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电气与计算机工程 BSECE（电气工程专业）
电气与计算机工程理学士学位由电气与计算机工程系提供。该课程为学生在数字系统、嵌入式处理器应用、数字通信、控制系统、传感器网络、生物医学信号处理、微电子、计算机安全和电力网络等领域从事工程师职业做好准备。这些职业涉及电气和电子系统和设备的应用、开发、研究和设计。电气和计算机工程师参与电信网络、蜂窝电话、计算机和其他基于微处理器的设备、消费电子产品、航天器和机器人控制系统的设计和开发，以及电力和汽车行业的许多方面。
电气和计算机工程 BSECE，生物电气工程专业
电气与计算机工程理学士学位由电气与计算机工程系提供。该课程为学生在数字系统、嵌入式处理器应用、数字通信、控制系统、传感器网络、生物医学信号处理、微电子、计算机安全和电力网络等领域从事工程师职业做好准备。这些职业涉及电气和电子系统和设备的应用、开发、研究和设计。电气和计算机工程师参与电信网络、蜂窝电话、计算机和其他基于微处理器的设备、消费电子产品、航天器和机器人控制系统的设计和开发，以及电力和汽车行业的许多方面。
基于卫星的浑浊生产水体叶绿素 a 浓度估算
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1850 年网格月度海冰范围和浓度...
1 摘要 气候模型和再分析通常需要覆盖很长一段时间（大约一个世纪）的网格化泛北极海冰数据集。然而，卫星时代之前的基于观测的数据集在信息内容和格式上是异构的，因此难以用于长期数据记录。在这里，来自历史来源的观测是自 1850 年开始的每月网格化海冰浓度产品的基础。历史观测有多种形式：船舶观测、海军海洋学家的汇编、国家冰服务机构的分析等。1979 年，这些来源让位于单一来源：来自卫星被动微波数据的浓度。1850 年以后的网格化月度海冰范围和浓度基于早期的数据产品 (Chapman and Walsh 1991)，增加了历史来源，改进了用于合并来自不同来源的数据的技术，并向前和向后扩展了记录时间。数据以月度海冰浓度的形式在 netCDF4 文件中提供。这些字段表示单个月中日，而不是月平均值。数据位于四分之一度纬度乘四分之一度经度网格上，覆盖北半球 30 度以北。除了浓度变量之外，相应的源变量还指示 18 个可能源中的每一个的使用位置。包括逗号分隔变量文件中的区域和北极范围的冰范围和面积时间序列以及其他辅助文件。
PST 计划 A 目标水平 (TL) 浓度表
苯 0.005 0.0568 0.27 0.12 1.34 6.40 7.14 9.62 21.9 61.2 0.408 2.06 4.03 乙苯 0.7 3.65 5.21 36.8 88.8* 88.8* 3,270 22,400 525 32.3 9.22 28.2 7.77 甲苯 1.0 2.92 4.17 39.1 114 163 3,850 35,200 907 51.7 10.1 43.5 6.21 二甲苯（总量） 10.0 10.0 10.4 117* 117* 117* 1,870 9,280 202 46.6 17.5 51.7 15.5 苊 2.19 2.19 3.13 34.1 34.1 34.1 4,690 123,000 11,500 3.04 2.06 4.21 4.66 苊烯 2.19 2.19 3.13 54.7* 54.7* 54.7* 4,690 123,000 11,500 3.77 2.66 5.77 4.66 蒽 11.0 11.0 15.6 2.04 2.04 2.04 23,500 613,000 57,700 12.6 9.14 18.3 23.3 苯并-a-蒽 0.000852 0.00852 0.0406 7.1 7.1 7.1 6.37 55.3 486 0.0512 0.0034 0.00395 0.604 苯并-a-芘 0.0002 0.000852 0.00406 3.09* 3.09* 3.09* 0.639 5.66 53.4 0.00233 0.0002 0.0002 0.0604 苯并-b-荧蒽 0.000852 0.00852 0.0406 3.61* 3.61* 3.61* 6.38 55.9 507 0.0262 0.00166 0.00189 0.604 苯并-g,h,i-苝 1.1 1.1 1.56 0.824* 0.824* 0.824* 2,350 61,300 5,770 0.028 0.056 0.0967 2.33 苯并-k-荧蒽 0.00852 0.0852 0.406 1.35* 1.35* 1.35* 64 572 5,590 0.228 0.0166 0.0189 6.04 屈0.0852 0.852 4.06 1.24* 1.24* 1.24* 639 5,630 52,500 4.84 0.34 0.395 60.4 二苯并-a,h-蒽 0.0002 0.000852 0.00406 1.91* 1.91* 1.91* 0.64 5.72 55.9 0.0011 0.0002 0.0002 0.0604
