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碳纳米管增强铜基质纳米复合
摘要：碳纳米管增强的铜基质纳米复合材料具有巨大的潜力，在Mainery，微电子和其他应用中具有巨大的潜力。这些材料通常是通过粉末冶金工艺制备的，其中合并是高性能的关键步骤。为了提高密度和机械性能，作者探索了使用热振荡压力（HOP）来制备这种材料的使用。在各种温度下，碳纳米管增强的铜基质纳米复合材料分别由Hop和Hot Press（HP）合成。与HP在相同温度下制备的样品相比，由HP制备的样品表现出明显高的密度和硬度，这是因为HOP的振荡压力在烧结过程中产生了明显的塑料塑料。随着烧结温度的降低，变形缺陷的量逐渐增加，在增加硬度中起着关键作用。这项工作是在第一次进行实验证明的，HOP可以比HP产生更大的塑性变形以促进致密化，并且HOP可能是准备高性能碳纳米管增强铜基质基质纳米复合材料的非常有前途的技术。
Cu的铜金属膜的原子层沉积（... 激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响 从改善粮食安全的创新中删除政治 现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析 使用可充电海水电池同时存储和海水脱盐：可行性和未来方向
铜金属由于其低电阻率和对电子的高电阻性而高度偏爱微电子的相互作用。[1]微电子设备中最小特征的尺寸计划到2022年达到3 nm限制，[2]设定了越来越严格的需求，以使该技术沉积该设备制造的连续低电阻式CUFILMS。原子层沉积（ALD）是一种基于相互脉冲前体的领先的气相薄膜技术 - 是微电子行业的理想选择，因为它固有地提供了高度的相结合薄膜，而不是复杂的几何形状和高光谱比率结构，并且可以使用高含量比率结构，并且可以覆盖厚度较高。[3] Challenge是为了找到行业，有效和可靠的ALD
高频LTCC应用的铜硼酸盐的烧结，微观结构和介电性能
摘要：通过固态合成和烧结，基于两个铜硼酸盐和Cu 3 b 2 O 6的新陶瓷材料，并将其表征为低介电介电介电常数的有希望的候选者，用于很高的频率电路。使用加热显微镜，X射线衍射测量法，扫描电子显微镜，能量分散光谱镜检查和Terahertz时间域光谱研究了陶瓷的烧结行为，构成，显微结构和介电特性。研究表明，频率范围为0.14–0.7 THz的介电介电常数为5.1-6.7，介电损失低。由于低烧结温度为900–960℃，基于铜硼酸盐的材料适用于LTCC（低温涂层陶瓷）应用。
高可靠性应用中的精细铜支柱翻转芯片
要跟上对较小天线的需求，其性能提高和成本下降，大多数下一代体系结构都要求更高的IC（集成电路）芯片集成。与传统的包装配置相比，高级芯片包装技术（例如2.5D和3D）提供了更大的芯片兼容性和较低的功耗。鉴于这些优点，不可避免地采用先进包装。在高级包装中，铜支柱互连是一个关键的启用技术，也是下一个逻辑步骤。这项技术提供了多种好处，包括改善电气抗性，改善的电导率和导热性，简化的弱化金属化金属化（UBM）以及更高的I/O（输入/输出）密度。铜支柱允许的细球有助于该技术取代焊撞技术，该技术达到了最低的40微米。更精细的音高允许更高的I/O计数，从而提高性能。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜研究...
太阳能电池是一种光伏装置，它通过吸收半导体中的光生载流子，将太阳能直接转化为电流。太阳能电池主要涉及三个过程：吸收光子产生电荷载流子、分离载流子和收集载流子。半导体材料通常吸收能量大于其带隙的光子。被吸收的光子激发电子从吸收材料中的价带移动到导带，从而产生电子-空穴对。产生的电荷载流子对要么重新组合，要么分离然后收集。吸收的光子取决于吸收材料的厚度和吸收系数。太阳能电池的关键部分是pn结的形成，pn结由两种连接在一起的半导体材料组成，其中一种是n型掺杂的，另一种是p型掺杂的。在CIGS太阳能电池中，各种不同的半导体材料用于形成pn结，因此这种结构称为异质结。使用异质结可以为电池提供宽带隙窗口层，从而减少表面复合。价带和导带
肺癌
1 Metamaterials for Mechanical, Biomechanical and Multiphysical Applications Research Group, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City 758307, Vietnam 2 Faculty of Applied Sciences, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City 758307, Vietnam 3 Young Researchers and Elite Club, Yasooj Branch, Islamic Azad University, Yasooj 7591493686，伊朗； Alal171366244@gmail.com 4 Ecam Lyon，Labecam，UniversitédeLyon，69005，法国里昂； ahmad.hajjar@ecam.fr 5机械工程系，工程学院，瓦迪·阿德瓦瑟（Wadi Addwaser），萨塔姆·本·阿卜杜拉齐兹（Sattam bin Abdulaziz Prince），瓦迪·阿卜杜拉西兹（Wadi Addwaser），沙特阿拉伯11991； oubeytaha@hotmail.com 6机械工程系，喀土穆大学工程学院，喀土穆大学11111，苏丹7实验室7实验室，托马斯克州立大学，俄罗斯汤姆斯克634050，汤姆斯克州立大学，汤姆斯克州立大学； sheremet@math.tsu.ru 8机械工程系，工程学院，伊朗Shahid Bahonar University，Kerman 7616913439，伊朗； Mohsensp@kth.se 9材料科学与工程系，KTH皇家技术学院，SE-100 44斯德哥尔摩，瑞典 *通信：Mohammad.ghalambaz@tdtu.edu.edu.vn（M.G.）; chrihs@kth.se（C.H.-S。）
氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]
带电域壁的异常运动和铜 - 氯酸盐中相关的负电容
最初发生（在≈297K时发生。在较低的温度（≈255k [1]）下，原始的高对称性偏置 - 正直态被恢复。与此重入相变相关的对称性在冷却时不可能增加。一些观察结果表明，这会在热容量中产生局部倾角，[1,2]在降低温度时暂停熵的降低。[1]奇怪的对称性转化也发生在通量生长的钛酸钡晶体中，在该晶体中，高度有序的“ Forsbergh模式”可以首先出现，然后随后逐渐消失，因为温度单调变化。[3,4]最近，人们认为加热会导致高元元迷宫铁电域模式，以使位于较低的对称条纹阵列：一种效果分类为“反向过渡”。[5]清楚地，对称变化偶尔会以与通常所见的相反意义发生。虽然基本的热力学定律没有破坏，但这种情况是不明显的，逮捕的，值得一提的。[6]