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特殊焦点模块背面功率，3D集成，内存堆叠，异源集成（启用AI革命）新兴技术CMOS Technologies的缩放范围继续延伸，超出了当前3 nm节点的清晰外观，包括围绕技术周围的闸门。引入背部功率将为高级技术带来令人兴奋的新功能，但同时，带来了在提供的ESD设备中需要解决的新ESD挑战。使用高级技术，高应用程序性能和异质集成概念为ESD保护设计带来了新的挑战。对于2025年EOS/ESD研讨会，我们正在寻找展示技术层面的进步和挑战的原始出版物。设备测试技术缩放和包装的复杂性的增加需要更高级的ESD测试解决方案。现代包装技术还引入了制造过程中未知的ESD应力水平。初始测量结果显示出非常快的脉冲解决了次纳秒时间域。现有的测试方法适合在此时间域中的表征，还是我们需要新的方法？我们邀请提交这些问题以及在ESD测试其他领域的进步。制造控制商业高性能2.5D和3D IC的制造具有与ESD相关的特定挑战，其中包含新材料，自定义集成和相关测试方法的新组装过程。模具到磁力，晶圆到磁力粘结，堆叠的ICS和模块包括具有低ESD承受能力的子系统，具有大量和各种各样的模具到die接口和小凹凸音高。我们邀请提交的意见，以解决控制和处理方面的进步，以朝着低于5 V制度的ESD稳健性非常低的行业趋势。
2025请致电论文
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