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能源转型中心：“能源转型组件和系统”（CoSyET）项目
该计划的目标是创建一个技术创新基础设施 (II)，以支持意大利制造业，尤其是中小企业，获得最先进的仪器和能力，促进高效的研发、技术转让、创新流程，并提高其在能源转型方面的竞争力。基础设施“能源转型组件和系统”(CoSyET) 将位于都灵环境园区的“皮埃蒙特氢谷”框架内，意大利理工学院 (IIT) 的研究基础设施 (RI) 也位于此处。在同一地点，都灵理工大学、皮埃蒙特大区和 MISE 的 RI 也位于此处，并由 IIT 进行科学管理。
OPCoSA：针对空间应用的优化产品代码
集成电路的微型化增加了对电磁辐射的敏感度，也增加了存储器出现错误的概率和数量。关键应用系统采用错误纠正码 (ECC) 来缓解存储器故障。这项工作引入了针对空间应用的优化乘积代码 (OPCoSA)，这是一种对其原始版本 PCoSA 进行优化的 ECC，减少了 16 个冗余位并保持了高错误纠正能力。我们通过对 36 种特定错误模式、突发错误和穷举分析的测试来评估优化的 ECC。此外，我们将综合结果在硬件、可靠性和冗余度方面与其他四种专用于空间应用的 ECC 进行了比较。测试表明，OPCoSA 可以纠正所有 36 种错误模式和最多 4 种突发错误的 100% 的情况；此外，它对一至四维穷举错误的纠正率分别为 100%、100%、95.4% 和 78.9%。
人工智能与生成式人工智能 | CoSN
生成式人工智能 生成式人工智能是一种人工智能，它使用算法生成新数据，通常以图像或文本的形式出现。生成式人工智能的自然语言和知情响应能力让教育工作者感到惊讶。我们见证了从谷歌搜索提供超链接到 GPT（聊天生成预训练转换器）的跨越式发展，后者可以回复并完善合理的答案。
ATAS合格的主题：1。主题区域2。CAH3代码3。HECOS代码
（100118）卫星工程（100159）电信工程（100162）计算机系统工程（100163）电气和电子工程（100164）电气工程（100165）电子工程（100166）电子工程（100166） （100188）系统工程（100539）广播工程（100546）数字电路工程（100553）集成电路设计（100581）电力（101234）纳米技术（101353）（101353化学，过程和能源工程
前列腺素A
随着电源电压的降低，集成存储单元的辐射敏感度急剧增加。尽管有一些纠错码 (ECC) 研究可以防止用于空间应用的存储器出现故障，但是对于选择最佳的具有二维汉明码的 ECC 产品类型来缓解存储器中的数据故障，并没有达成共识。这项工作引入了空间应用产品代码 (PCoSA)，这是一种基于汉明码和行和列奇偶校验的 ECC 产品，用于具有空间应用可靠性要求的存储器。通过注入 (i) 文献中已有的三十六种错误模式和 (ii) 最多七位翻转的所有可能组合来评估 PCoSA 的潜力。PCoSA 已经纠正了三十六种错误模式的所有情况，它对任何三位翻转的纠正率为 100%，对四位翻转的纠正率为 82.67%，对五位翻转的纠正率为 69.7%。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射