间相互作用的量度。将强烈纠缠的旋转轨道编码为量子芯片上的近端矩形自然会减少准备基态所需的电路深度。对于代表性的分子系统，Lih，H 2，（H 2）2，H = 4，H + 3和N 2，我们证明，将纠缠的量子位放在接近近距离的情况下，导致较低的深度电路达到给定的特征性eigenvalue-eigenvalue-eigenvalue-eigenvalue-eigenvalue-eigenvector准确性。该方法是为任何量子连接性的硬件效果ANSATZ而设计的，并为线性和二维网格体系结构展示了示例。主要思想也可以应用于与其他VQE以外的其他ANSATZ以及各种量子算法模拟分子。，我们证明了Qubit置换的有益效果，以在线性量子标论连接架构上构建费米子 - 适应性衍生物组装的伪拖动Ansatz，并降低了几乎两倍的受控闸门数量。
引用了原始发表的论文（记录的版本）：Kallitsis，E.，Lindsay，J.，Chordia，M。等（2024）。当地思考全球行为：depen
对低碳运输的追求显着增加了对锂离子电池的需求。然而，电池制造的迅速增加，没有充分考虑与其生产和材料需求相关的碳排放，这构成了在上游上游大部分排放的威胁。在本文中，开发了生命周期评估（LCA）模型，以说明26个中国各省，20个北美地区和欧洲和亚洲的19个国家 /地区的锂离子电池的摇篮到门口足迹。对已发表的LCA数据的分析显示，关键电池材料的碳排放量相关；它们对自由lib的碳足迹的总体贡献因素而异。4取决于生产路线和来源。探索了生产位置与电池制造的闸门碳足迹之间的联系，预测的中值范围在0.1至69.5 kg CO 2 -eq kWh-1中。在美国和欧洲，肯塔基州和波兰等美国领先的西方电池制造地点与中国竞争对手具有可比的碳排放，甚至超过了几个中国省份的电池制造的碳排放。对Libs碳足迹的材料和能源贡献的这种解决方案对于为政策和决策提供了必不可少的，以最大程度地减少电池价值链的碳排放量。鉴于当前的现状，锂离子电池行业的全球碳足迹预计将在未来十年内每年达到1.0 GT CO 2 -EQ。随着材料供应链的脱碳和电池生产中的节能，每年的估计值较低，估计值为0.5 GT CO 2 -EQ。
2025请致电论文
特殊焦点模块背面功率，3D集成，内存堆叠，异源集成（启用AI革命）新兴技术CMOS Technologies的缩放范围继续延伸，超出了当前3 nm节点的清晰外观，包括围绕技术周围的闸门。引入背部功率将为高级技术带来令人兴奋的新功能，但同时，带来了在提供的ESD设备中需要解决的新ESD挑战。使用高级技术，高应用程序性能和异质集成概念为ESD保护设计带来了新的挑战。对于2025年EOS/ESD研讨会，我们正在寻找展示技术层面的进步和挑战的原始出版物。设备测试技术缩放和包装的复杂性的增加需要更高级的ESD测试解决方案。现代包装技术还引入了制造过程中未知的ESD应力水平。初始测量结果显示出非常快的脉冲解决了次纳秒时间域。现有的测试方法适合在此时间域中的表征，还是我们需要新的方法？我们邀请提交这些问题以及在ESD测试其他领域的进步。制造控制商业高性能2.5D和3D IC的制造具有与ESD相关的特定挑战，其中包含新材料，自定义集成和相关测试方法的新组装过程。模具到磁力，晶圆到磁力粘结，堆叠的ICS和模块包括具有低ESD承受能力的子系统，具有大量和各种各样的模具到die接口和小凹凸音高。我们邀请提交的意见，以解决控制和处理方面的进步，以朝着低于5 V制度的ESD稳健性非常低的行业趋势。
低温宽带子1-DB NF CMOS低噪声放大器用于量子应用
