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World File Search System非易
HXNV06400 64Mb 非易失性 MRAM
(1) 器件在暴露于任何指定的辐射环境时都不会闩锁。 (2) 使用 CREME96 计算，应用了威布尔参数和其他相关属性。 辐射特性 总电离剂量辐射 MRAM 辐射硬度保证 TID 水平通过 60 Co 测试（包括过量和加速退火）认证，符合 MIL-STD-883 方法 1019 标准。制造过程中的晶圆级 X 射线测试提供持续保证。 单粒子软错误率 MRAM 中包含特殊工艺、存储器单元、电路和布局设计考虑因素，以最大限度地减少重离子和质子辐射的影响并实现较小的预计 SER。可根据要求提供威布尔参数和其他相关属性，以计算其他轨道和环境的预计翻转率性能。 瞬态剂量率电离辐射 产品设计的许多方面都经过了处理，以处理与瞬态剂量率事件相关的高能级。这使得 MRAM 能够在暴露于瞬态剂量率期间和之后写入、读取和保留存储的数据
基于 ReRAM 的非易失性和抗辐射锁存器设计
摘要：在航空航天环境中，芯片的高可靠性和低功耗至关重要。为了大幅降低功耗，芯片的锁存器需要进入掉电操作。在此操作中，采用非易失性（NV）锁存器可以保留电路状态。此外，在航空航天环境中，锁存器可能会被辐射粒子击中，在最坏的情况下会导致严重的软错误。本文提出了一种基于电阻式随机存取存储器（ReRAM）的NV锁存器，用于NV和鲁棒应用。所提出的NV锁存器具有低开销的抗辐射能力，并且可以在掉电操作后恢复值。仿真结果表明，所提出的NV锁存器可以完全提供针对单粒子翻转（SEU）的抗辐射能力，并可以在掉电操作后恢复值。与其他类似解决方案相比，所提出的NV锁存器可以将存储单元中的晶体管数量平均减少50％。
1非易失性电化学随机访问记忆...
摘要：电化学随机访问记忆（ECRAM）是一种最近开发且高度有希望的模拟电阻记忆元件，用于内存计算。一个长期以来的ECRAM挑战是在几个小时内获得保留时间。这种短暂的保留使ECRAM无法被考虑在深神经网络中进行推理分类，这可能是进行内存计算的最大机会。在这项工作中，我们开发了一个ECRAM细胞，其保留率的保留率比以前的数量级长，并且我们预计在85°C下将超过10年。我们假设这种特殊保留的起源是相位分离，它可以形成多个有效的平衡抗性状态。这项工作强调了使用相位分离来产生ecram细胞的承诺和机会，并具有特殊且潜在的永久保留时间。
基于非易失性阶段的人工双相突触...
基于硫代构化相位变化材料（PCM）的光子记忆细胞的实现引起了人们的关注，因为它们的快速，可逆和非易失性编程功能。[1]在硅光子平台上整合PCM存储器单元，例如GE 2 SB 2 TE 5（GST）和Aginsbte（AIST），[2] [2]可以使全观内存处理，并在其电子交通方面具有显着的优势，并在带状，速度，速度，速度，速度，速度，速度，速度，速度和并行处理中。[3,4]在开发光学逻辑门，[5,6]可恢复可填充的Photonic电路，[7-9]电气控制的光子记忆细胞，[10,11]等离激源性波导开关，[12,13] Neuro-neuro启发的光子Synapes，[14]和Neural Net-Net-net-net-net-net-net-net-net-net-net-net-net-Net-net-net-net-Net-net-net-Net-net-net-net-Ner ner Net-net-net-nerter Worts中。[15,16]先前的研究系统地研究了光子记忆细胞对二硝基二硝酸盐仪（SI 3 N 4）和硅启用器（SOI）平台的性能，[17,18]，在这些平台上，从基线（完全结晶的状态）观察到了单调增加的透射率，该传播是作为拟合程序的拟合功率。这个完善的单调光学编程使可变的可变性能够归因于Hebbian学习的基本生物神经突触的峰值依赖性可塑性（STDP）。[14]值得注意的是，最近在各种光电平台上开发了人工突触，例如[19]，基于Chalcogenide玻璃波波[20]和H-BN/WSE 2异质结构。[21]在STDP中，神经元之间的连接强度，即突触重量或突触效率，根据神经元的输出和输入尖峰的相对时机进行调整。[22]突触可塑性的基本公式，即突触重量的变化可以表示为δw¼f（δt），其中δt p p p pre，t pre，t post和t pre分别是后和神经前的时间。δT<0带有δW<0和δT> 0引入长期抑郁（LTD），并带有δW> 0的长期增强（LTP）。
STM32 处理器的外部非易失性存储器管理 管理 STM32 处理器的非易失性存储器 Johannes Falk
本报告介绍了开发用于处理 STM32 微处理器使用的外部存储设备的库的工作。此举由开发数字和模拟合成器的 Suonobouno AB 公司代表执行。这项工作包括开发用于内存管理的通用函数，以及针对预期应用系统中出现的特定数据结构所采用的函数。最终创建了一个库，可以对该项目涉及的两种存储介质执行必要的数据读取和存储。这可以通过一个干净的界面进行控制，不需要了解存储技术背后的技术细节。该库是模块化的，具有明确的依赖关系管理策略，因此它可以随着进一步的集成而成长和发展。
基于 ISO/IEC 27037:2012 和 NIST SP800-86 框架的混合评估非易失性存储器架构数字取证调查
