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第 22 章：2D 和 3D 架构的互连
1. 简介 过去 50 年来，摩尔定律为硅片的扩展和不同 IP 的同质 SoC（片上系统）集成提供了模板，推动了微电子行业的发展。展望未来，随着封装和微系统的物理、电气、热和热机械属性的变化，HI 日益成为摩尔定律的补充，可提供更完善的功能 [1, 2]。现有和新型先进封装架构是维持和促进微电子行业增长的主要推动因素 [3-13]。这些架构支持新型异构 SiP（系统级封装）配置，以实现成本性能优化的微电子系统。近年来，已发布了多款使用先进 HI 的产品，证明了该领域的重要性 [14-19]。从历史上看，同质集成封装的主要目的是为芯片提供机械保护、硅片特性的空间转换、外形尺寸缩放、低寄生功率传输、高效功率消除以及低损耗、高带宽信号传输。同质 SoC 封装创新的重点是实现硅片尺寸缩小、功耗、性能和延迟，同时最大限度地利用摩尔定律带来的性能机会。在主要关注同质集成的时期，MCP（多芯片封装）主要用于缩短上市时间和满足关键的 HI 需求（例如 DRAM 集成）。当今的行业趋势表明，对 HI 的需求日益增加，这是由于需要添加各种功能（通常使用来自多个不同供应商的硅片节点上的不同 IP 实现）、提高硅片产量弹性以及持续快速上市的需求所驱动。2D 和 3D 封装架构是理想的异构集成平台，因为它们在紧凑的外形尺寸中提供组件之间的短、节能、高带宽连接。当今的异构封装技术： 使用各种通信协议提供节能、高带宽的封装内 IO 链路 支持多种封装外 IO 协议 为单端和差分封装内和封装外信号提供噪声隔离 管理不断增长的冷却需求 支持复杂的电源传输架构 满足从高性能服务器到灵活、可穿戴电子产品的各种应用功能、外形和重量限制 满足不同细分市场和应用的广泛可靠性要求 提供经济高效、高精度和快速周转的组装，以满足快速生产需求
非线性光子晶体：从2D到3D
非线性光子晶体是具有二次非线性（χ（2））的微结构，它们已广泛用于新频率下相干光的生成和控制。由于最近使用飞秒激光脉冲的3Dχ（2） - 非线性工程技术的发明，现已在实验上是可行的。在这里，我们回顾了非线性光子晶体的最新研究进展，尤其集中在3D结构的制造，表征和应用上。我们还讨论了3D非线性光子晶体的未来发展，其性质和功能是很难或几乎无法通过较低的尺寸结构实现的。©2021美国光学协会根据OSA开放访问出版协议的条款
控制二维金属电容的物理特性......
事实上，不同批次的材料物理性质可能会有显著差异，因为普通实验室环境不像工业或大规模环境那样受控；造成批次间差异的传统原因是使用并非专用于某一工艺的玻璃器皿、由于处理和不同供应商而导致的试剂和溶剂差异，甚至是特定实验室内不同季节或不同房间的温度和湿度差异。由于这些考虑，确定应优化哪些参数以获得理想的设备性能并不总是那么容易。为了阐明这个问题，我们在一个实验室中合成了几批次的 Ni3(HITP)2，尽可能使用相同的起始材料和溶剂，并将它们用作 KOH 水性电解质中的超级电容器电极。目标是辨别 MOF 批次的物理性质对设备性能的影响。Ni3(HITP)2 的特点是具有强烈的各向异性结构。配体由芳香族三苯单元组成，这些单元表现出很强的电子离域性，通过亚胺键（更准确地说是亚氨基半醌）与镍中心结合。配体和方平面 Ni 2+ 离子形成石墨烯状二维薄片，其堆叠形成直径约为 1.6 nm 的管状圆柱形通道。合成了三批 Ni 3 (HITP) 2 MOF，这里用 HITP_A、HITP_B 和 HITP_C 表示。它们是以之前发表的方法 8 作为合成条件的起点来制备的，然后根据 ESI 中的描述略有变化，† 产生了相同类型的 MOF 材料，但物理性质差异很大，如表 1 所示。三个样品的电导率分别跨越两个数量级，从 2·10·4 S cm 1 到 4·10·2 S cm 1 （对于 HITP_A 和 HITP_C）。通过拟合在 77 K 下测得的 N 2 吸附等温线确定的 BET 表面积相差三倍，从 260 m 2 g 1 到 825 m 2
