✓ 先进陆地观测卫星 2 号 (ALOS-2,简称“DAICHI-2”) 是 ALOS Daichi 的后续任务。JAXA 针对 ALOS-2 开展了研究和开发活动,以改进为 ALOS 开发的宽幅高分辨率观测技术,从而进一步满足社会需求。这些社会需求包括:1) 对受灾地区进行灾害监测,既要详细监测,也要监测受灾地区面积是否较大 2) 持续更新与国家土地和基础设施信息相关的数据档案 3) 有效监测耕地面积 4) 全球监测热带雨林以确定碳汇。
成人双胞胎神经影像学研究表明,皮质厚度(CT)和表面积(SA)受遗传信息的差异影响,导致其空间上不同的遗传模式和地形。然而,鉴于新生儿到成年人的显着皮质发育,CT和SA遗传形态的产后起源尚不清楚。为了填补这一关键的空白,这项研究始终探讨了遗传信息如何通过利用来自202个双胞胎新生儿的脑磁共振(MR)图像来差异调节CT和SA在新生儿大脑中的空间拓扑,而复杂的后环境环境因素具有最小的影响。我们利用了婴儿使用的计算工具和数据驱动的光谱聚类方法,将脑皮质构成纯粹的区域,纯粹根据CT和SA的皮质顶点的遗传相关性,并因此创建了第一个基因知情的Cortalical Parcellatial parcellatial neonatal neonatal saps saps braps braps of CT和SA的遗传相关性。两个遗传细胞图均表现出双侧对称性和分层模式,但具有不同的空间布局。对于CT,具有更紧密的遗传关系的区域表现出一个替代验(A-P)分裂,而对于SA,具有较大遗传接近的区域通常在同一叶中。某些遗传知情的区域在新生儿和成年人之间表现出很强的相似性,尽管SA的内侧表面上的相似性最为惊人,尽管它们在遗传细胞图中的总体差异总体差异。这些结果极大地提高了我们对遗传影响对皮质形态空间图案的发展的理解。
摘要 增材制造 (AMed) 钛产品通常采用电子束熔化 (EBM) 生产,因为在真空环境下可以抑制钛合金表面的氧化。AMed 钛产品的表面粗糙度超过 200 µm Rz,非常粗糙的表面会导致疲劳强度降低。因此,需要后续表面精加工工艺。喷砂是 AMed 金属产品常见的表面平滑工艺之一。它可以降低较大的表面粗糙度,并在表面引入压残余应力。然而,将表面粗糙度降低到几个 µm Rz 是有限的。另一方面,最近发现,通过激光束粉末床熔合生产的 AMed 金属表面可以通过大面积电子束 (LEB) 辐照进行平滑。然而,难以平滑初始表面粗糙度较大的表面,并且表面上可能产生拉残余应力。本研究通过喷砂和 LEB 辐照相结合的方式,实现了 AMed 钛合金 (Ti-6Al-4 V) 的表面平滑和残余应力的变化。通过喷砂和 LEB 辐照相结合的方式,AMed Ti-6Al-4 V 合金的表面粗糙度从 265 µm Rz 显著降低至约 2.0 µm Rz。LEB 辐照降低表面粗糙度的速率随喷砂表面平均宽度的减小而线性增加。平均宽度对 LEB 辐照平滑效果的影响可以通过热流体分析来解释。此外,当 LEB 辐照到喷砂表面时,可以降低 LEB 辐照引起的拉伸残余应力。
在过去的十几年中,β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管(SBD)发展迅速,性能得到显著提高,目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16],用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明,通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11],这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之,Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟,其应用潜力有待进一步论证。
并取得了令人瞩目的成果[7−11]。为了最大限度地减少β-Ga2O3 MOSFET的SHE,已经提出了一些建设性的方法[12,13],例如离子切割技术[14]、转移到异质衬底[15,16]和结构设计[17]。新的测量方法已经被用来表征β-Ga2O3 MOSFET的瞬态温度分布[18]。关于β-Ga2O3基MOSFET的大部分报道都集中在追求高PFOM和探索新的结构,然而实际应用中需要大面积结构来维持高的通态电流。对于大面积结构,由于表面积与体积比较小,SHE会比小器件更严重,值得研究。制备高性能大面积β-Ga2O3晶体管的主要挑战是材料生长的不均匀性和工艺流程的不稳定。有报道称,多指β-Ga2O3 MOSFET能够提供300 V的开关瞬变,电压斜率高达65 V/ns [19],显示出巨大的潜力。尽管如此,电
