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第1页，共7页福利和覆盖范围
所有CIGNA产品和服务均由Cigna Corporation的运营子公司或包括Cigna Health and Life Insurance Company，Connecticut General Insurance Company，Evernorth Care Solutions，Inc。，Evernorth Behavyal Health，Inc.，Cigna Health Health Management，Inc。和HMO OR Service Cigna Health Corporation and Cigna diveration Incigna disteration Incigna distry Inc.Cigna名称，徽标和其他Cigna标记归Cigna Instelligual Property，Inc。拥有。注意：如果您会说英语以外的语言，语言援助服务，那么您可以免费使用。对于当前的Cigna客户，请致电身份证背面的号码。否则，请致电1.800.244.6224（TTY：DIAL 711）。atención：si usted habla un Idioma que que noseaglés，tiene a su sudisposiciónserviciosgratuitos de asistencialingüística。si es un客户端的实际de Cigna，llame alnúmeroque figura en el el e e e e e e e su su tarjeta deIdentificación。si no lo es，llame al 1.800.244.6224（los usuarios de tty deben llamar al al 711）。
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。
报告编写指南年终报告第 13 号——联邦基金支出报告
4 ALN 支出 10.541 培训用品-技术创新补助金 123,623.64 0.00 123,623.64 10.553 学校培训计划 592,577,697.53 0.00 592,577,697.53 10.555 国家学校培训计划 1,827,570,729.66 0.00 1,827,570,729.66 10.559 暑期培训 24,531,635.96 120,099.72 24,651,735.68 10.560 国家培训用品行政费用 22,302,030.35 622,372.50 22,924,402.85 10.579 培训用品自由裁量补助 247,003,382.96 -7,739,994.87 239,263,388.09 84.010 向地方教育机构提供的 Title I 补助 1,069,990,026.38 990,241,257.91 2,060,231,284.29 84.027 向各州提供的特别教育补助 1,523,046,251.35 -2,561,957.07 1,520,484,294.28 84.048 职业和技术教育 120,673,918.68 1,048,379.38 121,722,298.06 84.173 特殊教育补助金 47,335,321.37 -7,524,234.59 39,811,086.78 84.287 二十一世纪社区学习中心 117,673,563.59 -10,311,727.30 107,361,836.29 84.323 特殊教育 - 州人员发展 3,029,471.70 -384,925.03 2,644,546.67 84.365 英语语言习得州补助金 78,498,207.82 93,581,929.36 172,080,137.18 84.367支持有效教学州补助 148,547,337.17 83,119,902.55 231,667,239.72 84.369 州评估和相关活动补助 28,529,736.08 25,185.91 28,554,921.99 84.371 综合素养发展 15,432,640.11 -15,120,025.26 312,614.85 84.424 学术充实计划 29,962,239.17 116,502,915.66 146,465,154.83 84.425 教育稳定基金 -8,163,914,286.70 8,177,937,488.64 14,023,201.94 93.243 区域和国家重大项目 1,588,225.02 -70,116.57 1,518,108.45 93.600 先发制人计划 6,040,716.57 8,575.54 6,049,292.11
SY22-23供应链援助（SCA）资金公告
