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w波段的低噪声放大器用于空间应用
Spectrum Control Emeia与英国航天局合作，能够为欧洲航天局（ESA）提供一种独特的解决方案，该解决方案利用GMIC（玻璃微波集成电路）作为一种促成技术，并建立了工业合作伙伴关系，以提供MMIC解决方案和州的现状测试和测量能力。正在进行开发的解决方案是用于空间应用的W波段，双冗余的低噪声放大器，包括未来的高频数据通信，并在5G/6G和W波段雷达中脱离了应用。
用操作放大器向HEV/EV的未来充电
监视每个单独的逆变器腿使用低侧电流传感拓扑，而无需隔离放大器就可以完成，因为每条腿的共同模式电压接近零。有三种方法可以实现低端电流感应。一，二或三转的拓扑。虽然单次测量技术趋向于更高的带宽要求，但三转解决方案要求较低的速度，通用物质放大器（例如TLV9061-Q1），因为您能够单独监视每条腿。在OBC系统中准确的电流传感的一项重要要求是确保定居时间尽可能短，这就是为什么建议将TLV9061-Q1（10 MHz Unity增益宽宽放大器（1 µs沉降时间））以使该应用程序快速响应电流的变化。
72/136/272 移动脑电图放大器 NeoRec
NVX 是直流放大器，具有 24、32 或 48 个单极 EEG 通道和 4 个用于 NeoSens 传感器的辅助双极通道。该设备用于培训系统、临床和科学研究，作为基于计算机的研究系统的一部分，用于短期记录电生理信号，主要是 EEG。通道数量和辅助通道的存在取决于型号。
BTI 老化现象对模拟放大器影响的研究
摘要 CMOS 技术的扩展允许设计更复杂的系统，但同时也带来了一些可靠性问题。特别是，大幅扩展的微电子技术受到偏置温度不稳定性 (BTI) 老化现象的影响，这种现象导致晶体管阈值电压的绝对值随老化时间增加，从而降低微电子电路的可靠性。在本文中，我们估计了 BTI 对开环配置的运算放大器 (OPAMP) 以及基于 OPAMP 的三个卓越模拟放大器的性能下降。结果表明，BTI 会严重影响所研究电路的性能，并且这种性能下降会随着工作温度的升高而恶化。我们还简要介绍了一种可能的低成本监控方案，用于检测由 BTI 引起的 OPAMP 性能下降。我们的监控器的有效性已通过布局前电气模拟得到验证，结果表明它可以可靠地用于评估 OPAMP 的老化性能下降。
微波频率半导体放大器和振荡器的数据表
本微波频率半导体放大器和振荡器数据表格由美国国家标准局电子器件数据服务处编制。该服务处成立于 1948 年，旨在向该局工作人员提供电子管技术数据，后来服务范围扩大到政府和工业界的其他科学家和工程师。在此项目实施过程中，大量有关电子管和半导体器件的信息被积累在穿孔卡片上。为了使这些信息更容易获得，设计了一个系统，能自动将数据制成手册。目前的表格包括《微波管数据表格》，NBS 手册 104（1967 年）；《接收管数据表格》，NBS 手册 103（1967 年）；《东欧电子器件数据表格》，NBS 报告 9925（1968 年）；以及《截至 1967 年 10 月苏联电子设备已出版数据汇总》，NBS 技术说明 441，目前正在更新。
具有主动门终止的分布式放大器的分析和设计
分布式放大器用于覆盖宽带宽度，例如用于测量应用。在常规拓扑中，终止电阻（Z0）有助于电路的整体噪声图。已经表明，如果栅极终端被活动电路替换，则可以改善噪声图。论文的目标是了解主动门终止电路的工作原理以及其权衡和局限性是什么。
AN1306：避免轨对轨 CMOS 放大器不稳定
电感器是一种具有频率相关阻抗特性的电气元件；电感器在低频时表现出低阻抗，在高频时表现出高阻抗。虽然“理想”运算放大器输出阻抗特性为零，但“实际”放大器的输出阻抗是电感性的，并且像电感器一样随着频率的增加而增加。EL5157 的输出阻抗如图 2 所示。使用运算放大器的应用中的一个常见挑战是驱动电容负载。之所以有挑战性，是因为运算放大器的电感输出与电容负载一起形成 LC 谐振槽拓扑，其中电容负载电抗与电感驱动阻抗一起导致当反馈围绕环路闭合时产生额外的相位滞后。降低相位裕度会导致放大器振荡的可能性。振荡时，放大器会变得非常热，并且可能会自毁。针对这一挑战，有几个非常著名的解决方案。1) 最简单的解决方案是在输出端串联一个电阻，以强制反馈来自放大器的直接输出，同时隔离无功负载。这种方法的代价是牺牲负载上少量的输出电压摆幅。2) 另一个直接的解决方案是应用“缓冲网络”。缓冲网络是一个与电容负载并联的电阻和电容，在负载上提供电阻阻抗以减少输出相移；提供额外的稳定性。
通过 ACM 模型实现低功耗 CMOS 差分放大器
摘要 — 统计技术经常用于预测电子系统的性能。工艺变化考虑了制造时材料参数的不确定性，会对模拟集成电路的产量产生不利影响。对由于制造参数变化而导致的模拟电路关键输出参数变化进行统计分析，以预测产量，是模拟芯片制造中必不可少的步骤。在这项工作中，我们使用严格的统计方法来检查典型模拟电路的性能。我们设计了一个 65 nm 技术的两级 CMOS 差分放大器配置，使用 ACM 模型参数来检查工艺变化下的产量。我们采用三种不同的蒙特卡罗模型（均匀、高斯、最坏情况）来检查设计的 CMOS 差分放大器关键性能参数的统计变化。据报道，在典型工艺参数变化 10% 的情况下，关键差分放大器参数、最大增益、增益裕度和相位裕度都会发生变化。在最坏情况分布的情况下，变化最大，而在高斯分布的情况下，变化最小。结果表明，工艺变异对设计的CMOS差分放大器的成品率有显著影响。在高斯分布的情况下，增益裕度（dB）、相位裕度（度）和最大增益（dB）的标准差分别为11、25和24。
在特殊点工作的光放大器中量子噪声的非普适性
1 密歇根理工大学物理系，美国密歇根州霍顿 49931 2 密歇根理工大学 Henes 量子现象中心，美国密歇根州霍顿 49931 3 宾夕法尼亚州立大学工程科学与力学系和材料研究所，美国宾夕法尼亚州大学公园 16802 4 马克斯普朗克复杂系统物理研究所，Nöthnitzer Strasse 38，01187 德累斯顿，德国 5 柏林自由大学达勒姆复杂量子系统和物理专业中心，14195 柏林，德国 6 卡尔斯鲁厄理工学院凝聚态理论研究所，76131 卡尔斯鲁厄，德国 7 卡尔斯鲁厄理工学院量子材料与技术研究所，76344 埃根施泰因-利奥波德港，德国