摘要 - 报告了基于标准40 nm CMOS技术的量子应用的低温宽带低噪声放大器（LNA）。LNA规范是从4.2 K处的半导体量子位的读数中得出的，其量子信息信号的特征是相位调节的信号。为了实现宽带输入匹配阻抗和低噪声图，可以利用输入晶体管的闸门电容。目标是将电阻和电容载荷与源电感变性的共同源阶段的输入阻抗匹配。电容载荷是由LC平行箱产生的，其谐振频率低于工作频率。实现的非构体等效电容已被证明是对输入阻抗匹配的好处。载荷的电阻部分是由cascode阶段的跨传导提供的。将电感器添加到cascode晶体管的门中以抑制其噪声，而具有两个共振频率的基于变压器的谐振器则用作第一个阶段的负载，从而扩展了操作带宽。提出并分析了LNA的低温温度操作的设计注意事项。LNA在整个频段（4.1-7.9 GHz）中实现了35±0.5 dB的测得的增益（S 21），回报损失> 12 dB，NF为0.75–1.3 dB（4.1-7.9 GHz），在室温下具有51.1兆瓦的功耗，同时显示为42±3.3 dB和NF的幂均值，均为0.2 db，Nf of 0.23-0.23-0.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d d d db。在4.6至8 GHz之间。据我们所知，这是基于在4 GHz以上工作的批量CMOS过程的第一个报告，该过程在房间和低温温度下均显示出亚1-DB NF。
用非...
使用时间依赖性的哈密顿人对量子系统的控制对于量子技术至关重要[1]，即实施状态转移和闸门操作。一个重要的任务是确定如何在此类过程中实现最佳性能。在理想的封闭量子系统中，完美的操作在足够的时间给定时间[2]。速度限制是因为物理哈密顿人的界限，因此能量时间不确定性给出了最大的时间进化速率，从而提供最小的操作时间。除了这种理想的情况之外，还会出现其他考虑。当无法进行精确控制时，人们的渴望是对可靠操作的渴望；这可以通过使用强大的控制技术[3]或绝热过程[4，5]来实现。另一个是变形和耗散的影响。在标准的马尔可夫近似中，这种过程会随着时间的流逝而导致信息丢失。因此，尽管有明显的例外，但人们期望将快速操作最小化，以最大程度地减少信息丢失，在这种情况下，操作较慢允许访问decherence-tree-note-nodspace [6]。在本信中，我们显示在非马克维亚系统中并不总是需要快速操作，因为较慢的操作可以使信息回流得到利用以提高忠诚度。为了提供非马克维亚系统中速度和保真度之间权衡的具体演示，我们使用数值最佳控制来探索由由驱动的Qubit与波音环境相互作用的系统的可实现性能。最佳控制[7]涉及确定一组时间依赖性的控制场，以最大化目标函数（例如保真度）。在这里，我们表明可以使用我们先前引入的过程张量方法[8]的扩展在非马克维亚系统中进行效率进行效率，以有效地计算客观功能的梯度。这使我们能够反复优化数百个控制参数，以用于不同的过程
![arxiv：2312.00903v1 [cond-mat.mes-hall] 2023年12月1日](/simg/6\6520971bf0851775eb9a66c1e21117c67a8f2232.webp)
arxiv：2312.00903v1 [cond-mat.mes-hall] 2023年12月1日
基于硅的技术显示了量子信息处理的巨大潜力[1]。硅自旋量子位已被证明是竞争性的固态量子量子系统，具有很长的连贯性时间[2，3]，并且已经证明了误差校正阈值以上的单个和两量子门的保真度[4，5]。与CMOS技术的兼容性允许利用微电子行业的能力在工业铸造厂内建立大规模的Quantum Systems。随着量子系统的扩大规模，在低温下进行量子读数和控制的协整电子已经成为必要[6，7]。硅系统允许在同一芯片上构建控制电子设备和量子实验，并在该方向上提出了一些架构[8，9]，激励了从4 K到Kelvin温度运行的CMOS设备的开发。研究CMOS技术的低温性能已经变得高度相关，并且最近已经建立了将紧凑的建模降至少数开尔文[10，11]。因此，找到创新的，行业兼容的CMOS技术，可以为大规模集成控制电源提供可能性，可用于量子信息过程，这是一个重要的里程碑。目前，仅在polysilicon Gate [12]，FD-SOI [13]和FinFET [14，15] Technologies中，仅在SI-MOS中证明了使用行业标准制造工艺制成的自旋量子。此外，“平面散装晶体管”建筑本身面临着严重的物理问题 -同时，在过去的几十年中，半核行业引入了大量的创新（对于最值得注意的应变工程[16，17]，High-k/Metal Gates（HKMG）简介[17，18] [17，18]，并进行了闸门的整合[17，18]），以追求De-vice de-vice dow-vice downsscalions downssscalions downssscalions sermist'sermist''
