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铬补偿的砷化甘氨酸传感器...
材料硅GAAS：CR CDTE平均原子重量14 32 50密度（g/cm3）2,33 5,32 5,32 5,85带隙（EV）1,12 1,43 1,5电阻率（OHM-CM） 480 400 100 𝜇𝜏电子> 1 1-5e-4〜1E-3孔> 1〜1e-4 1-4 1-10e-6稳定性（10分钟）<0.01％<0.1％<0.1％1％1-10％
过程补偿共振测试 (PCRT) 反演...
摘要。数字孪生范式基于这样的理念：通过创建真实组件的忠实虚拟对应物，可以更好地预测和监控组件的使用寿命和性能，从而提高最终产品的安全性和成本。此类模型需要准确输入零件的初始材料状态以及整个使用寿命中的使用中载荷和损坏状态。零件的共振频率与零件的材料状态和损坏状态相关。类似地，共振频率的变化与使用中载荷和损坏导致的零件材料状态的变化相关。过程补偿共振测试 (PCRT) 利用这些物理关系，使用测量的组件共振频率执行无损评估 (NDE) 和材料特性分析。先前的研究已经建立了模拟材料性能变化、晶体取向和损伤状态对共振影响的技术，以及量化从模型输入到输出的不确定性传播。本研究考察了使用 PCRT 模型反演来获取材料特性和校准真实组件的数字孪生。首先使用尺寸和质量测量为单晶镍基高温合金样品群创建数字孪生实例。然后，在从物理对应物收集共振光谱后，采用模型反演技术来估计每个部件的弹性性能和晶体取向。然后用模型反演输出校准数字孪生。随后通过将反演结果与统计上显著的物理样本群的共振和 x 射线衍射测量进行比较来验证这些数字孪生。结果突出了特定部件材料特性对数字孪生性能的价值，以及 PCRT 评估和提高数字孪生保真度的能力。
字母 A 1.2 V 2.18 ppm/°C 曲率补偿 CMOS 带隙基准
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路的关键元件，例如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的精度和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度
