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Cmos 小型化：现在、过去和未来 Siti Sarah BintiMdSallah、Habibah Mohamed、Md. Mamun、Md. Syedul Amin 马来西亚国立大学电气、电子与系统工程系，43600 UKM Bangi，雪兰莪，马来西亚。 摘要 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 的演变过程对于现代技术非常重要。22nm 以后和 7nm 的 CMOS 在设计上面临许多挑战和机遇。从缩放理论以及限制问题等方面回顾了小型化的发展，重点关注性能、功耗、经济、技术和可靠性问题。预计 2018 年将通过使用高 k 材料突破 CMOS 物理栅极长度 7nm 的尺寸限制。此外，高 k 电介质材料可以减少电流泄漏问题。在晶体管小型化的背后，光刻技术是关键的重要工艺之一。在性能、功耗、材料、经济和技术限制方面，人们正在重点讨论和探讨几个问题。关键词：7nm 栅极长度、CMOS、小型化、高 k、VLSI。引言将CMOS大规模集成电路（LSI）推进至纳米级别已成为现代人类社会集成电路（IC）领域的一个重大课题（Akter et al. 2008a, b; Reaz et al. 2007a, b; Marufuzzaman et al. 2010; Reaz et al. 2003; Reaz et al. 2005; Iwai, 2012）。如果没有集成电路的最新大规模发展，当今先进的通信和工程技术是不可想象的（Iwai, 2003; Reaz et al. 2006; Reaz and Wei 2004; Mohd-Yasin et al. 2004; Mogaki et al. 2007）。此外，日常生活、制造、商业、交通、医疗、教育等都离不开CMOS技术的支持（Iwai，2008）。因此，CMOS技术的演进过程对于半导体产业和全球经济而言都十分重要。电子电路随元件尺寸的演进如图1所示（Iwai and Ohmi，2002）。
CMOS 小型化：现在、过去和未来
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