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补充材料的机器学习潜力...
4×4×3 rristine aln surercell（92个原子）。用于计算谐波和非谐波和非谐的原子体间力常数（IFCS），使用有限的disralacement方法确定了谐波IFCS .ERE，并使用anharmonic IFC进行四分方的IFC，并使用四分之一的IFC进行了动力。使用自动一致的Rhonon（SCSH）理论[3]所有allo.ed互动。 Å，第7 -8次最近的邻居）DFT计算设置和用于损失的NN。与主文本中描述的那些相同
隐藏的马尔可夫模型适合文本生成
关键字：Gan，Mishemt，MBE，MMIC，AL 2 O 3，可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延（MBE）开发了gan的状态。相对于MOCVD（〜1000 o C）的分子束外延（MBE）的较低生长温度（〜750 o C）导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来，以使最有效的高功率（> 4 w/mm）在高频（≥10GHz）上进行操作，这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变，这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反，这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外，低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失（对于SI上的GAN），最高为35 GHz，可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是，在100mm高电阻（> 1,000 ohm-cm）上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时，记录了创纪录的低微波损失（> 1,000 OHM-CM）<111> Si，可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺（±0.8％），迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容，IDSS，IMAX和V t与为了减少门泄漏，雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏，而不会影响关键的RF设备特性（例如FT，FMAX，POWER和PAE），使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。
STP484-EB/1970 年 1 月讨论 - ASTM International
65 • 10 -4，其中考虑了背景的斜率，这是根据 PII 峰的形状估计的。该值比 Wagenblast 和 Swarts 的值大约大 50 倍。这个高峰值表明亚稳态氮化物或薄 AlN 沉淀物的分辨率远高于 Wagenblast 和 Swarts 显示的 Fe-0.2C 中亚稳态碳化物的分辨率。但是，它并没有表明氮空位情况下的单位缺陷松弛强度比碳空位情况下的单位缺陷松弛强度高 50 倍。
煤油供给对氮化铝微细电火花加工性能的影响
摘要 随着人们对高性能陶瓷氮化铝 (AlN) 的兴趣迅速增加，许多研究人员研究了对其进行加工的可能性。由于 AlN 被归类为难切削材料，使用辅助电极的电火花加工 (EDM) 工艺正在成为一种有效的加工方法。煤油作为介电流体，在工件表面形成连续的导电碳层以诱导和维持放电方面起着重要作用。大多数以前的方法使用管状电极将介电流体稳定地输送通过其中心孔。然而，在微细电火花加工的情况下，非常小的电极直径使得难以在电极上制造通孔，并且非常窄的间隙会阻止介电流体的流动。为了克服微细电火花加工中介质液流动问题，本研究介绍了两种促进流动的方法：一是采用D形固体电极获得较宽的非对称流道，二是采用O形固体电极加石墨粉混合煤油（GPMK）在相对较宽的放电间隙下流动。流动模拟结果表明两种方法均能促进煤油流动，实验结果也显示出类似的结果。当采用D形截面时，材料去除率增加，但刀具磨损增加。与传统方法相比，对于GPMK，金属去除率提高了64％，相对磨损率降低了73％。通过电压调度，在不牺牲可加工性的前提下，解决了采用O形固体电极GPMK配置进行深孔钻削时出现的精度下降问题。
BC MSC.CDR
1。I. Tsiapkinis，IKZ柏林，带开源软件的浮动区域过程的多物理模拟2。C. Rhode，Ikz Berlin，用于应变工程功能氧化物层的己酸盐底层晶体的生长和研究3.F. Kannemann，Ikz Berlin，熔融4的有机晶体生长的实验研究。N. sahsuvar，Uni Freiburg，全无机CS 2 Agbibr的合成和表征6双钙钛矿单晶用于辐射检测器应用5。C. Hartmann，Ikz Berlin，散装ALN晶体的生长具有有效的直径和表征25 mm Aln底物的表征6。L. Grieger，Freiberg Instruments，使用表面光伏特光谱研究7.R. Karhu，IISB Erlangen，4H-SIC A-Plane底物上的同性恋8。P. Wimmer，IISB Erlangen，4H-SIC底物中残留应力的光弹性测量用于评估晶体生长过程9.M. Zenk，IISB Erlangen，对气体组成和流速的影响以及动力学参数对Gan Boules HVPE生长期间生长速率的影响。V. Zimmermann，MPI Stuttgart，Prnio的高压光浮动带3单晶11。A.Böhmer，Uni Bochum，单晶的生长和跨金属化合物的表征，作为学士学位和硕士学生的高级实验室课程12.J. Strahl，Uni Frankfurt，Eumn 2 x 2，x = Si，ge 13。F. Walther，M。Ocker，Uni Frankfurt，材料的晶体生长接近关键端点和Altermagnets 14。S.
新兴材料和设计原理Wurtzite型铁电
，除非探索非传统计算体系结构和创新的存储解决方案，否则计算和数据存储的能源需求将继续呈指数增长。低能计算，包括内存架构，具有解决这些能力和环境挑战的潜力，尤其是四面体（Wurtzite-type）铁电挑战是绩效和与现有半导体过程集成的有希望的选择。Al 1-X sc X n合金是表现为铁电转换的少数四面体材料之一，但是切换极化所需的电场，即，强制性场E C在MV/CM的顺序上，该顺序是MV/CM的顺序，该顺序比传统的传统氧化物氧化物蛋白酶蛋白酶蛋白酶高度高约1-2个数量级。我们不是进一步的工程AL 1 -x SC X N和相关的合金，而是探索计算识别的替代途径，其开关屏障的新材料低于ALN，但仍具有足够高的内在分解场。超越了二进制化合物，我们探索了具有Wurtzite型结构的多元化合物的搜索空间。通过这次大规模搜索，我们确定了四个有希望的三元氮化物和氧化物，包括Mg 2 Pn 3，Mgsin 2，Li 2 Sio 3和Li 2 Geo 3，以实现实验实现和工程。在> 90％的被考虑的多元材料中，我们确定了独特的开关途径和非极性结构，这些结构与基于ALN的Maverials中通常假定的开关机制不同。我们的结果反驳了现有的设计原理，基于降低Wurtzite C/A晶格参数比率，同时支持两个新兴设计原理 - 离子性和键强度。
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
检查报告Pengelli小学2025 -Estyn
彭格里小学的领导者已经建立了一个包容性的环境，学生感到有价值和倾听。所有员工都有愿景，以确保学生发展信心，韧性和有效的沟通能力。他们有效地支持和改善学生的福祉，并对学生的行为抱有很高的期望。结果，几乎所有学生都欢迎，关怀和尊重。大多数学生都很好地参与了他们的学习经历，并享受了影响学校更广泛生活的机会。许多学生，包括那些有额外学习需求的学生（ALN），发展有效的领导能力，并负责改善学校工作的各个方面。生态群体中的学生，挑选垃圾，种植树木并实现建造踏板车庇护所的目的。