XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemAl2O3
Al2O3 纳米流体的热性能实验研究...
能量是支持进化变革的主要基础之一。由于尺寸小巧且传热性能增强，纳米流体冷却微通道散热器 (MCHS) 已成为电子和热应用的热门选择。本文通过实验研究了使用纳米流体冷却芯片的影响，以评估传热特性。进行研究以确认纳米流体浓度和壁面温度对微通道散热器热工水力性能的影响。在本研究中，采用了 Al2O3 水纳米流体，纳米颗粒体积分数分别为 0.1、0.2、0.3、0.4 和 0.5%，质量流速 (MFL) 在不同入口温度下分别为 2、5 和 8 m/s。从其他研究人员的结果中验证了由此产生的实验结果，结果显示出重要的相关性。纳米流体技术和矩形散热器的配置提高了电子冷却系统的传热效率。
α-Al2O3:C 芯片的技术和工作流程
摘要：现场剂量测定（主动、被动剂量计）通过直接在现场确定环境剂量率来提供高精度。被动剂量计，例如 α-Al 2 O 3 :C，对于需要最小干扰的场地（例如考古遗址）特别有用。在这里，我们提出了一种使用 α-Al 2 O 3 :C 芯片获取环境宇宙剂量率和 γ 剂量率的综合方法。我们的程序包括（1）自制现场容器、（2）自制漂白箱、（3）快速测量序列和（4）基于 R 的软件来处理测量结果。我们的验证步骤包括可重复性、辐照时间校正、串扰评估和源校准。我们进一步模拟了容器对无限基质剂量率的影响，导致衰减约6%。我们的测量设计使用配备绿色 LED 的 lexsyg SMART 发光读取器。辐照是在封闭的 β 源下进行的。可以确定的最小剂量估计为约10 µGy。但是，我们还表明，对于所使用的设备，需要约2.6 秒的辐照时间校正，并且应考虑辐照串扰。建议的程序与克莱蒙费朗的四个参考地点进行了交叉检查，结果显示四个地点中有三个具有良好的 γ 剂量率。最后，介绍了一个应用示例，包括所需的分析步骤，用于埋藏在 Sierra de Atapuerca（西班牙）考古遗址的剂量计。关键词：α-Al 2 O 3 :C、剂量测定、发光、R. 1.介绍
Al2O3纳米结构的结构和光学特性...
氧化铝（Al 2 O 3）纳米结构通过绿色合成方法在铝箔底物上合成，使用热水处理方法在75°C下持续1、7、15和30分钟。在这项研究中，增长时间有所不同，以研究其对Al 2 O 3纳米结构的大小和密度的影响。使用SEM成像和XRD分析研究了准备准备的Al 2 O 3纳米结构的形态和结构特性，并通过UV-VIS光谱研究了光学特性。扫描电子显微镜（SEM）研究显示，随着80 nm-35 nm范围内的多孔纳米结构粒径随着合成反应时间从1增加到1分钟，多孔纳米结构粒径在80 nm-35 nm范围内降低。X射线衍射（XRD）分析表明，晶体行为随时间的增加而增加。光学性质结果表明，Al 2 O 3纳米结构在紫外线区域显示出相对较宽的吸收光谱。此外，当浸入时间分别从1分钟增加到30分钟时，能量差距（例如）从3.44增加到3.78 eV。这些结果对基于HWT Al 2 O 3纳米结构的Al 2 O 3辅助电子应用有重大影响。
AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
比较Al2O3，SIC和B4C作为抗弹道抗性的...
摘要 - 陶瓷装甲材料旨在保护人和车辆免受弹道损伤。当前，重点是开发具有难以实现的特性的陶瓷，例如高弹道性能和低重量。在过去的三十年中，陶瓷材料的发展导致其性质和结构均匀性的不断改善。但是，这些特性与陶瓷的弹道性能之间的关系尚不清楚。本文回顾了对陶瓷装甲故障阶段的当前理解以及评估弹道性能的方法。在氧化铝和碳化硅和碳化物碳化硅之间进行了比较。尽管陶瓷材料的开发积极地有助于提高其性质，但它们与弹道性能的关系仍然是一个谜。这项研究试图进一步了解陶瓷装甲的故障阶段以及如何评估其性能。对三种主要陶瓷材料进行了比较：氧化铝，碳化硅和碳化物，以更好地了解它们在弹道保护中的特性和潜在应用。
基于Al2O3的超薄ALD膜和纳米胺，...
