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World File Search SystemARPES
使用高谐波极端紫外线辐射
在四维（4D）Energy-Momentum空间的部分中提供电子结构的多维图像。6个带结构和费米表面，也可以直接访问动量依赖性带重归其化和寿命效应。7–10另一个有趣的应用是轨道层析成像，它可以在实心表面上提供重建的分子轨道的真实空间断层图。11,12取决于将射击角度或表面平行动量成分成像到检测器上，该技术分别称为ARPES或动量显微镜。在此能量 - 巨型成像中，光子能量至少在三种不同的方式中是一个重要参数。首先，Photon能量确定最大可检测的电子动能，3D动量，因此，探测的体积
机器学习拓扑光谱指标
拓扑材料的特点是具有拓扑非平凡的电子能带结构，从而获得了出色的传输特性。[1–6] 将这些奇异相开发成有用的应用的前景吸引了广泛的努力来识别和分类候选拓扑材料，证据是出现了许多基于电子能带连通性、[7–13] 基于对称性的指标、[7,14–21] 电子填充约束、[7,22,23] 和自旋轨道溢出的理论框架。[24–26] 这些框架有助于预测 8000 多个拓扑非平凡相，[27–34] 这是一片广阔的未开发实验领域。这为开发用于高通量筛选候选材料的互补实验技术提供了强大的动力。当前最先进的技术，如角分辨光发射光谱 (ARPES)、扫描隧道显微镜 (STM) 和
Nafeas，生命，FESE和FESE和
摘要：已经提出了许多基于铁的超导体的理论模型，但是通常缺少基于模型的TC计算。We have chosen two models of iron-based superconductors in the literature and then compute the Tc values accordingly: Recently two models have been announced which suggest that superconducting electron concentration involved in the pairing mechanism of iron-based superconductors may have been underestimated, and that the antiferromagnetism and the induced xy potential may even have a dramatic amplification effect on electron-phonon coupling.我们使用散装FESE，生命值和Nafeas数据根据这些模型来计算TC，并测试合并模型是否可以预测纳米结构的FESE单层的超导过渡温度（T C）。为了证实文献中最近宣布的XY电位，我们创建了一个两通道模型，将电子的动力学分别叠加到上下四面体平面。我们的两通道模型的结果支持文献数据。虽然科学家仍在寻找可以描述所有基于铁的超导体的配对机制的通用DFT功能，但我们基于ARPES数据，以提出DFT功能的经验组合，以修改在超导状态中电子 - phonon散射矩阵的经验组合，以确保所有基于铁基于铁的超级超级超级超级电体的超级导向，均在计算中均包含了Inccumcation inccumigation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concutivection in Concutivection中。关键字：基于铁的超导性我们的计算模型考虑了抗磁磁性的这种放大效果以及对电子散射矩阵的校正以及分层结构的异常软平面晶格振动，这使我们能够计算出对压力的合理性，从而可以计算出对寿命，NAFEAS和FESE的理论值得良好的实验。更重要的是，通过考虑FESE单层与其SRTIO 3底物之间的界面效应，作为附加的增益因子，我们计算出的T C值高达91 K高，并提供了证据，证据表明，在T c范围内，最近在此类单层中观察到的强t c值可以从ARPES范围内的电子中造成100 k的贡献。
分子级诱导电荷转移在C60 ...
