。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。majorana fermions是旋转1/2中性颗粒,它们是其自身的反粒子。它们最初是由Ettore Majorana在粒子物理学中预测的,但它们的观察结果仍然具有Elusi V e。主要的物理物理学借用了Majorana费米子的概念,与粒子物理电子和孔不同,它被称为Majorana零模式。在这种情况下,我们对Majorana零模式在非常规超导体中的基本特性及其在实验性可观察物中的序列提供了教学解释,从而特别强调了最初的理论发现。特别是,我们首先表明Majorana零模式是自缀合的,并作为一种特殊类型的零能量表面Andreev结合状态在非常规超导体的边界处。然后,我们探索一维自旋p波超级导体中的主要零模式,在当时,我们加入了拓扑超级传导的形成,并在超导体 - 血症导向器混合体中的物理实现。在这一部分中,我们强调说Majorana准颗粒作为零能量边缘状态,表现出电荷中立性,自旋极化和Spa tial非偏置性,因为可以从其能量和WAV效应中可以看出独特的特性。ne Xt,我们讨论了获得绿色的p波超导体功能的肛门功能,并证明ma-jorana零模式的出现始终伴随着形成奇怪的旋转式旋转式三个形成,这是Majorana零模式的自轭性质的独特结果。我们最终解决了Majorana零模式在隧道光谱中的特征,包括异常接近效应和相位偏置的Josephson效应。
简介 布哈拉是一个历史遗产丰富的国家,长期以来一直是研究的中心。特别是,几个世纪以来建造的历史建筑一直是科学家的研究对象。布哈拉拱门就是这样一个历史遗迹。方舟作为一个非常具有历史意义的地方,人们对其进行了大量的研究,并创作了许多作品。其中最有价值的作品是《布哈拉方舟》,由米哈伊尔·斯捷潘诺维奇·安德烈耶夫和奥尔加·德米特里耶夫娜·契诃夫撰写。这本书于 1972 年由多尼什在塔吉克斯坦出版。该作品由162页组成,包含有关布哈拉拱门的一般信息,拱门示意图,贾米清真寺,拱门南半部的描述,莎乐美和相邻建筑,赛斯汗庭院及其建筑,加冕大厅,财政活动,部落,王子和卫兵的住所,拱门北半部,图普奇博什建筑和工作室,布哈拉埃米尔的日子,最后酋长国时期布哈拉的材料,埃米尔和法官之间的关系体系,邮政系统,首都哈基姆的脉络,以及在布哈拉组建正规军的努力,涵盖了大量与布哈拉和方舟有关的主题。材料和风格这项工作是1940年组织的新探险队的成果,旨在研究布哈拉的历史,地形,人种学和司法制度。这次探险由 MSAndreev 领导。虽然对该地区进行科学考察始于 1940 年,但其成果直到 20 世纪 60 年代才得以发表。事实上,说这个探险队成立于 1936 年并不为过。因为同年 MSAndreev 参加了 Özssr 艺术博物馆组织的一次探险,并意外落入他的手中
Pino Tese,德国 SMS Siemag AG 执行副总裁 Manus Patrick Henry,博士,牛津大学,英国牛津 Philippe Bertrand,教授,法国圣艾蒂安 Andrei Tchernykh,博士,正教授,墨西哥恩塞纳达 Goran Putnik,博士,正教授,葡萄牙布拉加 Paulo Leitão,正教授,葡萄牙布拉干萨 Sergey Andreev,博士,芬兰坦佩雷 Dmitriy Yu.Iosifov,博士,俄罗斯 Metran 工业集团全球工程中心主任 Volker Krüger,教授,丹麦奥尔堡 沈银,教授,哈尔滨工业大学,中国哈尔滨 Frank Golatowski,教授,罗斯托克大学,德国罗斯托克 Dusmanta Kumar Mohanta,教授,印度兰契比尔拉理工学院 Okyay Kaynak,教授,中国北京科技大学和土耳其海峡大学 Karali Patra,教授,印度理工学院,巴特那,印度 Dmitry Novikov,理学博士。(技术。),全职教授,俄罗斯科学院通讯院士,俄罗斯科学院控制科学研究所所长 Andrei Ronzhin,理学博士(技术),俄罗斯 SPIIRAS 主任,教授 Muhammad Ali Imran,英国格拉斯哥大学教授 Alexey Borovkov,博士,俄罗斯圣彼得堡彼得大帝理工大学创新项目副校长,教授 Vitaliy Sergeev,理学博士(技术),俄罗斯科学院院士,俄罗斯圣彼得堡彼得大帝理工大学科研副校长,教授 陶飞,中国北京航空航天大学教授 Alessandro Beghi,意大利帕多瓦大学教授 Vladimir Marik,捷克布拉格捷克理工大学捷克信息学、机器人学和控制论研究所所长 Francesco Marcelloni,意大利比萨大学教授