原子层沉积（ALD）技术使在各种技术领域中使用具有控制化学成分的共形功能涂层 - 单组分，多组分和多层结构（例如纳米胺），以修饰表面特性。可以使用超薄金属氧化物，例如作为抗腐蚀涂层，聚合物材料的功能涂层，或在全纤维状态电池（ASSB）结构中的电极/电解质界面上的涂层。我们以各个层和纳米酰胺的形式（Al 2 O 3 /Zro 2，Al 2 O 3 /ZnO）以实验测试了超薄（大约20 nm）Al 2 O 3，ZRO 2和ZnO涂层的ALD生长和性能。，我们在100-300 c的温度范围内使用了热ALD模式，在各种底物（硅，砷耐加仑）上以及使用各种氧气前体（水，臭氧）。Al，Zr和Zn的前体分别为：三甲基元素，四甲基甲基氨基（乙基甲基氨基） - 锆（IV）和二乙基。We used a number of material characterization methods and proved the possibility of controlling the thickness and refractive index of the layers (by spectroscopic ellipsometry), structure composition (by X-ray photoelectron spectroscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy), coating tightness and electrical properties (by conductive atomic force microscopy-tunneling AFM), surface topography (by tapping mode AFM）。
原子层沉积 Al2O3 作为热氧化和等离子氧化的屏障
电子邮件：stephane.calvez@laas.fr 简介 原子层沉积 (ALD) 纳米厚的 Al 2 O 3 层或其他电介质层已被证实是一种有效的方法，可用于创建敏感材料封装层，防止其因周围大气中的水分和氧气含量而发生降解 [1,2]。另外，由氧气（分别是水）引起的半导体材料向绝缘体的腐蚀转变，称为干（湿）氧化，通常用于微电子和光子器件以及集成电路的制造，作为引入实现晶圆上光学路由 [3–6] 和/或电连接所需的电和/或光子限制的一种方式。特别是在硅光子器件制造中，后者的工艺通常涉及将硅层在高温或等离子体中暴露于水/氧气中，并通过厚度大于 100 nm 的 SiN x 掩模实现局部氧化保护 [3,4]。在此背景下，我们在此报告了使用 ALD 沉积的 Al 2 O 3 作为节省材料的氧化屏障以防止硅晶片的等离子诱导或高温热氧化的能力的研究。样品制备通过热 ALD 在硅晶片上沉积具有纳米厚度的 Al 2 O 3 薄膜。低压热 ALD 沉积由重复循环组成，每个循环包括 300 ms 的三甲胺铝 (TMA) 脉冲，然后在 N 2 下进行 2800 ms 的吹扫，150 ms 的水蒸气脉冲，以及在 N 2 下进行 6700 ms 的第二次吹扫。这里测试了两个沉积温度，90°C 和 150°C。使用可变角度光谱椭圆偏振法（使用 Accurion EP4 系统）测量所得层厚度。图 1 显示了 Al 2 O 3 厚度随沉积循环次数变化的记录。在 0 个循环时，测量到的厚度对应于天然氧化硅（测量到约 2 纳米）。在 15 个沉积循环之前，成核开始以异质生长（见图 1 插图）。超过 15 个循环后，沉积厚度以每循环生长率 (GPC) 0.19 纳米/循环线性增加，并且与沉积温度的依赖性较弱。随后使用紫外光刻和湿法蚀刻对 Al 2 O 3 涂层样品进行图案化，以获得具有 Al 2 O 3 保护和未保护硅区域的样品。