摘要：我们在拓扑绝缘子（TI）BI 4 TE 3上合成和光谱研究了单层C 60。此C 60 /BI 4 TE 3异质结构的特征是在BI 4 TE 3的A（9×9）细胞（9×9）细胞上的小说（4×4）C 60上层结构中出色的翻译顺序。C 60 /BI 4 TE 3的角度分辨光发射光谱（ARPE）表明，ML C 60在室温下接受Ti的电子，但在低温下没有电荷转移。通过拉曼光谱，光致发光（PL）和C 60 /BI 4 TE 3的计算进一步研究了这种依赖温度的掺杂。在低温下，拉曼光谱和PL显示C 60相关信号的强度急剧增加，这表明过渡到旋转有序状态。计算解释了C 60吸附到BI 4 TE 3表面缺陷的电荷转移。电荷转移的温度依赖性归因于C 60的方向顺序。由于旋转运动的冻结，C 60的电子亲和力在低温下增加。关键字：拓扑绝缘子，富勒烯，角度分辨光发射，拉曼，光致发光
观察室温金属反铁磁铁CRSB中的自旋分裂
最近，在理论上提出并实现了电子状态的自旋分裂（SS）的非常规的抗铁磁铁，其中包含指向不同方向的矩矩的磁性sublattics通过一组新型的符号来连接。这样的SS是实质性的，依赖性的，并且与自旋 - 轨道耦合（SOC）强度无关，使这些磁铁有望用于抗磁性旋转旋转。在此结合了角度分辨光发射光谱（ARPE）和密度功能理论（DFT）计算，这是一项对CRSB的系统研究，是一种金属旋转式抗速率抗fiferromagnet候选，具有Néel温度T n = 703 K。数据揭示了沿平面外和平面动量方向的CRSB的电子结构，从而使各向异性K依赖性SS与计算结果非常吻合。在非对称动量点下，此类SS的大小至少达到至少0.8 eV，这显着高于最大的已知SOC诱导的SS。这种化合物扩大了抗磁性旋转型材料的材料的选择，并且很可能会刺激随后对在室温下起作用的高效率旋转器件的研究。
发现具有较大固有非线性霍尔效应的磁性狄拉克系统
摘要：表现出拓扑迪拉克费米的磁性材料引起了极大的关注。在这些系统中，自旋 - 轨道耦合和磁性的综合效应可以实现具有异国情调传输特性的新型拓扑相，包括异常的霍尔效应和磁性 - 手工学现象。在此，我们报告了TaCote 2中拓扑迪拉克抗铁磁性的实验签名，这是通过角度分辨的光学光谱和第一原理密度函数理论计算的实验签名。特别是，我们发现在费米水平上存在自旋 - 轨道耦合诱导的间隙，这与大型内在非线性霍尔电导率的表现一致。值得注意的是，我们发现后者对NE vector的方向极为敏感，这表明Tacote 2是实现具有前所未有的内在可调性水平的非挥发性自旋装置的合适候选者。关键字：非线性霍尔效应，狄拉克防fiferromagnet，拓扑，旋转 - 轨道耦合，arpes
北京大学量子材料科学中心
探索奇异的电子订单及其潜在的驱动力仍然是量子材料领域的中心追求。在这种情况下，Kagome Lattice是一个转角共享的三角网络，已成为探索非常规相关和拓扑量子状态的多功能平台。Due to the unique correlation effects and frustrated lattice geometry inherent to kagome lattices, several families of kagome metals have been found to display a variety of exotic electronic instabilities and nontrivial topologies, including unconventional superconductivity, charge density wave orders, and electronic nematicity, reminiscent of the complex competing orders observed in high-temperature superconductors.在此背景下，Kagome Systems提供了一个出色的量子操场，可深入研究非常规电子不稳定性的起源。在这次演讲中，我将介绍我们最近的工作，重点介绍了两个著名的kagome超导体：V 3 SB 5（a = k，rb，cs）中的非常规CDW，以及在Ti 3 Bi 5中观察到的电子nematicities。尤其是从源自角度分辨光发射光谱（ARPES）的见解中绘制的，我将突出这些系统的独特特征，阐明它们有趣的电子行为并阐明其潜在机制。
在...
