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本文档是公认的手稿版本的已发表作品，该作品以ACS应用材料和接口的最终形式出现，版权所有©2020 American Chemical Society之后，在同行评审和发行商的技术编辑后。要访问最终编辑和发布的工作，请参见https://doi.org/10.1021/acsami.0c02445。
磁力机械双层超材料与全球区域...
2D超材料具有巨大的声音，光学和电磁应用，因为它们的独特特性和符合弯曲底物的能力。主动的超材料吸引了显着的研究注意力，因为它们的按需调谐特性和表现通过形状的重新配置。2D主动超材料通常通过内部结构变形实现活动性能，从而导致整体维度的变化。这需要对构象基材的相应更改，或者超材料无法提供完整的区域覆盖范围，这可能是其实际应用的显着限制。迄今为止，以不同形状的重新配置来实现具有区别的活跃2D超材料仍然是一个巨大的挑战。在本文中，介绍了磁机械双层超材料，以证明具有区域保护能力的面积密度可调性。双层超材料由两个具有不同磁化分布的磁性软材料组成。在磁场下，每一层的表现都不同，这使超材料可以将其形状重新构成多种模式，并显着调整其面积密度而不改变其整体尺寸。保护区域的多模式形状重新构造被进一步利用为主动声波调节剂，以调整带隙和波传播。因此，双层方法为更广泛的应用提供了保护区域主动超材料的新概念。
通过跟踪光学捕获的单纳米粒子
因此，在SPT体验中使用光学镊子的利用在给示踪剂粒子上的访问中带来了重要的优势，并提供了受控力量以促进观察。在生物物理学中最初和主要应用[24,30,31]光学镊子和SPT越来越多地在物理学[32]和流体动力学等物理学中共同实施。[33] Franosch等，[5]，例如，研究了在水中光学捕获的珠的布朗运动，并揭示了周围的水分子曾在曾经被粒子的热运动打扰的粒子上作用。，光学镊子通过提供控制力并从而促进粒子运动的表征在发现这种弱相互作用中起着至关重要的作用。与这些在生物物理学和物理学中的成功演示不同，光学镊子和SPT的结合尚未在化学和表面科学中积极出现。单独的SPT已在表面科学中广泛使用，以揭示扩散的分子级细节，[34,35]质量转运，[18]催化反应，[36]和许多其他过程[37]，这些过程与经典的体积或集合测量值无法访问。[38]另一方面，光学诱捕也发现了
液态铜上扭曲双层石墨烯的组装生长
自从石墨烯 (tBLG) 被发现以来，各种新奇的物理现象被揭示出来，例如独特的电子特性。 [3] 特别是，根据扭曲角度 (θ)，具有低θ（1.1至5°）的tBLG表现出不同的物理特性，例如莫特绝缘，超导和异常导电行为，这些特性引起了更多的关注。 [4] 此外，tBLG还被发现在电化学，手性和慢等离子体中发挥着重要作用。 [5] tBLG已成为探索物理性质和寻找新应用的有力模型。 因此，可控制备θ范围为0至30°的高质量tBLG是一项艰巨的挑战。 目前，tBLG的制备主要依赖于人工堆叠的方法，例如堆叠单层石墨烯和折叠单层石墨烯。 [6] 但多次转移过程形成的污染和褶皱不可避免地影响tBLG的耦合质量,降低其固有的物理性能。此外,在超高真空条件下,通过热Si升华在氢刻蚀的6H-SiC(000-1)衬底上制备了tBLG。[7] 但这种方法成本不高,并且需要复杂的石墨烯转移程序。化学气相沉积(CVD)被认为是一种制备高质量石墨烯的简便、可扩展的方法[8],其中Cu和Ni被广泛用作直接生长石墨烯的基底。然而,由于Cu中碳含量低,除非采用复杂的工艺,否则很难以Cu为催化剂制备多层石墨烯。[9] 此外,虽然已经利用Cu-Ni合金作为基底来控制石墨烯层的生长,但是很难打破AB堆叠石墨烯的对称性来形成扭曲石墨烯。[10] 最近,Sun等人[11] 在石墨烯层转移过程中,引入了碳和碳键,从而实现了石墨烯的转移。报道了一种在低压 CVD 系统下引入气流扰动的异位成核策略，用于在 Cu 箔上生长石墨烯畴。[11] 因此，迫切需要找到一种简单的方法来制备具有大扭曲角度范围窗口的高质量石墨烯畴，这对于探索石墨烯畴的独特性能非常关键和必要。在本文中，我们开发了一种在环境压力下在液态 Cu 基底上制备石墨烯畴的简便方法。在高于固态 Cu 熔点（1083 ° C）的生长温度下，在液态 Cu 表面生长的石墨烯畴保持对齐取向。通过调节生长温度，对齐状态被打破，在液态 Cu 上生长的石墨烯畴在表面下移动和旋转
体育场形成单层和双层石墨烯量子点中的成像量子干扰
摘要：基于石墨烯的体育场形量子点（QD）的实验实现很少，并且与扫描的探针显微镜不相容。然而，这些QD中电子状态的直接可视化对于确定这些系统中量子混乱的存在至关重要。我们报告了由单层石墨烯（MLG）和双层石墨烯（BLG）组成的异质结构设备中静电定义的体育场形状QD的制造和表征。要实现体育场形状的QD，我们利用扫描隧道显微镜的尖端在支撑六角硼氮化硼中充电。体育场的可视化状态与基于紧密结合的模拟一致，但缺乏清晰的量子混乱特征。基于MLG的体育场QD中缺乏量子混乱特征归因于由于克莱因隧穿而引起的配置潜力的泄漏性质。相反，对于基于BLG的体育场QD（具有更强的配置）的量子混乱是由平滑的配置电势所阻止的，从而降低了状态之间的干扰和混合。关键字：量子点，单层石墨烯，双层石墨烯，量子混乱，STM
使用旋转霍尔磁场