2022年9月1日，需要提供信息公告。051-22儿童营养服务至：教育服务区主管学区学区学区业务经理学区食品服务私立学校私立学校来自：Chris Reykdal，公共教育校长Chris Reykdal Re：其他供应链援助援助儿童义工计划的供应链援助资金联系：Hydie Kidd - Hydie Kidd - Fifiscal Nuthrition Services，Fifcal Nutrition Services 360-62-62-287-287， hydie.kidd@k12.wa.us目的/背景美国农业部（USDA）最近在儿童营养计划中批准了联邦资金用于供应链援助（SCA）。这笔资金是对购买和接收USDA用餐计划经历的食物中前所未有的挑战的回应。华盛顿州在第一轮SCA基金中获得了18,223,217美元，最近在第二轮资金中获得了$ 17,183,276。SCA资金将提供2022-23学年的全国学校午餐计划（NSLP）的地方教育机构（LEAS）。SCA资金必须存入非营利性学校食品服务帐户，必须用于购买国内，未加工或最少加工的食品。资金必须在2023年9月30日之前完全义务。此资金的援助上市编号（ALN）为10.555。供应链援助资金付款详细信息
引用：Arteev DS、Sakharov AV、Nikolaev AE、Zavarin EE、Tsatsulnikov AF，基于 2DEG 的多层 AlGaN/GaN 异质结构，具有较低的 sh
由于 III-N 材料体系的独特性质，AlGaN/GaN 基异质结构可用于制造高电流 (> 1 A/mm [1, 2]) 和高功率 (> 40 W/mm [1]) 的高电子迁移率晶体管和肖特基势垒二极管等器件。此类结构中二维电子气 (2DEG) 浓度的典型值为 N s = 1.0–1.3·10 13 cm -2，电子迁移率 μ ~ 2000 cm 2 V -1 s -1 。通过增加势垒层中的 Al 摩尔分数进一步增加浓度会受到应变弛豫的阻碍 [3]。此外，当 2DEG 密度增加时，2DEG 迁移率通常会大幅下降 [4]，因此电导率保持不变甚至变得更低。使用具有多个 2DEG 的多通道设计的结构可能是实现更高电导率的替代方法 [5, 6]。有关 GaN 多通道功率器件的进展、优点和缺点的更多详细信息，请参阅最近的评论文章 [6]。这种设计能够在不降低迁移率的情况下增加总电子浓度。然而，强的内部极化电场会导致导带能量分布发生显著改变，因此一些无意掺杂的结构的通道可能会完全耗尽，总电导率会明显低于预期。另一方面，向势垒层引入过多的掺杂剂可能会导致寄生传导通道的形成。因此，需要优化设计。在本文中，我们研究了单通道和三通道 AlGaN/AlN/GaN 异质结构的设计对其电学性能的影响。
系统和过滤的识别 - dspace.zcu.cz
十七和十八世纪的发现使人们相信可以使用简单的数学规则来描述自然现象。然而，在本世纪，人们清楚地认识到，解决与新技术相关的问题，特别是在通信和管理方面，必然需要明确的模型和不确定性。解决了编码、滤波、预测、自动控制等重要工程问题。这些领域的新成果不仅促进了人类在地球上的活动，也促进了太空探索（例如卫星通信）。事实证明，基于直接从测量数据中查找数学模型（系统识别和过滤）概念的革命性建模技术讨论了物理驱动程序在数学模型创建中的作用的重要性（数学模型和模型）。
第一原理和实验-Repositum
过饱和（Ti，al）的N材料，带有面部的立方（FCC）结构提供了热稳定性和机械性能的独特组合。但是，它们的热诱导的分解过程对于提取其全部潜力至关重要。通过X射线衍射和转移电子显微镜进行了详细的实验研究表明，热力学稳定的Wurtzite型W- ALN的形成以1000 c在100 c的退火温度下（t a）开始，在使用锡（TI，Al）n/tin Multililayerays施加多层式时，以1000 c的形成（t a）。尽管如此，（Ti，al）N/Tin多层的硬度比（Ti，Al）N涂层高100 c t a（900 c），在100 c t a（900 c）下达到32.3±1.0 gpa的峰值，并且硬度下降的趋势随着t的增加而下降。这是因为（ti，al）n分解朝着富含Al和Ti的区域的分层结构，当时与FCC-TIN相干生长。从头算的计算强调，在（Ti，al）N层中的Al优先扩散与锡层相干界面。因此，在一个（ti，al）n层中，更多的层形成，即使在富含质量层的相位变形到w-aln的相变，它们的分层结构仍然存在。一起，计算和实验结果表明，分层的排列具有更高的抵抗力对位错滑行的阻力，并且对涂料完整性是有益的。2022由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可证（http：//creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
3D-BN 骨架中填料尺寸对环氧基复合材料热导率影响的研究
随着 5G、人工智能、物联网等技术的快速发展，微电子设备的工作温度不断升高，对导热和电绝缘材料的需求显著增加[1-4]。这主要是因为微电子设备运行时芯片产生的热量由于一层热界面材料（TIM）而不能迅速传递到冷却设备。TIM 的主要作用是填充微电子设备与散热器翅片之间的缝隙，从而降低界面热阻[5]。环氧树脂或硅橡胶等聚合物因具有优异的黏附性、热稳定性和电绝缘性，常用作 TIM[6，7]。然而，它们的 TC 值较低（低于 0.3 W/m·K），不能满足微电子设备的需求。因此，迫切需要具有优异平面热导率的TIM，它能及时将热量传递至散热片，进而将热量传输到设备外部。通过加入陶瓷填料，如AlN[8-10]、Al2O3[11-13]、Si3N4[14]和BN[15，16]，复合策略被认为是提高热导率的最有效方法。特别是对于具有与石墨类似的层状结构的BN，由于其优异的热导率（平面方向约600W/m·K）和宽的带隙[17-20]，它引起了人们的极大兴趣。因此，将BN加入到聚合物中对提高热导率具有重要意义。然而，通过传统共混方法制备的BN基复合材料的平面热导率远低于平面取向的。在这方面，已经开发出一些策略来增强聚合物复合材料的平面导热性。一种策略是构建三维网络骨架。在这种结构中，