本论文研究基于近端 InAs/Al 纳米线的超导量子比特。这些量子比特由半导体约瑟夫森结组成,并呈现了 transmon 量子比特的门可调导数。除了门控特性之外,这个新量子比特(gatemon)还根据操作方式表现出完全不同的特性,这是本论文的主要重点。首先,系统地研究了 gatemon 的非谐性。在这里,我们观察到与传统 transmon 结果的偏差。为了解释这一点,我们推导出一个简单的模型,该模型提供了有关半导体约瑟夫森结传输特性的信息。最后,我们发现该结主要由 1-3 个传导通道组成,其中至少一个通道的传输概率达到大于 0.9 的某些门电压,这与描述传统 transmon 结的正弦能量相位关系形成鲜明对比。接下来,我们介绍了一种新的门控设计,其中半导体区域作为场效应晶体管运行,以允许通过门控设备进行传输,而无需引入新的主导弛豫源。此外,我们展示了传输和过渡电路量子电动力学量子比特测量之间的明显相关性。在这种几何结构中,对于某些栅极电压,我们在传输和量子比特测量中都观察到量子比特谱中的共振特征。在共振过程中,我们仔细绘制了电荷弥散图,在共振时,电荷弥散显示出明显抑制的数量级,超出了传统的预期。我们通过几乎完美传输的传导通道来解释这一点,该通道重新规范了超导岛的电荷。这与开发的共振隧穿模型在数量上一致,其中大传输是通过具有近乎对称的隧道屏障的共振水平实现的。最后,我们展示了与大磁场和破坏性 Little-Parks 机制中的操作的兼容性。当我们进入振荡量子比特谱的第一叶时,我们观察到出现了额外的相干能量跃迁。我们将其解释为安德烈夫态之间的跃迁,由于与 Little-Parks 效应相关的相位扭曲,安德烈夫态在约瑟夫森结上经历了路径相关的相位差。这些观察结果与数值结模型定性一致。
简介。在非中心对称超导体[1]中的磁性电源最近引起了极大的关注,尤其是在其在非核心超导反应中的实验应用中[2],例如,如最近的综述[3-6]。特别是,Edelstein磁电效应是由应用超电流引起的自旋极化的产生,而其反场景是二极管效应,即,在两个相反的方向上,临界电流是不同的,在存在外部磁性的情况下会产生的两个相反的方向。这些现象的根本原因之一是违反了由旋转轨道相互作用或不均匀的磁性交换场引起的空间反演象征,该磁性磁性交换场是对能量依赖的动量旋转分裂的作用[7-9],所有这些[7-9]都引起了电子旋转旋转极化之间的耦合和电荷之间的耦合[7]。在本文中,我们考虑了一个具有d-波对称性的共线抗磁性(AFM)订购参数的中心对称金属[11-14]。这种AFM阶诱导了传导费米子的费米表面的特定D波动量依赖性旋转分裂[7-9]。最近在参考文献中审查了各向异性磁顺序的扩展对称分类。[15 - 17]。显示此功能的代表性材料包括,例如,类型AFMS:金属RUO 2,Mn 5 Si 3,VNB 3 S 6,半导体MNTE等[15-20]。此外,最近在thinfms ruo 2中观察到了应变稳定的超导性,tc≈1。[31]。8 K取决于纤维厚度[21-23]。受到最近的实验进展的促进,对超导性的D-波AFM交换耦合的理论研究成为了一个密集的研究领域,包括对Andreev反射的研究和Josephson Current [24-28],在D -Wave Superconcontos in D -Wave Superconcontos ft d -Wave af -Wave afm [29]中的无综合状态[29],或者是30岁的MAD [29],或者有关最近的精彩文章,请参见参考文献。在这种情况下,超导性和磁性的问题自然出现。清楚地,在肌脱肌对称超导体中,与极性超导体中的Edelstein效应相反,诱导的载体的自旋极化与超循环的均匀功能成正比,并表现出D -Wave对称性。
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基于超导电路的超导量子比特由超导电容器和具有 transmon 几何的约瑟夫森结组成,广泛应用于高级量子处理器,追求可扩展的量子计算。transmon 的量子比特频率的调整依赖于超导环路中两个超导体-绝缘体-超导体 (S-I-S) 约瑟夫森结的超电流之间的磁通量相关干扰。基于超导体-半导体-超导体 (S-Sm-S) 材料的约瑟夫森结为门可调 transmon 提供了一种可能性,称为“gate-mon”,其中量子比特频率可以通过静电平均值进行调整。在 III-V 材料平台上实现的 gatemon 显示出 transmon 替代品的令人瞩目的发展,但在可扩展性方面仍然存在一个大问题。硅锗 (SiGe) 异质结构由于其高空穴迁移率和 Ge-金属界面的低肖特基势垒而成为承载混合器件的潜在平台之一。此外,与硅基半导体行业的兼容性是扩大量子比特平台的一个有力优势。在本论文中,我们基于 SiGe 异质结构中的 Al-Ge-Al 约瑟夫森结开发了门控。首先,建立了自上而下方法中约瑟夫森场效应晶体管 (JoFET) 的稳健制造配方。我们对 JoFET 进行了详尽的测量,以研究它们随栅极电压、温度和磁场变化的特性。这些器件显示了临界电流 (I C ) 和正常态电阻 (R N ) 的栅极可调性。估计这些器件具有高透明度的超导体-半导体界面,SiGe异质结构上的高 I C R N 乘积证明了这一点。在有限电压范围内,观察到对应于多个安德烈夫反射 (MAR) 的特征。然后,我们在 SiGe 异质结构上制造和表征氮化铌 (NbN) 超导谐振器。我们在传输模式下测量谐振器,并从传输系数 (S 21) 中提取谐振频率 (f r)、内部品质因数 (Q i) 和耦合品质因数 (Q c)。随后,我们开发了制造工艺,将与电容器分流的 Al-Ge-Al 结(换句话说,gatemon)集成到谐振器方案中,并根据设计进行制造。我们在其中一个制造的 gatemon 中演示了反交叉特性。使用双音光谱技术映射门控器的谐振频率,发现它是门可调的。量子位具有较大的光谱线宽,这意味着相干时间较低。此外,我们对超导量子干涉装置 (SQUID) 几何中的结进行了电流相位关系 (CPR) 测量。我们可以证明结构成非正弦 CPR。此外,在辐照结的电流-电压特性曲线中观察到整数和半整数 Shapiro 阶跃。这表明我们的结具有 cos 2 φ 元素,这可以为受保护的量子位开辟另一种可能性。