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新建模在TDDB外的新建模为130nm至28nm CMOS节点
TDDB仍然是超短路通道CMOS节点中的关键可靠性问题，并保证了速度性能和低消耗要求。在AC RF信号操作“外状态”过程中，从低（kHz）到非常高的频率范围（GHz）[1-2]依次以“状态”模式出现。即使“偏离状态”应力通常以比“州内”应力较小的速率降低设备，它也可能成为RF域中设备操作的限制因素，而对于逻辑应用中使用的供应电压V DD通常翻了一番。不仅设备参数漂移可能会变得很重要，而且还可以触发严重分解（BD）到Gate-Drain区域中。因此，至关重要的是要精确评估态度TDDB的可靠性，并深入了解设备级别的磨损机制，因为可以在排水管上观察到故障事件（图。1a，c）和门（图。1b，d）28nM FDSOI CMOS节点中的电流。由于影响电离的差异（ii）孔和电子的阈值能量和能屏障高度，在州或偏离状态下的热载体（HC）生成及其V GS / V DS依赖性在N通道和P通道上明显不同[3]。通过低闸门敏感性进行了的比较[4]，重点是注射的载体效率，一方面，在Onders HCD下，在N-Channel侧受到较大的损害，在N-Channel侧受到了较大的损坏，并且在较大的n-channel侧受到较大的损害，并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害，并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。的比较[4]，重点是注射的载体效率，一方面，在Onders HCD下，在N-Channel侧受到较大的损害，在N-Channel侧受到了较大的损坏，并且在较大的n-channel侧受到较大的损害，并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害，并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。这种暗示的高能量HC可能会在栅极排水区域的OFF模式下触发BD事件[5-6]与热孔效率相关[7]。
针对 130nm 至 28nm CMOS 节点的新型断态 TDDB 建模
在保证速度性能和低功耗要求的超短通道 CMOS 节点中，TDDB 仍然是一个关键的可靠性问题。在交流射频信号操作期间，“关断状态”与“导通状态”模式依次发生，从低频（kHz）到极高频范围（GHz）[1-2]。即使“关断状态”应力通常以比“导通状态”应力更小的速率降低器件性能，但它可能成为器件在射频域和毫米波应用中运行的限制因素，在毫米波应用中，电源电压 V DD 通常是逻辑应用中使用的电源电压的两倍。不仅器件参数漂移可能变得显著，而且还可能触发栅极-漏极区域的硬击穿（BD）。因此，准确评估关断状态 TDDB 的可靠性并深入了解器件级的磨损机制至关重要，因为可以在 28nm FDSOI CMOS 节点的漏极（图 1a、c）和栅极（图 1b、d）电流上观察到击穿事件。由于空穴和电子的碰撞电离 (II) 阈值能量和能垒高度不同，因此导通或关断状态下热载流子 (HC) 的产生及其 V GS / V DS 依赖性在 N 沟道和 P 沟道中明显不同[3] 。通过低栅极电压下的 HC 敏感性对 P 沟道和 N 沟道进行了比较[4]，重点关注注入载流子效率，一方面主要考虑导通状态下的热载流子退化 (HCD) 下的 P 沟道侧，另一方面考虑关断状态下的 N 沟道侧，因为热空穴注入引起的损伤和 BD 敏感性更大。这意味着高能 HC 可能在关断模式下在栅极-漏极区域触发 BD 事件[5-6]，与热空穴效率有关[7] 。
采用 130nm CMOS 技术的射频功率放大器多级电源调制器：基于比较器的方法
摘要：节能功率放大器 (PA) 可以延长电池寿命，同时又不牺牲线性度，对移动设备来说越来越重要。包络跟踪 (ET) 设计中的电源调制器会影响射频 (RF) PA 的效率提升。本文介绍了一种基于比较器的电源调制器的设计，该调制器可动态控制驱动 PA 所需的电源电压。 前置放大器被设计用于放大 RF 输入信号，包络检测器在比较器的 0 - 3.3 V 摆幅范围内跟踪放大信号。 单位比较器被设计为工作在 2.1 GHz 频率下，最小上升时间延迟为 0.2 ns，并且它被级联以用作 8 位比较器。多级电源调制器接收来自 8 位比较器的输入。这通过限制流过由比较器关闭的晶体管的电流来确定流向 PA 的电流量。因此，基于比较器的包络跟踪系统旨在设计 ET 电路并将功率附加效率提高到大约 45%。此外，ET 电路不包含电感器等笨重元件，因此预计会占用较少的芯片面积。
130nm CMOS 微型宽带单极天线，增益得到改善
摘要 本文提出了一种适用于W波段的小型化宽带单极子片上天线（AOC）。该AOC基于130nm CMOS工艺，通过顶层M6采用六边形网格、底层M1采用电容性AMC（人工磁导体）实现小型化。首先，利用电磁仿真分析了不同模式的反射相位。其次，通过采用六边形网格将带AMC的AOC轴向尺寸进一步减小16.2%（与带AMC的直单极子天线相比），并通过分析网格角度优化了阻抗。提出的小型化单极子天线在81GHz处的尺寸为367um×194.2um（0.1λ 0 ×0.052λ 0 ）。测量表明，该天线的阻抗带宽为31.5%（75-103GHz），在85GHz处峰值增益为-0.35dBi。所提出的天线具有已报道的最小尺寸，可应用于W波段FMCW雷达片上系统关键词：AMC，小型化单极天线，宽带天线，AOC分类：微波和毫米波器件，电路和模块
mil-std-130n.pdf
2.本期 MIL-STD-130 继续提供关于机器可读信息 (MRI) 实施的详细说明、深入见解和指导，用于物品识别标记和自动数据采集。MRI 为从采购到制造再到物流和最终处置的生命周期资产管理提供了宝贵的工具。但是，MRI 的使用可能并不适合或不足以满足每种物品识别需求。对于许多已识别物品的最终用户来说，仍然需要将人类可读信息 (HRI) 与 MRI 和自由文本信息物品识别标记相结合来代替 MRI。找到两种标记协议（单独或组合）的最有效用途是采购活动的首要责任。