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玛丽安：带有ZVK矢量加密扩展的开源RISC-V处理器
RISC-V矢量加密扩展（ZVK）在2023年批准并集成到2024年的ISA主要手册中。这些表面支持在矢量寄存器文件上运行的高速对称加密（AES，SHA2，SM3，SM4），并且由于数据并行性而对标量密码扩展（ZK）提供了显着的性能改进。作为批准的扩展名，ZVK由编译器工具链提供支持，并且已经集成到流行的加密中间件（例如OpenSSL）中。我们报告了玛丽安（Marian），这是带有ZVK扩展程序的向量处理器的第一个开源硬件实现。设计基于纸浆“ ARA”矢量单元，该矢量单位本身就是流行的CVA6处理器的扩展。该实现位于SystemVerilog中，并已使用Virtex Ultrascale+ FPGA原型制作进行了测试，其计划的磁带针对22nm的过程节点。我们对矢量密码学对处理器的架构要求进行分析，以及对我们实施的绩效和面积的初步估计。
有效的腔体介导的光合作用
图1强烈和弱耦合的LH2含有微腔的表征。（a）半透明的λ/2 fabry-pérot腔的结构，该腔由两个半透明的Au镜（22nm）组成，该镜子封闭了一个包含LH2的300 nm厚PVA层； （b）裸露的LH2膜在玻璃样品上的稳态吸收光谱，该玻璃样品具有良好的B800带和B850 LH2的B850带，高（中间，低）浓度LH2膜是使用相同的自旋涂层溶液制备的，与强（中间，虚弱）相同的LH2 CAVITY样品； （c）实验测量（散射标记）和拟合（实线）含有微腔样品的高浓度LH2的角度分散曲线； （d）含有微腔样品的高浓度LH2膜的稳态传播光谱，其中含有样品的低浓度LH2显示B850频带的分裂可忽略不计，证实了弱光 - 光接相互作用。
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
探索电源电压和温度
摘要。本文深入研究了在XOR-XNOR细胞中应用的常规和非常规设计方法。这些单元在各种算术逻辑电路中起着至关重要的作用，在低压和功率水平下运行的VLSI设计中具有很大的计算能力。本文研究了与常规和非规定设计策略相关的困难。此外，它对当前文献中有关电路设计参数的不同XOR/XNOR单元进行了相对评估。这项研究的结果表明，低技术节点中碳纳米管现场效应晶体管（CNTFET）技术的采用显着降低了电路延迟，而浮动栅极金属氧化物半导体（FGMOS）技术在电路电力效率方面显示出卓越的解释。讨论还涵盖了FinFET技术在创建XOR/XNOR细胞中的利用。本文评估了这些XOR/XNOR细胞的电压和温度弹性。使用22nm技术节点的HSPICE工具进行了分析。基于FGMO的XOR/XNOR细胞表明，对电压和温度波动的弹性最高。采用非常规技术遇到的主要挑战涉及缺乏适当的仿真模型和复杂的制造过程。这些挑战特别阻碍了这些开拓性方法的进步和采用。
CMOS 小型化：现在、过去和未来
Cmos 小型化：现在、过去和未来 Siti Sarah BintiMdSallah、Habibah Mohamed、Md. Mamun、Md. Syedul Amin 马来西亚国立大学电气、电子与系统工程系，43600 UKM Bangi，雪兰莪，马来西亚。 摘要 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 的演变过程对于现代技术非常重要。22nm 以后和 7nm 的 CMOS 在设计上面临许多挑战和机遇。从缩放理论以及限制问题等方面回顾了小型化的发展，重点关注性能、功耗、经济、技术和可靠性问题。预计 2018 年将通过使用高 k 材料突破 CMOS 物理栅极长度 7nm 的尺寸限制。此外，高 k 电介质材料可以减少电流泄漏问题。在晶体管小型化的背后，光刻技术是关键的重要工艺之一。在性能、功耗、材料、经济和技术限制方面，人们正在重点讨论和探讨几个问题。关键词：7nm 栅极长度、CMOS、小型化、高 k、VLSI。引言将CMOS大规模集成电路（LSI）推进至纳米级别已成为现代人类社会集成电路（IC）领域的一个重大课题（Akter et al. 2008a, b; Reaz et al. 2007a, b; Marufuzzaman et al. 2010; Reaz et al. 2003; Reaz et al. 2005; Iwai, 2012）。如果没有集成电路的最新大规模发展，当今先进的通信和工程技术是不可想象的（Iwai, 2003; Reaz et al. 2006; Reaz and Wei 2004; Mohd-Yasin et al. 2004; Mogaki et al. 2007）。此外，日常生活、制造、商业、交通、医疗、教育等都离不开CMOS技术的支持（Iwai，2008）。因此，CMOS技术的演进过程对于半导体产业和全球经济而言都十分重要。电子电路随元件尺寸的演进如图1所示（Iwai and Ohmi，2002）。
MNEMOSYNE - 带串行接口的磁性非易失性随机存取存储器
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM，采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功，该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器，用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型：大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中，程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器，因为它与系统上电直接相关。另一方面，随着系统性能要求的提高，集成电路（IC）越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如，欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前，对于这种关键存储器，没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发（设计和原型）新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构，该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外，MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括：• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD（抗辐射设计）空间 NVM；• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM；• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核；• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM；• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD，用于缓解 TID 和 SEE；高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。