摘要:具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的磁绝缘体在探索纯自旋流现象和开发超低耗散自旋电子器件中起着关键作用,因此它们在开发新材料平台方面非常有吸引力。在这里,我们报告了具有不同晶体取向的 La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)-SrIrO 3 (SIO) 复合氧化物薄膜 (LSMIO) 的外延生长,该薄膜通过脉冲激光沉积的连续双靶烧蚀工艺制成。LSMIO 薄膜表现出高晶体质量,在原子级上具有 LSMO 和 SIO 的均匀混合物。观察到亚铁磁和绝缘传输特性,温度相关的电阻率与 Mott 可变范围跳跃模型很好地拟合。此外,LSMIO 薄膜表现出强的 PMA。通过进一步构建亚铁磁绝缘体LSMIO和强自旋轨道耦合SIO层的全钙钛矿氧化物异质结构,观察到显著的自旋霍尔磁阻(SMR)和自旋霍尔类异常霍尔效应(SH-AHE)。这些结果表明亚铁磁绝缘体LSMIO在开发全氧化物超低耗散自旋电子器件方面具有潜在的应用价值。关键词:钙钛矿氧化物,磁性绝缘体,垂直磁各向异性,自旋霍尔磁阻,自旋电子学■引言
在学术研究和工业设定中,水气泡的灵活操纵至关重要,例如污水处理,[1-4]矿物质浮选,[5,6]压力传感器[7] [7]和与气体相关的电化学。[8-10]迄今为止,大多数报告的操纵气泡的方法主要依赖于浮力的援助或源自底物不对称几何结构的拉普拉斯压力梯度的合作。[11-15],例如,受仙人掌刺的定向水滴传输能力的启发,Yu等。报道了一种超疏水铜锥,该铜锥由低表面倾斜的涂料组成,能够由于巨大的拉place压力差而沿浮标和抗增强性的方向运输气泡。[16]张和同事通过利用激光削皮的技术和表面超疏水层涂层来制造各种超毒甲基甲基丙烯酸甲酯(PMMA)片(PMMA)片(PMMA)片。[17]
电阻是衡量电流流过材料时遇到的阻力大小的一种量度。在某些材料中,这种阻力还取决于施加在材料上的磁化强度和方向。这种现象称为各向异性磁阻 (AMR)。1856 年,苏格兰物理学家开尔文勋爵通过对铁和镍等铁磁金属进行实验首次观察到了这种现象[1]。他发现,当磁力方向垂直于电流时,电阻减小,而当磁力方向一致时,电阻增大。AMR 的应用可以在自旋电子学中找到,这是一项固态技术,其中电子自旋可以被操纵以产生有用的特性。自旋电子学用于各种技术,例如车辆中的导航系统和用于数据存储的硬盘[2]。
𝑑 𝑥 2 −𝑦 2 和 𝑑 3𝑧 2 −𝑟 2 个轨道,其中 I oop = [ I 90 ˚− I 30 ˚•sin 2 30˚)/cos 2 30˚]。为了简化
增材制造金属的机械性能各向异性有几个物理原因。这些原因包括但不限于方向依赖的晶粒和相形态、晶体结构、定向孔隙率/缺陷以及与熔池、分层微观结构相关的异质性。所有这些在大多数增材制造工艺中都很普遍,很难区分它们在机械各向异性中的作用。本综述重点介绍那些试图或合理地隔离其中一个或两个来源的研究,而不是简单地报告机械性能的趋势。这不是一份涵盖所有增材工艺或机械性能的详尽综述;主要评估的是激光粉末床熔合 (LPBF) 金属和拉伸试验结果(模量、屈服强度、极限拉伸强度、伸长率和断裂表面分析)。总之,LPBF 合金的各向异性拉伸性能的主要来源是晶体结构、各向异性微观结构形态、熔合缺陷不足和熔池宏观结构。在各向异性微观结构中,与相和特征(例如晶界 α、沉淀物等)的优先分布相比,拉长的晶粒似乎是次要的。各向异性模量和屈服强度主要由晶体织构引起。晶体塑性模拟支持了这一点。各向异性伸长主要由各向异性微观结构形态、未熔合缺陷和熔池宏观结构引起。支持这一点的证据来自遵循这些特征的断裂表面。熔池宏观结构是最难通过实验从其他各向异性源列表中分离出来的。一组激光工艺参数和合金的发现并不具有指导意义。在将拉伸各向异性的原因与特定来源联系起来之前,必须对上述来源进行表征。需要制定表征和操纵晶体织构、孔隙率、晶粒和相形态以及熔池宏观结构的策略,以更好地理解和控制 AM 金属中的机械各向异性。