在数字取证的实施中，实践的衍生品之一是数字证据的处理。处理数字证据需要重要的步骤和程序。数字证据是处理基于数字的犯罪案件的人工来源，其中之一来自数字存储。在这项研究中，作者将通过模拟非易失性架构形式的数字证据来设计数字取证调查的框架。研究人员在以前的文章中常用的参考资料是国家司法研究所 (NIST)。该框架是获取数字证据实践中的参考和步骤。设计这个框架的目的是作为一种法律程序，专门用于获取非易失性数字证据的实践中。在设计中，作者对 NIST SP 800-86 和 ISO 27037:2012 标准进行了文献研究，然后将它们组合成混合术语。这项研究的成果是将这两个标准结合起来，成为处理和调查数字取证科学的参考框架。
yintr21218-新兴的非易失性存储器2021
Simone是YoleDévelopment（Yole）的技术与市场分析师，与半导体和软件部门合作。他是Yole内存团队的成员，并每天为记忆市场和技术，其相关材料和制造过程的分析做出贡献。以前，Simone在纳米科学和纳米技术领域进行了实验研究，重点是新兴的半导体材料及其设备应用。（共同）在高影响力的科学期刊上撰写了15篇论文，并被授予享有声望的玛丽·居里内欧洲欧洲奖学金。西蒙妮（Simone）于2015年从莱桑（瑞士）的ÉcolePolytechniquefédéraleDeLausanne获得了物理学博士学位，在那里他基于2D材料和高κ二元组的异质结构开发了新的闪存细胞。Simone获得了双硕士 sc。 从蒙特利尔（Polytechnique deMontréal）（加拿大）和政治上的米拉诺（Italy）（意大利）的学位，毕业于劳德（Cum Laude）。Simone获得了双硕士sc。从蒙特利尔（Polytechnique deMontréal）（加拿大）和政治上的米拉诺（Italy）（意大利）的学位，毕业于劳德（Cum Laude）。
通过堆叠非易失性的van der waals晶体管
1多功能磁光光谱技术中心（上海），纳米光学和高级工具工程研究中心（教育部），材料和电子科学学院材料系，东部中国师范大学，上海，200241年，200241年，200241年，200241 China 3 School of Computer Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, China 4 ASIC & System State Key Laboratory, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China 5 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China 6 Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, Fudan University, Shanghai 200433，中国
通过单原子厚的二维材料进行离子筛选，实现用于神经形态计算的模拟非易失性存储器
Revannath Dnyandeo Nikam 1,2,* 、Jongwon Lee 1,2 、Wooseok Choi 1,2 、Writam Banerjee 1,2 、Myonghoon Kwak 1,2 、Manoj Yadav 1,2 、Hyunsang Hwang 1,2,*
MNEMOSYNE - 带串行接口的磁性非易失性随机存取存储器
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM，采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功，该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器，用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型：大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中，程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器，因为它与系统上电直接相关。另一方面，随着系统性能要求的提高，集成电路（IC）越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如，欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前，对于这种关键存储器，没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发（设计和原型）新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构，该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外，MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括：• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD（抗辐射设计）空间 NVM；• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM；• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核；• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM；• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD，用于缓解 TID 和 SEE；高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。