在二维电子系统（2DE）中发现了这种丰富行为的显着示例，该系统在带绝缘子3（LAO）和SRTIO 3（STO）之间形成的界面形成。[3]在基于氧化物的2DE中观察到了许多有趣的物理现象，包括超导性，[4]一种有趣的磁反应，[5,6]和非常规的RashBA效应。[7–9]基于该系统的不同设备已被证明，首先通过编写原子力显微镜的尖端编写结构来避免与氧化物的光刻图案相关的固有困难。[10]虽然最终克服了这些，并且证明了具有电子束光刻术的电场效应的有效制造[11] [11]在LAO/STO中实现高迁移率2DE所需的高增长温度仍需为设备制造带来挑战。[12]可以通过在室温下沉积Al层来形成2DE的演示，已经为在设备中实现基于STO的2DS的新观点开辟了新的观点。[13]最近观察到基于Al/sto 2DES的设备中非常大的旋转转换效应，突出了该系统对氧化物电子产品的潜力。[14]同样的工作还表明，2DES的Complex频段结构对于其属性和设备性能至关重要。现在，在最常见的晶体学方向上，通过角度分辨光学光谱（ARPE）对Sto裸露面的2DE的电子结构已经进行了很好的研究。[15–20]该2DE是通过引入氧气空位来形成的，这些空位是通过在UHV条件下用高能量光子的辐照在裸露表面产生的。[21]相同的机制允许在其他氧化物（如KTAO 3，SNO 2和TIO 2）中稳定表面2DES [22-26]，并且与Ar Ion bombard bombard的金属STO表面层不同。[27,28]铝在UHV裸露表面上的铝沉积以类似的方式产生了2DE。在这种情况下，由于有效的氧化还原反应而产生了氧空位，而Al膜从底物中泵入氧气，而氧气则将其氧化为绝缘Alo X。[13]，由于诱导此Al/sto 2DE仅需要很少的Al，因此表面敏感的ARPES测量也可以访问。正如预期的那样，通过两种方法获得的2DE的电子结构相似，因为两个系统都出现了氧气空位
![arXiv:2307.10146v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2023 年 7 月 19 日](/simg/2\254a3ecbd023a50405df310417a74382489ceb01.webp)
arXiv:2307.10146v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2023 年 7 月 19 日
交替磁性影响电子态，从而允许非相对论自旋分裂的存在。由于交替磁性自旋分裂存在于 3D 布里渊区的特定 k 路径上，我们预计交替磁性表面态将存在于特定的表面取向上。我们揭示了交替磁性表面态的性质，考虑了三个代表性空间群：四方、正交和六方。我们计算了 3D 布里渊区的 2D 投影布里渊区。我们研究了表面及其各自的 2D 布里渊区，确定了具有相反符号的自旋分裂合并消除了交替磁性的位置以及哪些表面上保留了交替磁性。观察三个主要表面取向，我们发现在几种情况下，两个表面对交替磁性视而不见，而交替磁性在一个表面取向上仍然存在。哪个表面保留了交替磁性还取决于磁序。我们定性地表明，与盲表面正交的电场可以激活交替磁性。我们的结果预测了哪些表面需要分裂以保留表面或界面中的交替磁性，这为通过自旋分辨的 ARPES 观察薄膜中的非相对论交替磁性自旋分裂以及将交替磁性与其他集体模式对接铺平了道路。我们为研究交替磁性对平凡和拓扑表面状态的影响开辟了未来的前景。
![arXiv:2209.10054v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2022 年 9 月 21 日](/simg/8\810764e6677aee8a8d25155d78caa5a4ade5e2dd.webp)
arXiv:2209.10054v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2022 年 9 月 21 日
层状过渡金属二硫属化物 (TMDC) 具有各种电子、结构和传输现象，是电子器件中最有希望的应用材料 [1, 2]。在众多新状态中，这些化合物中的电荷密度波 (CDW) 相尤其受到关注，因为它在相图中与超导相邻 [3, 4]。就电子结构而言，CDW 相通常与费米面嵌套相关，费米面特定位置的间隙打开，由 CDW 波矢连接 [5–7]。作为响应，原子从其原来的位置移动，形成可通过扫描隧道电子显微镜 (STM) 实验可视化的超结构 [8–10]。在所有 TMDC 中，1T-VSe 2 是一个特殊的例子，因为它在块体中具有长波长 3D CDW 相。它经历与 4 a × 4 a × 3 不相称的 CDW。 18c 在 T ∗ = 110 K 附近出现周期性晶格畸变，随后在 80 K 附近第二次跃迁至相应的 CDW 态 [9–11]。另一方面，电子结构上的 CDW 相得到了角分辨光电子能谱 (ARPES) 的异常研究支持。例如，据报道在