摘要:本文介绍了一种低压差稳压器,其规格适用于助听器设备。所提出的 LDO 占用的芯片面积非常小,并提供出色的瞬态响应。LDO 架构中采用了一种新颖的电压尖峰抑制器模块,可降低负载突变期间输出电压的下冲和过冲。它引入了一个次级负反馈环路,其延迟小于主环路,并在需要时将静态电流引导至输出节点。这不仅提高了整体电流效率,而且还降低了片上电容。所提出的 LDO 采用 180 nm 标准 CMOS 技术进行布局,并进行了后布局模拟。当施加 1 V 的最小电源电压时,LDO 产生 0.9 V 输出。调节器可以驱动 0.5 mA 的最大负载。LDO 分别表现出 4.4 mV/V 和 800 μ V/mA 的线路和负载调节。当受到阶跃负载变化的影响时,记录到 20.34 mV 的下冲和 30.28 mV 的过冲。为了使 LDO 正常运行,只需要 4.5 pF 的片上电容。
这篇早期版本的文章已经过同行评审和接受,但尚未通过构图和复制过程。最终版本的样式或格式可能会略有不同,并且将包含指向任何扩展数据的链接。
摘要:锌 - 碘(Zn -i 2)电池对其高能量密度,低成本和固有安全性引起了极大的关注。然而,包括聚二维溶解和穿梭,碘迟发的氧化还原动力学和低电导率的几个挑战限制了它们的实际应用。在此,我们通过将Ni单原子(NISA)均匀分散在分层多孔碳骨架(NISAS-HPC)上,为Zn-I 2电池设计了高效的电催化剂。原位拉曼分析表明,由于Nisas具有显着的电催化活性,因此使用NISAS-HPC显着加速了可溶性聚二维(I 3 - 和I 5 - )的转化。带有NISAS-HPC/I 2阴极的结果Zn-I 2电池提供了出色的速率能力(在50 C时为121 mAh g-1)和超循环稳定性(在50 c时超过40 000个循环)。即使在11.6 mg cm -2碘以下,Zn -i 2电池仍然表现出令人印象深刻的循环稳定性,其容量保留为93.4%和141 mAh g -1,在10 c.关键字上10 000循环后,关键字:锌 - 碘化物 - 碘磁带,多二维,诸如乘坐,电气效应,电型,电动
摘要。建筑部门的脱碳需要开发提供能源效率的建筑组件,同时产生最小的环境影响。我们研究了聚合物3D打印(3DP)对于制造单材料半透明的立面组件的潜力,其性能可以根据气候结合和功能要求来定制。这些组件具有减少建筑物中能源消耗的潜力,同时,由于原料材料的可回收性,可以用最小的环境影响来制造。在这项研究中,我们探讨了成分几何形状对具有定制间结构的3DP对象的热绝缘特性的影响。使用机器人聚合物挤出机制造不同的原型,并按照热盒测试方法测量其热性能。然后使用实验结果来校准传热模拟模型,描述了通过组件的诱导,自然对流和红外辐射的关节作用。我们表明,只能通过更改内部空腔分布和尺寸来制造提供范围从1.7到1 W/m 2 K的绝缘聚合物组件。这证明了为不同气候条件和要求设计3DP热构件的可能性。这项研究提供了对聚合物3DP立面热行为的首次见解。结果表明,这种创新的制造技术有望在立面上应用,并鼓励进一步研究表演者和低体现的能源3DP建筑组件。
b" 物业的地址和法定描述 显示所有者和留置权人的所有权证明(如果有) 拟议用途的简要描述,包括以叙述形式表示的与第 7.131 节中规定的审查和评估标准相关的信息。PDF 副本通过电子邮件发送至 scollier@fbgtx.org 场地平面图应按比例绘制,并具有足够的尺寸以显示以下内容: 日期、比例、北角、标题、所有者姓名和编制场地平面图的人员姓名。 所有现有和拟议建筑物和土地改良的边界线、地役权和所需院子和后退距离的位置和尺寸。 场地上现有和拟议建筑物的位置、高度和预期用途,以及 50' 范围内毗连场地上建筑物的大致位置 现有和拟议改良的位置,包括停车和装卸区、行人和车辆通道以及公用设施或服务区。 现有和拟议围栏和屏障的位置。 第 7.940 节 拟议的外部照明,包括灯具类型。第十五条 - 室外照明 现有水道、排水设施和百年一遇洪泛区的中线。在受百年一遇洪泛区影响的场地,不透水覆盖和建筑覆盖以洪泛区外的区域为准。提供相应的计算。现有和拟建街道和小巷的位置和大小。现有和拟建停车和装卸空间的数量,以及适用的最低要求的计算。第 7.860 节分区摘要,包括类型、最小和实际地块面积、退让区、最大和实际建筑高度、建筑覆盖和不透水覆盖。坡度为 10% 或更大的场地,提供现有和拟建的地形和分级(5 英尺最小轮廓间隔)以及侵蚀控制措施。标志的位置。第 29 章需要屏蔽的固体废物容器的位置。第 7.980 节拟建和现有水、下水道和电力设施的位置。街道交叉口和车道上可见三角形的位置。消防通道景观美化,包括场地上现有树木的位置、大小和种类,所有拟建景观区域的面积,第 7.920 节适用费用注:弗雷德里克斯堡市可能需要更多信息来完成对拟建项目的审查。”