我们已经研究了垂直磁性共振(FMR)辅助自旋转移扭矩(STT)垂直MTJ(P-MTJ)的辅助旋转转移扭矩(STT)切换,并使用微磁模拟使用包括热噪声效应的微磁模拟使用不均匀性。具有适当的频率激发,锯可以在磁刻录材料中诱导铁磁共振,并且磁化强度可以在圆锥体中进攻,从垂直方向高挠度。随着通过侧向各向异性变化以及室温热噪声掺入不均匀性的情况下,不同增长的磁化进攻可能显着不合同。有趣的是,即使在不同各向异性的晶粒之间,不同晶粒的进动物也处于相位状态。然而,由于声感应的FMR引起的高平均挠度角可以通过显着降低STT电流来补充STT开关。即使施加的应力诱导的各向异性变化远低于总各向异性屏障。这项工作表明,锯诱导的FMR辅助开关可以提高能源效率,同时可扩展到非常小的尺寸,这对于STT-RAM在技术上很重要,并阐明了这种范式在具有热噪声和材料不显着性的现实情况下这种范式在现实情况下的潜在鲁棒性的物理机制。
位点(六边形 h 或准立方 k)。Si(0) 表示不与 NC 原子相邻的 Si 原子数;而 Si(1) 和 Si(2) 分别表示与一个和两个 NC 原子相邻的 Si 原子数。
高于150 MeV的温度,核物质过渡到夸克 - 胶状等离子体(QGP):未绑定的夸克和胶子的阶段。在重合离子碰撞中以每核核子对(√𝑠NN)的质量量表中的重型离子碰撞达到TEV量表,该量表可以产生大于10 GEV / FM 3的能量密度。该工程的空间分布源自原子核在初始状态的重叠的波动形状。在约10 fm / c的时间尺度上,QGP(一种接近完美的流体)将空间各向异性转化为发射颗粒的动量各向异性,称为各向异性流动。这种观察结果与流体动力模型计算的比较允许提取QGP粘度。观众核子 - 碰撞核的残留物,在出现各向异性之前,该核的近距离核(≪1 fm / c)对初始状态波动很敏感。本论文列出了各向异性流的新颖测量及其相对于观众偏转的铅铅和Xenon-Xenon碰撞的波动,分别为2.76 TEV和5.44 TEV,而爱丽丝在大型Hadron Collider上。这些观察结果显示出具有初始能量密度的形状的近似通用缩放。使用观众和仅使用产生颗粒的流程测量之间的差异限制了初始状态的波动。与当前没有观众动力学的当前初始状态模型进行比较表明,需要这些动力学来提高QGP粘度提取的精度。
摘要:具有较高载流子迁移率的二维半导体的发现和设计对于高速电子和光电设备至关重要。在此基于高通量计算的基础上,我们确定了一组半导体,硫磺halide halides irsx'(x'= f,cl,br,i),具有较高的载流量(〜10 3 cm 2 v-1 s-1)和高效的光收获(〜34%)。此外,这些材料表现出各向异性的平面运输行为,这是通过铁弹性开关进行切换的,从而提供了单层IRSX的巨大潜力,可用于在方向控制的高速电子和Optoelectronic设备中应用。高载体迁移率和各向异性转运是源自在矩形晶格中的传导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)的IR原子3D轨道的各向异性分布。ML IRSX's(X'= F,Cl,Br)显示出良好的动力学和热稳定性,并且根据相图计算在热力学上稳定,因此未来值得实验实现。