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在过去的十几年中,β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管(SBD)发展迅速,性能得到显著提高,目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16],用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明,通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11],这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之,Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟,其应用潜力有待进一步论证。

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