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22FDX 低温建模
• GF_test 芯片：提交日期 11 月 21 日；芯片于 4 月 22 日收到：各种设计 • Michigan：提交日期 7 月 22 日；芯片于 11 月 22 日收到：10 GHz PLL、VCO、4 x 1GSPS ADC、SRAM • 低温离子阱控制器：提交日期 2023 年 1 月，收到日期 2023 年 5 月：16 通道离子阱控制芯片； • Si 光子驱动器/接收器；用于异常检测的 cryoAI 超快 NN；SQUIDDAC：SLUG_biasing；各种电平移位器测试结构 • Glebe：（与 Microsoft 合作）10 GSPS ADC（12 月 23 日） • Sunrock：32 通道 SNSPD（）读数，带有 ~ps 时间标记（12 月 23 日）
使用 22FDX™ FD-SOI 和 12LP+/12LP FinFET 的 AI 边缘加速器
数据爆炸式增长和实时数据分析推动了对家庭安全摄像头、可穿戴设备和智能家电等边缘设备提高性能和能效的需求。专用 AI 加速器可应对这些挑战，通过实现本地处理而不是将数据发送到云端进行分析和响应，显著加快 AI 应用（如边缘推理）的速度。
适用于全集成毫米波和雷达应用的 22FDSOI 技术
收发器。作为毫米波增强功能，介绍了诸如放宽间距、扩展器件与基板隔离、mmW 电感器等具体功能。最后，将简要讨论电路演示器，并总结 22FDX ® 平台的前景。
全耗尽硅中的抗辐射混合信号 IP 核
摘要 Global Foundries 的 22FDX 技术是一种商业化的尖端集成电路制造工艺。该工艺结合了 22 nm 的典型最小栅极长度和 FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）多层结构。这些技术特性允许自适应体偏置、超低电压供电和超低泄漏，从电路应用的角度来看，这些特性有利于节能的射频信号传输、高性能计算和强大的 MRAM（磁阻随机存取存储器）。因此，该技术非常适合克服当前用于高速和低功耗 AMS（模拟和混合信号）应用的产品解决方案。特别是，SOI 技术特性可确保免受单粒子闩锁的影响。