使用稀磷酸（去离子水/H 3 PO 4 (37%) 1/1 溶液）在精确的 67°C 温度下进行层蚀刻，蚀刻速率为 30 纳米/分钟。分别用水和丙酮进行冲洗和清洁。测试了两种类型的氧化：干热氧化和等离子氧化。干热氧化方案包括在 5L/min 的 O 2 流量下从 30°C 开始线性升温（8.2°C/min），然后在 9L/min 的 O 2 流量下以 1000°C 进行恒温步骤，然后在 5L/min 的 O 2 流量下以 -16.3°C/min 的温度衰减。低压 O 2 等离子体氧化在 Sentech Si-500 设备中进行，使用 30 分钟的重复处理，其中样品受到 O 2 等离子体处理，RF 功率为 800W，基板温度保持在 100°C 以下。在这两种情况下，通过成像光谱椭圆偏振法测量处理过的样品的保护区和未保护区的氧化厚度。图 2 左侧显示，如果 Al 2 O 3 厚度大于 ~9 nm（45 个循环），则干氧化不会进行，而对于更薄的覆盖层，干氧化会减少。SEM 横截面（如图 2 中的插图所示）进一步证实了这一观察结果。类似地，观察到等离子体氧化导致氧化物生长遵循平方根定律的时间依赖性（Deal 和 Grove 模型 [7]），但对于（30 次循环）Al 2 O 3 涂层样品部分，其氧化速率降低。
Al2O3/ZrO2 复合材料的近场动力学冲击模型
陶瓷复合材料 (CC) 是不同相的混合物，其发展通常被视为技术进步的里程碑。它们几乎用于所有重要行业。CC 经常会受到可变的动态载荷、冲击或高温 [1-3]。本文分析了由 Al2O3/ZrO2 制成的薄板的冲击。这些板材由上述 CC 制成，其成分比例不同。使用近场动力学分析损伤进展，类似于准静态拉伸 [4]。本研究的目的是描述 CC 板中的冲击损伤发展并确定相含量的作用。研究发现，测试的 CC 中的相对比例对板的行为至关重要。总之，可以说所采用的近场动力学方法适合解决所研究的问题，并且应将冲击板视为真实的三维结构。
bi2O3 – al2O3 - 与MNO合成的Mgo眼镜
当前的工作旨在计算六个样本的伽马射线屏蔽系数。样品为65b 2 O 3 .20bi 2 O 3 .10Al 2 O 3。（5-X）MGO。XMNO（0≤x≤1mol％）。使用熔体淬火方法准备了这些样品。该研究测量MAC（质量衰减系数）和线性衰减系数（μm，μ）。它还计算半价值层，十值层（TVL）和平均自由路径（MFP）。使用PHY-X/PSD和XCOM程序进行计算，以1keV-100GEV为单位。该研究讨论了将结果彼此比较，表明了良好的一致性。该研究显示了许多结果，例如何时能量高于10 MEV。低光子能区域中有许多峰（<0.1 MEV）。具有最大MNO组成S6的玻璃样品显示了M-，L-和K-吸收光电边缘的许多峰。PHY-X/PSD和XCOM软件产生的测量值显示出良好的一致性。另外，HVL与材料密度之间存在负相关。此外，随着光子的入射能增加到5 MeV，MFP和HVL值开始较低，不断增加。超过5 MeV，具有能量，HVL和MFP轻轻掉落。半价值层值随密度和MNO内容的增加而下降。
揭示 α-Al2O3 表面自由基的结构模式
量子信息技术为提高设备相干性，对材料和界面的质量提出了严格的要求。然而，人们对顺磁杂质的化学结构和来源知之甚少，这些杂质会产生通量/电荷噪声，导致脆弱量子态的退相干，阻碍大规模量子计算的发展。在这里，我们对量子器件的常见基板-Al 2 O 3 进行高磁场电子顺磁共振 (HFEPR) 和超精细多自旋光谱分析。在无定形形式下，-Al 2 O 3 也不可避免地存在于铝基超导电路和量子比特中。检测到的顺磁中心位于表面之内，具有明确但高度复杂的结构，延伸到多个氢、铝和氧原子。建模表明，这些自由基可能源自许多金属氧化物中常见的活性氧化学。我们讨论了 EPR 光谱如何有益于寻找表面钝化和退相干缓解策略。