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SB 38电池储能设备-CDPH
随着加利福尼亚州向零碳的未来过渡，并增加了可再生能源的数量，存储这种能量的能力对我们的成功至关重要。电池存储设施的开发至关重要，这些设施必须配备紧急响应和疏散计划，这已经证明了最近的事件。在蒙特雷县莫斯着陆港地点的单独拥有的电池储能设施中发生了三起不同且最近的安全事件，该设施占据了最大的电池储能系统之一。鉴于加利福尼亚州对锂离子电池存储系统的日益依赖以及该州最大的锂离子电池存储设施之一的最新安全问题，因此设施配备了紧急响应和疏散计划，以确保设施内部和附近的人的安全。该法案将要求该州的每个电池能源存储设施，并遵守某些CPUC标准，以制定紧急响应计划和一个涵盖其前提的疏散计划，符合劳动代码和任何相关法规的第142.3和6401条。SB 38将确保电池存储设施能够在过去一年中所述的紧急情况下能够安全，快速响应。
摘要。 Loquez MO，Amper CD，Tulod AM，Gilbero DM。 2025。肠孢子的形态表征乌拉氏菌在法尔卡塔种植园
摘要。Loquez MO，Amper CD，Tulod AM，Gilbero DM。2025。在菲律宾棉兰老岛不同海拔的Falcata种植园中，uromycladium falcatariae的端孢子形态表征。生物多样性26：296-305。真菌uromycladium falcatariae在法尔卡塔（Falcataria falcata）引起胆囊疾病，在较高的海拔高度（> 400 MASL）处通常观察到严重的感染。它产生的端孢子在空中散布，导致其广泛流行。这项研究旨在使用光学显微镜（LM）和扫描电子显微镜（SEM）表征棉兰老岛不同海拔的真菌端孢子。从Falcata的成熟胆汁中，从低（<400 MASL），中度（> 400-800 MASL）和高（> 801 MASL）高程收集了来自falcata的棕色或生锈粉。显微照片。这项研究提供了U. Falcatariae的第一个基于SEM的形态表征。LM结果表明，端孢子长度（P <0.05）和宽度（P <0.05）显着增加，高度在高海拔处观察到最大的尺寸。SEM分析表明，在高程中，菌丝孔直径（P <0.01）和背凹结构（P <0.05）的直径显着变化，其测量值最大。SEM中的顶，背和赤道方向揭示了端孢子的详细形态特征和定量测量。此外，这项研究还提供了端孢子的形态学特征，这可以帮助对这种锈菌进行分类学和形态学分类。
审查CI/CD管道的AI驱动监控和诊断症的进展，Teemu Myllynen 1*，Eunice Kamau 2，Sikirat Damilola Mustapha 3，G
抽象的连续集成和连续部署（CI/CD）管道是现代软件开发的关键组成部分，可以快速地提供可靠的应用程序。但是，确保CI/CD管道的无缝操作仍然是一个挑战，因为管理代码更改，依赖关系和不同测试环境的复杂性。人工智能（AI）的最新进步已引入了CI/CD工作流程中监测和诊断的创新方法，从而显着提高了它们的效率，可靠性和弹性。本评论探讨了监测和诊断CI/CD管道中使用的最先进的AI驱动技术。AI方法（例如机器学习（ML）算法，异常检测系统和预测分析）正在通过识别潜在瓶颈，预测建筑故障并优化资源分配来改变管道管理。关键开发包括AI驱动的日志分析，该分析可自动检测错误模式和根本原因识别，并适应性地管理管道配置以最大程度地减少故障率。本文还研究了自然语言处理（NLP）在分析开发人员反馈和改善团队之间的沟通中的作用。AI驱动的可观察性平台，该平台将来自多个管道阶段的数据集成以提供实时见解，以增强决策和减少停机时间的能力。挑战，例如将AI系统集成到现有的CI/CD框架中，处理大量数据，并确保在AI驱动的诊断中解释能力，以及建议的解决方案。领先技术公司的案例研究说明了AI对CI/CD管道性能的影响，展示了建筑成功率，部署速度和整体运营效率的可测量提高。本评论结束了结论，以识别新兴趋势，例如使用联合学习用于隐私诊断，以及用于自动代码修复的生成AI模型的集成。DOI: https://doi.org/10.54660/.IJMRGE.2024.5.1.1119-1130 Keywords: AI-Powered Monitoring, CI/CD Pipelines, Artificial Intelligence, Machine Learning, Anomaly Detection, Predictive Analytics, AI-Driven Diagnostics, NLP in CI/CD, Reinforcement Learning, Software Development Automation
研究单打的分阶段硬铁磁铁铁氧体MFE 3 O 4（M = CO 2 +，Zn 2 +，CD