在旋转电流的生成，控制和检测中进步，并且电荷 - 自旋互转换在这些过程中起着基本作用。[2–4]电荷和自旋电流之间的互音版本取决于两个现象：旋转大厅（SHA）和旋转霍尔（ISHE）效应，这些效应允许在横向旋转电流中转换电流电流，反之亦然，而具有大型旋转 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道互联网（SOI）。[2-5]研究这些过程的基本系统是正常的金属（NM）/磁性材料（M）双层，这是由复杂的自旋混合结构G↑↑州= G R + Ig I的旋转传输跨NM/ M界面。[6]当自旋电流到达NM/M界面时，可以根据M材料的磁磁为m和旋转极化σ的磁磁（由于σ和m为非collineare exter exters exters extere extere and CollineARINERINE）的磁极偏振电流（g r and g r and g r and g r and i与damping like compand coptime coptimeclike和dymeke like compected promeke and tor pemplice），可以吸收或反射。[7]此外，当σ与σ呈线时，自旋 - 链接电导（G s）[8]与界面处的自旋挡泥散射有关。但是，其他界面效应，例如，磁接近效应，[9] Rashba-Edelstein效应[10]或[10]或Nomal nomal nomal nomalos nomal onomal onals onaloal nomal onals onaloal nomal onaloal nomal onaloal nomal onnomal效果，也可能会播放clinef的作用。由于旋转设备的开发必然涉及自旋电流的流动，因此界面的重要性及其适当的表征是显而易见的。[12]因此，具有正确的材料和正确的表征技术对于旋转的发展至关重要。幸运的是，可用于研究通过NM/M界面的自旋传输的理想技术，即自旋霍尔磁磁性（SMR）。smr是由She和Ishe同时作用引起的非平衡接近效应。[7,13] Being sensitive only to the magnetic properties of the topmost atomic layers of the magnetic material, M, close to the NM/M interface, [14,15] SMR allows to study interfacial magnetic proper- ties of magnetic materials in contact to NM via magnetotrans- port experiments and to determine important parameters, such as spin diffusion length, λ sd , and the spin Hall angle, Θ SH , of different NM层或不同的自旋电导。SMR已用于研究几种磁性绝缘材料中的磁性结构，包括铁磁性，[13,16,17]和反磁性有序。[18,19]此外，SMR已证明
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
NBP Weyl半薄膜中微不足道表面状态的大型费米 - 能量转移和抑制
自旋向充电传输的有效转化，反之亦然，这与基于自旋电子产品的检测和生成自旋电流具有主要相关性。界面的界面对此过程有明显影响。在这里，Terahertz（THz）发射光谱拷贝用于研究大约50个原型F |中的超快旋转电荷转换（S2C）由铁磁层F（例如Ni 81 Fe 19，Co或Fe）和具有强（PT）或弱（Cu和Al）旋转轨道耦合的非磁性层N组成的n双层。改变f/n界面的结构会导致振幅急剧变化，甚至导致THZ电荷电流极性的反转。非常明显的是，当n是具有小旋转霍尔角的材料时，会发现对超快电荷电流的主要界面贡献。其大小约为在F |中发现的大约20％ PT参考样本。对称性参数和第一原理的计算强烈表明，界面S2C来自界面缺陷处的自旋极化电子的偏斜散射。结果突出了界面S2C偏斜散射的潜力，并提出了一种有希望的途径，以从DC到Terahertz的所有频率下量身定制的界面增强S2C。
触发双层执行器
从生物刺激到进行poly Mer设备，第一执行器是基于电化学触发器[5]驱动的电聚合聚集膜膜以及joule的加热和湿度的变化。[6]固有的多功能性和水的加工性使聚（3,4-乙二基二苯乙烯）的使用：聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT：PSS）作为活性层材料吸引人。Modarresi等人对PEDOT：PSS的文学进行了深入的讨论和理论研究。[7]，已知在很大程度上取决于处理条件。[8]两个组成部分的不同性质，掺杂的PEDOT和POLYELEC-TROLYETE PSS会引起共同形态（参见图1B）具有富含PEDOT和PSS富含域的含量，并在10-40 nm范围内具有颗粒状结构。[8,9]除了需要PEDOT高电子电导率的设备外，PSS，[10]已证明了许多离子化应用。[11]后者基于允许电子和离子电荷转运的独立途径，这也表明取决于环境的湿度。[12]此外，据说基于PEDOT：带有和不带聚（二甲基硅氧烷）的PSS（PDMS）（PDMS）的底物可以通过Joule加热和湿度来启动底物。[13,14]