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低温的进步和未来方向...
摘要：复合材料由于其出色的机械性能和多功能性而在各个行业中获得了突出性。但是，加工这些材料会带来重大挑战，包括工具磨损，表面缺陷和热损伤。低温加工通常利用通常通过液氮或二氧化碳实现的极低温度，已成为缓解这些挑战的有希望的解决方案。通过最大程度地减少切割界面的热量产生，低温加工可以增强加工精度，表面效果和工具寿命，同时保留复合材料的结构完整性。本评论探讨了在复合材料的背景下的低温加工技术的应用，突出了它们提高制造能力并提高工业领域的可持续性的潜力。关键字：低温加工，复合材料，加工技术，工具磨损，表面完整性
用于量子工程的低温电子学
数千到数百万个敏感信号需要通过稀释制冷机的所有温度阶段进行传输，以操作由许多量子位组成的未来大规模量子处理器。导热同轴电缆数量的激增将超出制冷机的冷却能力，对量子核心造成不利影响。将控制电子设备降至低温允许使用现有的超导电缆，减轻低温阶段之间的热传导，并且似乎是实现操作量子位数可扩展性的明确途径。这项博士论文旨在探索在低温下将工业 CMOS 28nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术用于量子计算应用。我们的第一个目标是将有关低温下 FD-SOI 28nm 晶体管的稀疏现有知识扩展到电路设计的实际方面，然后用于开发紧凑模型。为了加快对具有长达一小时的固有冷却周期的单个器件的表征，我们设计了一个集成电路，该集成电路多路复用了数千个具有不同几何形状和栅极堆栈类型的晶体管，用于低频测量电流-电压特性和从 300 到 0.1K 的配对分析。我们讨论并分析了不同温度下电路设计中重要量的变化趋势，例如跨导、电导和单个晶体管的跨导与漏极电流比。其次，我们探索了半导体量子器件与经典电子器件的低温共积分和全片上集成，旨在实现低至毫开尔文范围的特定测量。我们首先通过设计和表征低功耗跨阻放大器 (TIA) 来关注量子点器件的亚纳安电流测量。高增益放大器成功应用于测量单量子点和双量子点器件的电流，这些器件分别通过引线键合几毫米或片上集成几微米。为了进一步利用集成到同一基板的优势，我们将 GHz 范围的压控振荡器连接到双点的其中一个栅极，以尝试观察完全集成设备中的离散电荷泵。最后，我们提出了一种新的测量方案，利用低温电子学功能作为众所周知的反射测量法的替代方案，解决了单个量子器件栅极电容的测量问题。通过在 200 MHz 范围内集成电压控制电流激励和电压感应放大器，两者都靠近连接到 LC 槽的量子器件，器件电容变化的读出电路变成纯集总元件系统，具有谐振电路的阻抗测量，而没有任何像反射法中那样的波传播。这种方法增加了测量装置的简单性和紧凑性。我们甚至用由晶体管和电容器组成的有源电感器取代了反射法中使用的笨重无源电感器，在相同电感下面积降低了 3 个数量级，从而提供了更好的可扩展性。由此产生的电路成功测量了 4.2K 下纳米晶体管的 aF 电容变化，揭示了栅极电容中随栅极和背栅极电压而变化的振荡量子效应。在这篇论文的最后，给出了一幅与电路架构和设计相关的挑战的图景，最终目标是进入大规模量子处理时代。
TIMKEN® 低温应用轴承
Timken 低温应用轴承经过专门设计和加工，可满足此类环境的极端要求。我们的轴承采用先进材料、专业热处理和混合设计，确保卓越的性能、可靠性和使用寿命。选择 Timken 满足您的低温轴承需求，体验无与伦比的质量和工程卓越性。
少量抗二烯电性能对低温应用聚合物的评论
摘要：最近，基于聚合物的复合材料在低温条件下的应用已成为一个热门话题，尤其是在航空航天领域。在低温温度下，聚合物变得更脆，温度引起的热应力的不利影响更为明显。在本文中，综述了热塑性和热塑性聚合物用于低温应用的研究开发。本综述考虑了有关的文献：（a）经过修饰的热固性聚合物的低温性能以及所报道的修饰方法的改进机制； （b）某些商业热塑性聚合物的低温应用潜力以及经过修饰的热塑性聚合物的低温性能； （c）最近将聚合物用于特殊的低温环境液氧的进步。本文概述了针对低温应用聚合物的研究开发。此外，已经提出了未来的研究指示，以促进其在航空航天中的实际应用。
表征低温 MEMS 开关的可靠性...
• 接触电阻在 1 分钟内迅速减小。然后在接下来的一个小时内逐渐减小。• 如果随后关闭开关并重复测试，则新的起始电阻会更低。• 如果关闭开关并保持关闭状态。下次打开时，接触电阻会再次升高。• 与 MEMS 开关的文献一致。• 注意：即使最高的接触电阻仍然相对较低（小于 2 欧姆）。
用于量子计算集成电路的低温电子学
3 格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS IMEP-LAHC，F-38000 格勒诺布尔，法国 通讯作者电子邮件：mikael.casse@cea.fr 我们概述了 FDSOI CMOS 晶体管在深低温下的性能，特别强调了背偏带来的好处。FDSOI 晶体管可在室温到低至 100mK 的温度下工作。测量和分析了主要的直流电特性、可变性和可靠性。我们还指出了在低温下出现的特定行为，并讨论了它们的物理起源和建模。 介绍 为了设计高效的量子计算机，需要将传统电子器件尽可能靠近量子比特 (qubit) 设备，考虑超导或 Si-spin 量子比特，以便读出和控制，从而减少对室温布线的需求 (1)。这种需求凸显了探索和开发低温 CMOS 技术的广泛重要性，其工作温度范围从 4.2K 到远低于 1K。此外，Si-spin 量子比特工艺也与 CMOS 工艺兼容，原则上可以将两者单片集成在单个芯片上 (2)、(3)。这可以为任何大规模量子处理器提供基本构建模块，通过设计可扩展的近量子比特低温电子器件来实现大规模量子比特矩阵索引，并最终开发容错通用门量子计算机 (4)。
低温流体管理投资组合项目
• Cryogenic thermal coatings • Automated Cryo-couplers • Propellant Densification • High Vacuum Multi-Layer Insulation (CELSIUS) • Unsettled liquid mass gauging • Low Leakage Cryogenic Valves & Components • High Capacity Cryocooler (20K 20W) • High Capacity Cryocooler (90K 150W) • Storage of LH 2 Utilizing both 90K & 20K Cryocoolers （2阶段冷却）