乔治·C·马歇尔领导力与奖励研讨会 2024
执行 Gauntlet 是一条 1.5 英里长的赛道，在起伏的地形上执行，沿途有 9 个障碍物。在“GO”的命令下，团队将从起点跑到 12 英尺高的墙。在越过所有障碍物时，团队将被指示保持在左侧或右侧车道上。所有团队都将尝试翻过这堵墙。团队合作对于安全完成这一障碍是必不可少的。然后，团队将移动到 8 英尺高的墙，并以与上一堵墙类似的方式执行。团队继续越过所有团队成员都必须通过的窗口障碍。下一个障碍是两个 30 英尺长、30 英寸直径的涵洞，所有团队成员都必须通过。团队将继续比赛，到达一系列上下闸门。所有团队成员都将越过 4 英尺宽、40 英寸高的障碍物，并从 4 英尺宽、24 英寸的障碍物下方穿过。下一个障碍是悬挂式 23 英寸直径的子午线轮胎障碍，所有团队成员都必须通过。团队继续越过低爬障碍，所有团队成员都必须完成。团队继续前进，到达第二组 30 英尺长、30 英寸直径的“L 形”涵洞，所有团队成员都必须通过。赛道上的最后一个障碍是 7 英尺的斜坡墙，所有团队成员都必须越过绳索。完成最后一个障碍后，团队将跑回起跑线/终点线。当最后一名学员带着弹药罐越过终点线时，时间停止。如果后起跑的团队赶上先起跑的团队，他们可能会超过先起跑的团队。在跑步的后半段，团队将保持在绳索的左侧。
新建模在TDDB外的新建模为130nm至28nm CMOS节点
TDDB仍然是超短路通道CMOS节点中的关键可靠性问题，并保证了速度性能和低消耗要求。在AC RF信号操作“外状态”过程中，从低（kHz）到非常高的频率范围（GHz）[1-2]依次以“状态”模式出现。即使“偏离状态”应力通常以比“州内”应力较小的速率降低设备，它也可能成为RF域中设备操作的限制因素，而对于逻辑应用中使用的供应电压V DD通常翻了一番。不仅设备参数漂移可能会变得很重要，而且还可以触发严重分解（BD）到Gate-Drain区域中。因此，至关重要的是要精确评估态度TDDB的可靠性，并深入了解设备级别的磨损机制，因为可以在排水管上观察到故障事件（图。1a，c）和门（图。1b，d）28nM FDSOI CMOS节点中的电流。由于影响电离的差异（ii）孔和电子的阈值能量和能屏障高度，在州或偏离状态下的热载体（HC）生成及其V GS / V DS依赖性在N通道和P通道上明显不同[3]。通过低闸门敏感性进行了的比较[4]，重点是注射的载体效率，一方面，在Onders HCD下，在N-Channel侧受到较大的损害，在N-Channel侧受到了较大的损坏，并且在较大的n-channel侧受到较大的损害，并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害，并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。的比较[4]，重点是注射的载体效率，一方面，在Onders HCD下，在N-Channel侧受到较大的损害，在N-Channel侧受到了较大的损坏，并且在较大的n-channel侧受到较大的损害，并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害，并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。这种暗示的高能量HC可能会在栅极排水区域的OFF模式下触发BD事件[5-6]与热孔效率相关[7]。