在这项研究中研究了过渡金属对铁素（铁（III）氧化物）化合物的影响。铁氧体样品。X射线分析在三价状态下揭示了Fe期的存在，展示了一个基于（311）反射平面的首选方向的单杆立方尖晶石框架。对于CDFE 3 O 4，Znfe 3 O 4的晶体尺寸，使用Scherer方程的COFE 3 O 4分别得出10.54 nm，18.76 nm和32.63 nm的值。锌铁酸盐与钴和铁氧体相比表现出中间光子性质，镉铁素体的光损失高光损失，钴铁液表现出最小的光学损失。EDX分析证实了Zn 2 +，CO 2 +，Fe 3 +，Cd 2 +和O 2-离子的存在，以支持预期的stoichio-量组成。光学评估表明，COFE 3 O 4纳米颗粒非常适合光电设备，紫外检测器和红外（IR）检测器。与其他样品相比，钴铁素体的VSM测量值比其他样品表现出更高的牢固性和磁饱和度。光致发光（PL）光谱显示出多种颜色，包括青色，绿色和黄色，在铁素体样品的不同波长下。这些发现表明合成样品是由于其可靠的磁性特性而用于高频设备的合适材料。镉铁氧体显示出多磁性结构域的结构，与在锌和钴铁岩中观察到的单磁体结构结构形成对比。
引用：Zhou CD、Huang Y、Yang YG 等。具有增强存储能力的精简光子储存器计算机。Opto-Electron Adv 8，240135
光子平台正逐渐成为满足日益增长的人工智能需求的一种有希望的选择，其中光子时间延迟储存器计算（TDRC）被广泛期待。虽然这种计算范式只能采用单个光子器件作为数据处理的非线性节点，但其性能高度依赖于延迟反馈回路（FL）提供的衰减记忆，这限制了物理实现的可扩展性，特别是对于高度集成的芯片。在这里，我们提出了一种简化的光子方案，利用设计的准卷积编码（QC）实现更灵活的参数配置，从而完全摆脱了对FL的依赖。与基于延迟的TDRC不同，基于QC的RC（QRC）中的编码数据支持时间特征提取，从而有助于增强记忆能力。因此，我们提出的QRC无需实现FL即可处理与时间相关的任务或序列数据。此外，我们可以使用低功率、易于集成的垂直腔面发射激光器来实现该硬件，以实现高性能并行处理。我们通过 QRC 和 TDRC 的模拟和实验比较来说明概念验证，其中结构更简单的 QRC 在各种基准测试任务中表现更佳。我们的结果可能为深度神经网络的硬件实现提供了一个有利的解决方案。
Dev> Denis A. Aksenov*，Georgiy I. Raab，Rashid N. Asfandiyarov，Vladimir I. Semenov和Lev Sh。 CD和SPD对结构的舒斯特效应，物理，机械
摘要：铜及其合金的电源产品的使用寿命增加与材料耐磨性的抗酸盐直接相关。结构性抑制和与镉合金的合金对铜的强度特性和耐耐磨性具有积极影响，这使得它的CD含量为1％，以增加铜的耐磨性几次，但镉被认为是一种环境不安全元素。在这方面，本文介绍了在超铁颗粒（UFG）状态中广泛使用的CU-CR-ZR合金系统的研究结果，该状态与镉（0.2％，重量）微合成，以改善物理，机械，机械和操作特性，以及环境安全。严重的塑性变形，可供应结构的细化至〜150 nm，以及与Cu-Cr-ZR系统合金的镉微合成，在完整的处理周期后，可提供570±10 MPa的拉伸强度和67％的电导率。同时，相对于工业系统Cu-CD和Cu-Cr-ZR，Abra-Sion抗性分别增加了12％和35％。在强烈磨损条件下运行的连续焊接尖端，集合板和接触线的连续焊接尖端，集合板和接触线非常有前途。
CSE-Student时间表SP2025.xlsx
iii ivi viii ix ix ix ix ix ix 08：00-08：00-09：00-09：009。 15:30-16.20 16:30-17.20 CNS (214) AIML (214) AIML (214) CD (214) CD (214) CD (214) CD (214) CD (214) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD (219) CD（219）CD（219）。 AIML（219）AIML（T）（219）星期五OE -IIICL（219）AIML（G3）AIML（G3）
2024-25行动计划（市议会优先事项）
4。建立新的警察总部 /市民中心振兴实施公民中心社区参与计划PD，CD正在进行的完整CEQA研究PD，CD，FIN完整的设计建筑金融融资选项（PFAL-PHASE2）EDH，PD，PD，CD，CD，FIN，FIN授予ENA的完整奖励，fif of Septioner Edh，pd，pd，pd，CD，CD，CD填充1：50％Destapth Hhe Monitor Milestone 2：2024年4月EDH，PD，CD完整PD设施项目EDH，PD，PIN完整的PD设施EDH，PD，FIN完整的开发设计EDH的完整开发设计EDH，PD，PD，PD，PD，PD，PD，CD，CD，CD，CD，CD，CD，CD，fin in in Complading