新和可再生能源的部
屋顶太阳能国家门户网站 - 新和可再生能源供应商姓名电子邮件手机号码agpoweraftha@gmail.com 9787361770 A.R Engineering，Tiruppur Arengineer.udt@gmail.com 8903447144 Aadhan Solar Pripated，chennai snp@adhansolar com@adhansolar.com 9840111111111188 aadhi Enterprises chennai aadhisolar@yahoo.in 9176362015 Aadhi Solar Solutions，Coimbatore。sales@aadhisolar.com 9360455155 aaditya raksha raksha raksha raksha raksha raksha raksha Renewables pvt.lt.ltd。 aaradhana电力系统tindivanam aaradhanapowsystem@gmail.com 720033333380 Aaron Power Solutions，Trichy Aaronsolarproject@gmail.com 9385940848主动电力控制944376062 ADC太阳能系统chennai adcsolarsolystems@gmail.com 7010869265 ADHAV代理机构kanchipuram adhavagency@gmail.com 989999491 Aditya Power Apowera Power Solutions and Technortes and Technologies Villupuram adityapowersolutions13@gmail.com 9750298298 ADRITYA SYSTEMSS SYSTEMS SALEM ADRITYAGROPS@GMAIL.COM 9655896373 AEROTEK SOLAR＆BITDIES，THANJAVUR AEROTEK.KUMI@GMAIL@GMAIL.COM系统，tiruvannamaiai agneesolar@gmail.com 9382934952 Agni Power Systems Tirupattur agipattur agnipower06@gmail.com 9994309696 agnigreen@gaaail@ganigreen@gaail.com 98422070 AJ Solar Little Ray，Tiruchirappalli ajsolarlittlera@gmail.com 7339417112 AKASH仪器印度，Chennai Service.akash@gmail.com 9840024412 Akgim Power Systems Namakkal Manikandan.periyasamy@akgimpower.com 9942124544 Akshaya Enviro Solutions，Chennai。akshayaenvirosolutions@gmail.com 9094097999 Akt Electricals，antjavur aktelectRicalStnj@gmailcom@gmail.com 8754328376 alchemegreenenergy.com 9994848484887 alchemegreenerge.com alchemegreai info 8248048820 Alpha Power Solutions Chennai Alphapowersolutions99@gmail.com 8680843959 Alphha Systems，Coimbatore alpha_ups@yahoo.com 98430646656
S41598-024-66099-6.pdf
密度功能理论计算以研究li +和li对二十四种吸附剂的吸附特性，该吸附剂是通过替换冠状动脉（C 24 H 12）和car钙烯（c 54 H 18）的c原子获得的二十四种吸附剂（C 54 H 18）。分子静电电势（MESP）分析表明，这种替换会导致分子中富含电子环境的增加。li +在所有吸附剂上都相对强烈吸附。Li +（E ADS-1）在所有吸附剂上的吸附能在-42.47（B 12 H 12 N 12）至-66.26 kcal/mol（M-C 22 H 12 t bn）的范围内。我们的结果表明Li +和纳米片之间的相互作用更强，因为最深的纳米片的最深MESP会变得更加负面。LI +和纳米片之间的更强相互作用将更多的电子密度推向LI +。li在所有吸附剂上都弱吸附。Li（E ADS-2）对所有吸附剂的吸附能在-3.07（B 27 H 18 N 27）至-47.79 kcal/mol（C 53 H 18 SI）的范围内。假设纳米液块是锂离子电池的阳极，则预计细胞电压（v单元）在24 H 12，C 12 H 12 SI 12，B 12 H 12 N 12，C 27 H 18 SI 27 SI 27 si 27 si 27 h 12 h 12 si 12，c 12 H 12 si 12，b 27 si 27和b 27 h 18 n 27 n 27 n 27 n 27 n 27 n 27中相对较高（> 1.54 v）。E ADS-1数据与E ADS-2相比仅显示很小的变化，因此，E ADS-2对V细胞的变化具有很强的影响。