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BFG540/XR NPN 9 GHz 宽带晶体管
NPN 硅平面外延晶体管，适用于 GHz 范围内的宽带应用，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1、CT2、DECT 等）、雷达探测器、卫星电视调谐器 (SATV)、MATV/CATV 放大器和光纤系统中的中继放大器。
ELEC 3509：电子学 II 2024 年秋季
日历描述：半导体器件和集成电路简介。双极结型晶体管的直流、交流和开关特性。线性放大器；带宽考虑；双端口分析。大信号放大器；功率放大器；无变压器电路。反馈和运算放大器；增益、灵敏度、失真和稳定性。滤波器设计。振荡器。在本课程中，学生将学习电子电路的分析和设计。将讨论分立电路和集成电路。本课程以涵盖基本电路和信号分析（在 ELEC 2501 中介绍）以及基本电子设备和电路（如二极管、双极结型晶体管、MOSFET 和放大器/整流器/调节器电路（在 ELEC 2507 中介绍））的概念为基础。在本课程中，单晶体管电路将扩展到由双极结型晶体管组成的多晶体管电路。将研究各种单晶体管和双晶体管放大器电路的设计，然后探索运算放大器。最后将看到一些运算放大器应用，例如滤波器和振荡器的设计。
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
RF 微波和毫米波产品选择指南
本版新增内容 5 低噪声放大器 5 低相位噪声放大器 5 宽带分布式放大器 5 线性放大器和功率放大器 5 GaN 功率放大器 5 数字步进衰减器 5 I/Q 下变频器/接收器 5 I/Q 上变频器/下变频器/收发器 6 集成 LO 的 I/Q 解调器 6 V 波段发射器/接收器 6 集成 VCO 的整数 N PLL 6 模拟可调低通/带通滤波器 6 数字可调滤波器 6 SPDT 开关 7 SP3T、SP4T、SP6T、SP8T 开关 7 波束形成器 7 高速模数转换器 >20 MSPS 7 高速数模转换器 ≥30 MSPS 7 时钟发生器和同步器 7 5G 毫米波网络无线解决方案和 Massive MIMO 解决方案 7 业界最完整的 24 GHz 至 29.5 GHz MMW 5G 网络无线解决方案 8 业界最完整的 37 GHz 至 43.5 GHz MMW 5G 网络无线解决方案 9 Massive MIMO（M-MIMO）：5G 速度竞赛的快速通道 10
RF 微波和毫米波产品选择指南
低噪声放大器 5 低相位噪声放大器 5 宽带分布式放大器 5 线性放大器和功率放大器 5 GaN 功率放大器 5 数字步进衰减器 5 I/Q 下变频器/接收器 5 I/Q 上变频器/下变频器/收发器 6 集成 LO 的 I/Q 解调器 6 V 波段发射器/接收器 6 集成 VCO 的整数 N PLL 6 模拟可调低通/带通滤波器 6 数字可调滤波器 6 SPDT 开关 7 SP3T、SP4T、SP6T、SP8T 开关 7 波束形成器 7 高速模数转换器 >20 MSPS 7 高速数模转换器 ≥30 MSPS 7 时钟发生器和同步器 7 5G 毫米波网络无线电解决方案和大规模 MIMO 解决方案7 业界最完整的24 GHz 至 29.5 GHz MMW 5G 网络无线解决方案 8 业界最完整的37 GHz 至 43.5 GHz MMW 5G 网络无线解决方案 9 大规模 MIMO (M-MIMO)：5G 速度竞赛的快车道 10
课程编号和名称 ECE 372 - 电子电路 II
课程编号和名称 ECE 372 - 电子电路 II 学分、学时 3 学分，3 学时 讲师或协调员姓名 Mohammed Feknous 教学材料 RC Jaeger – TN Blalock，微电子电路设计，ISBN 978-0-07-338045-2（正文） 参考书：Sergio Franco，使用运算放大器和模拟集成电路进行设计，ISBN 0-07- 232084-2 具体课程信息 课程内容简要说明（目录说明） FET 和 BJT 小信号放大器的原理：六种不同单级配置的 Q 点设计、输入和输出阻抗、增益和信号范围限制。 模拟集成电路的设计，包括电流源、差分放大器、噪声源、有源负载和 CMOS 电路。 晶体管高频模型、米勒效应和多级放大器的频率响应。 多级放大器的反馈和二端口网络理论。先决条件：ECE 232、ECE 271 共同要求：无 课程的教育目标（例如，学生将能够解释某一特定主题的当前研究的意义。） 学生将能够 1. 分析并获得涉及 BJT 和 MOSFET 的最流行的单级配置的相关特性 2. 学习设计这些单级放大器，选择适合更复杂电路规格的适当配置。 3. 评估电容器（低频下的耦合和旁路电容器，以及影响高频响应的内部电容）对这些放大器频率响应的影响。 4. 分析和设计差分对，并了解这种配置不仅在简单放大器的情况下的重要性，而且作为运算放大器设计中的基本模块的重要性。 5. 确定多级放大器、电流源、有源负载和构成运算放大器主干的模块的特性。 6. 理解和评估反馈对放大器特性的影响。 7. 研究和设计基于比较器的电路，包括施密特触发器、正弦波发生器和计时器。8. 对设计进行逆向工程，根据不同的规格重新配置，并向同行展示。
柔性神经植入物的末端放大电路
直接在记录部位放大、转换和处理神经过程的微小离子电位波动的能力对于提高神经植入物的性能至关重要。有机前端模拟电子器件是此应用的理想选择，由于其具有类似组织的机械特性，因此可以实现微创放大器。在这里，我们通过配对耗尽型和增强型 p 型和 n 型有机电化学晶体管 (OECT) 来展示完全有机互补电路。通过精确的几何调整和垂直设备架构，我们实现了重叠的输出特性并将它们集成到具有单个神经元尺寸（20 微米）的放大器中。具有 p 和 n-OECT 组合的放大器可实现电压对电压放大，增益为 > 30 分贝。我们还利用具有匹配特性的耗尽型和增强型 p-OECT 来展示具有高共模抑制率（> 60 分贝）的差分记录能力。将基于 OECT 的前端放大器集成到灵活的柄部外形中，可以实现小鼠皮层中单神经元的记录并进行现场过滤和放大。