课程编号和名称 ECE 372 - 电子电路 II 学分、学时 3 学分,3 学时 讲师或协调员姓名 Mohammed Feknous 教学材料 RC Jaeger – TN Blalock,微电子电路设计,ISBN 978-0-07-338045-2(正文) 参考书:Sergio Franco,使用运算放大器和模拟集成电路进行设计,ISBN 0-07- 232084-2 具体课程信息 课程内容简要说明(目录说明) FET 和 BJT 小信号放大器的原理:六种不同单级配置的 Q 点设计、输入和输出阻抗、增益和信号范围限制。 模拟集成电路的设计,包括电流源、差分放大器、噪声源、有源负载和 CMOS 电路。 晶体管高频模型、米勒效应和多级放大器的频率响应。 多级放大器的反馈和二端口网络理论。先决条件:ECE 232、ECE 271 共同要求:无 课程的教育目标(例如,学生将能够解释某一特定主题的当前研究的意义。) 学生将能够 1. 分析并获得涉及 BJT 和 MOSFET 的最流行的单级配置的相关特性 2. 学习设计这些单级放大器,选择适合更复杂电路规格的适当配置。 3. 评估电容器(低频下的耦合和旁路电容器,以及影响高频响应的内部电容)对这些放大器频率响应的影响。 4. 分析和设计差分对,并了解这种配置不仅在简单放大器的情况下的重要性,而且作为运算放大器设计中的基本模块的重要性。 5. 确定多级放大器、电流源、有源负载和构成运算放大器主干的模块的特性。 6. 理解和评估反馈对放大器特性的影响。 7. 研究和设计基于比较器的电路,包括施密特触发器、正弦波发生器和计时器。8. 对设计进行逆向工程,根据不同的规格重新配置,并向同行展示。
主要关键词