超冷费米子的二维厄米趋肤效应
该模型的厄米性保证了具有实特征值的能量守恒，但当量子系统与其环境交换粒子和能量时，该模型的厄米性就会失效。这种开放的量子系统可以用非厄米哈密顿量有效地描述，为量子信息处理、弯曲空间、非平凡拓扑相甚至黑洞提供了重要的见解。然而，许多关于非厄米量子动力学的问题仍未得到解答，尤其是在高维空间中。
第二届二维和三维高级量子现象研讨会
姜黄素 (CCMoids) 是一种高效的分子平台，合成过程相对简单，可根据最终用途容纳各种功能单元。尽管 CCMoids 主要用于生物医学应用，但人们对其在纳米科学和纳米技术的其他领域的应用越来越感兴趣。我的团队的工作重点是创造具有发光、配位和/或电子特性的新型 CCMoids，特别关注控制它们在表面和/或设备上的沉积，以便随后应用。因此，CCMoids 的合成使我们将其用作连接体并获得高维材料（1D-3D），并创建纳米线系统，我们的分子允许电子在石墨烯基设备中通过。对于它们的纳米结构，我们探索了不同的溶解、软沉积或升华技术，从而获得与不同基质共价或超分子结合的 CCMoids。这导致了功能化表面、薄膜、晶体和聚集体的产生，除此以外，我们还构建了 BF3 传感表面以及用于电气特性的混合 FET 型设备。本次演讲旨在总结我们与这些主题相关的最新成果并提供未来展望。
与2D材料的DNA相互作用的无标签成像
（未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。此预印本版的版权持有人于2023年7月5日发布。 https://doi.org/10.1101/2023.07.05.547763 doi：Biorxiv Preprint
2D材料中的量子发射器 - UTS的作品
量子发射器已成为基本科学和新兴技术的重要工具。近年来，12 eld的重点已转移到探索和识别新的量子系统，该系统由原子上薄的二维材料的新兴库启用。在这篇综述中，我们强调了2D系统中量子发射器工程技术的当前状态，重点是过渡金属二烷核化合物（TMDCS）和六角形氮化物。我们首先要回顾TMDC的进度，重点是发射机工程，调整其光谱特性以及观察层间激子的能力。然后，我们讨论HBN中的发射器，并专注于发射器的起源，工程和新兴现象 - 跨越超分辨率成像和光学自旋读数。我们通过讨论在具有等离子和介电光子腔的2D宿主中整合发射器的实践进步，并由量子光 - 形式相互作用支撑。我们结束了实践芯片量子光子应用的途径，并在这项研究中强调了挑战和机遇。
2D材料平台，用于克服振幅相...
紧凑型和高速电光调节器在各种大规模应用中起着至关重要的作用，包括光学计算，量子和神经网络以及光通信链路。常规的电折射量器调节剂Suchassilicon（SI），III-VandGrapaPheneSissufferFromaFundAmentalTradeOffbetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetBetbetBetBetBetBetBetBetBetBetbetBetBetBetBetBetWeendevicElength和光损失限制了他们的缩放功能。高插条环谐振器被用作合并强度调节器，但是由于与相移相关的高插入损失，它们对相位调制的使用受到限制。在这里，我们表明，高核谐振器可以通过同时调制折射率的真实和虚构部分，从而在相同的程度上，即1 N
Zn2+介导的2D组件的Moiré超级晶格...
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-tvsb6 orcid：https：//orcid.org/0000-0002-1058-8288 Chemrxiv不同行评论的内容。许可证：CC BY-NC-ND 4.0