本体热力学决定膜中表面氢浓度
未转化的反应物。在此步骤中，氢气可从混合物中分离出来，并在反应中重新使用。在未来以氢气为主要能源载体的情况下，分离和/或纯化能量昂贵的氢气将变得更加重要。[1–3] 一种有前途的方法是使用由吸氢金属（如钯和钯合金）制成的氢选择性膜。[4,5] 此类膜的渗透性取决于两侧的表面性质（解离/复合）和本体渗透性（扩散和溶解度）。[4] 人们已经进行了大量研究，以寻找比钯具有更高渗透性的廉价材料（例如钒、铌、钽及其合金[6–10]），然而，昂贵的钯和钯基合金由于其良好的表面性质仍然是优越的膜材料。 [5,11] 如果可以修改诸如钒基合金等廉价材料的表面性质以匹配钯的性质，它们将彻底改变该技术。尽管这个目标相当简单，但是对于这些理想的表面性质仍然存在知识缺口。大多数著作引用了表面科学的概念，描述了氢的物理吸附、解离（屏障）和化学吸附。[12] 但是，需要额外的步骤 - 跳跃到亚表面位点和相邻的本体位点 - 才能充分模拟渗透过程。尽管如此，由于步骤之间的复杂相互作用，建模的预测能力有限 [4,6,13]，更重要的是 - 由于缺乏原位氢分析，只能通过与非常基础的实验（渗透动力学，例如参考文献 [14]）进行比较才能进行实验验证。Baldi 等人已经证明了电子能量损失谱可以作为纳米颗粒中本体氢的分析方法。 [15] 在本文中，我们进一步开发了通过反射电子能量损失谱 (REELS) 原位探测氢化物薄膜表面氢含量的方法。该方法应用于实验方法，其中可以有意改变膜的表面性质并在操作条件下确定其氢含量。我们通过直接观察 Pd/V 复合膜中渗透对氢含量的依赖性证明了限速步骤的存在。建模得出了各个层的相关性，从而可以将结果与从氢吸收中获得的结果联系起来
HF蚀刻时间和浓度对硅晶片的影响
摘要：为实现更薄的微电子封装，生产所需厚度的新型半导体硅片不仅需要高成本和能源，而且还会造成环境污染问题。然而，这一问题可以通过使用一步化学蚀刻来生产所需厚度的硅芯片以进行适当的封装，从而简单地解决。在本研究中，使用各向同性的湿化学蚀刻法，通过改变HF蚀刻剂浓度来研究蚀刻时间对HF/HNO 3 /CH 3 COOH混合溶液中的Si晶片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟，HF蚀刻剂浓度在（20-24）wt％范围内。从结果可以看出，随着蚀刻时间的延长，重量损失和蚀刻深度的变化单调增加。然后根据重量损失和蚀刻深度随时间的变化来确定蚀刻速率。结果表明，Si晶片的蚀刻速率随时间降低，在较高的HF浓度下增大。在光学显微镜下观察到蚀刻后Si晶片的表面变得光滑抛光。 X 射线衍射图表明，蚀刻硅的晶体峰强度高于纯硅，随着 HF 浓度的增加，与 Si 相关的峰略微向 2θ 方向移动。目前的发现表明，化学蚀刻硅晶片的所需厚度可以潜在地装入微电子设备制造的更薄的封装中，从而减少能源和成本浪费，实现未来的可持续发展。
大气温度与二氧化碳浓度之间的关系
是单位质量（dirac delta函数）的（瞬时）脉冲。它也以无量纲形式表示，𝑔𝜂 =𝑔ℎ0𝑊0。有趣的属性（命题1）是IRF与停留时间的概率密度函数相同，因为输入是脉冲函数。储层，线性：流出与存储成正比的储层。任何其他类型的存储 - 输出关系关系定义了非线性储备。储层，sublrinear：一个储层，其中流出与升高到功率的存储成正比𝑏<1。储层，超级线性：一个水库，其中流出与升高到功率𝑏> 1的存储成正比。停留时间（𝑾）：粒子（分子）从进入其出口到其出口的时间持续时间。
信用/投资集中规范 - 信用风险转移
1仅用于折旧或不良和可疑债务的资产。2在用于抵消NBFC-ML暴露的州政府担保范围内，该风险重量应转移到州政府20％。没有固定的上限用于转移州政府的暴露。
通过空间浓度的Navier-Stokes方程的定量规律性
相对于Navier -Stokes缩放（2）并不是不变的，但由于存在对数分母，因此略微临界7。也让我们提到，在Tao的论文[47]之前，在存在轴向对称性的情况下，在[34]中获得了不同的略微超临界性标准。我们目前的论文的贡献是todevelopanewstrategy的估计值（请参见命题2.1和2.2），以了解Navier-Stokes方程，然后使我们能够在Tao的工作[47]基于量化关键规范的基础上构建。我们的第一个定理涉及在下面的命题2.1中规定的浓度的向后传播，以提供新的必要条件，以使Navier-Stokes方程具有I型I型爆炸。在t ∗处的I型爆炸的情况下，（2）中的非线性与扩散均具有启发性。尽管如此，无论是否可以在M大时排除I型爆炸，这仍然是一个长期的开放问题。现在让我们陈述我们的第一个定理。