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新的低温T型三旋转高压高 -
图1b显示了提出的三切口T型（3S-TT）桥腿，其开关节点SW 1可以与正，中或负轨道绑定，即中间或负轨，即𝑉in，p = in，p =𝑉in，n =𝑉n = in = in n = the，在相同的双极和/或三级输出电压能力中，与fb相同。与常规的TT桥腿[13]，[14]不同，中点开关S F，1用标准的GAN晶体管实现，而不是通过两个这样的晶体管的抗序列连接或单一的双向交换机[15] - [17]。由于通常是非常低的直流电压，通常是p≤2v和/或𝑉in，n≤2v：1c，只要gan hemt的基本（功能）对称性可以支撑负耗压电压𝑉ds <0，只要栅极少量电压𝑉gd gd t - ds> - ds> ds> - （𝑉ds> ds> ds> ds> ds> ds> - 𝑉t-t- t- t- gs）。因此，可以使用负栅极源电压𝑉gs在一定程度上增加反向阻塞能力。1，2有利地，在任何给定时间，在载荷电流路径（即与负载串联）中只有一个开关，而不是在FB的情况下而不是两个开关。因此，考虑到每个位置的相同数量的晶体管，提出的3S-TT将传导损失减少至少两个。3图进一步注意到，在3S-TT中，从S HS，1到中点开关S F的换向，1涉及低侧开关的反行二极管，如缩放波形所示。即，2进一步显示了FB的关键波形和提议的3S-TT相模块（即，在以下内容中考虑了𝑁pH = 1），在下面考虑了相同的输出电压以及（总数）串联电感器和输出滤波器套管器的相同需求和应力（请注意3S-TT的设备开关频率是3S-TT的设备开关频率是FB，但）。
低温真空间隙电容器频率依赖性的上限
摘要 在尝试开发基于电子电荷的电容标准时，一个多年来一直悬而未决的问题是真空间隙低温电容器的频率依赖性；关键的困难是：我们如何测量低至 0.01 Hz 的频率依赖性？在本文中，我们成功地将频率依赖性的上限设定为 0.01 Hz 至 1 kHz，约为 2 × 10 − 7 。我们通过考虑 Cu 电极表面绝缘膜的色散模型来实现这一点；该模型的关键预测是色散在低温下会降至非常低的值。通过测量有限频率范围内的频率依赖性，我们验证了这一预测，从而提供了足够的支持来得出该模型是正确的结论。我们还指出，与电容标准无关，这种低温电容器为非晶材料低温动力学等领域的测量提供了与频率无关的标准。
基于双层石墨烯的超级坡度低温FET
摘要：低温场效应晶体管（FET）为应用提供了巨大的潜力，最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者，低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压，只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而，在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂（MOS）FET中，由于疾病和MOS界面处的带电缺陷，实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里，我们表明，基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率，在0.1 K时表现出逆下阈值，接近250μV/dec，接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制，从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字：Bernal堆叠的双层石墨烯，带隙，子阈值坡度，疾病
文章实施了用于太空碎片分析的低温设施
摘要：本文源于对航天器材料降解和空间碎片形成的持续研究。提出了热真空循环低温设施的设计和实施，以评估低地球轨道（LEO）的空间碎屑的生成。描述了用于航天器外部材料评估的设施，并提供了一些获得的结果。基础设施是在欧洲航天局（ESA）的研究框架内开发的。低温设施的主要目的是模拟狮子座航天器环境，即热循环和真空紫外线（VUV）辐射，以模拟航天器材料降解和空间碎片的产生。在先前的工作中，LEO测试条件下的某些结果表明了低温设施对材料评估的有效性，即：卫星油漆的降解，其热光学特性发生了变化，从而导致覆盖片的排放；压力敏感粘合剂（PSA）的降解用于将魔术贴粘合到航天器上，并将多层绝缘（MLI）粘合到航天器上。生成的油漆片是空间碎片。因此，在太空任务的情况下，航天器失去了热屏蔽能力，PSA胶带的故障和魔术贴特性的丧失可能有助于释放完整的MLI毯子，这有助于产生太空碎片的产生，从而呈现出对主地球或地球或地球上太空任务的增长威胁的生成。
2025 年购买指南 - 美国低温学会
富兰克林·米勒是威斯康星大学麦迪逊分校机械工程系副教授。在加入该大学任教之前，米勒教授曾在 NASA 戈达德太空飞行中心的低温工程部门工作。在 NASA 任职期间，他致力于开发用于太空飞行任务的冷却系统，包括詹姆斯·韦伯太空望远镜上运行的系统。米勒教授拥有麻省理工学院机械工程博士学位和物理学辅修学位。他的博士研究工作包括模拟超流体 3He-4He 混合物的热力学行为以及开发一种用于低于 1 开尔文冷却的新型超流体焦耳-汤姆逊制冷循环。米勒教授指导过 23 名硕士生和 14 名博士生。自 2009 年以来，他还担任低温工程会议董事会成员，并担任 2013 年低温工程会议的项目主席
使用低温蓝宝石振荡器改进离子阱量子计算机
我们描述了一种灵活的微波合成系统，该系统由一个超低相位噪声低温蓝宝石振荡器 (CSO) 设计，可用作镱离子 (Yb+) 量子比特的主时钟。我们报告称，使用该合成系统，量子比特相干时间从 0.9 秒提高到 8.7 秒，提高了 10 倍，单量子比特量子门的误差为 1.6e-6。使用滤波函数方法 [1]，我们发现证据表明，0.9 秒的宝贵相干性受到精密级商用现成微波合成器 [1] 的相位噪声的限制。此外，我们还利用微波合成系统的灵活性来演示贝叶斯学习算法，该算法可以自主设计信息优化的控制脉冲来识别和校准定量动力学模型，以表征囚禁离子系统。我们通过实验证明，新算法在少量样本的情况下超过了传统校准方法的精度 [2]。
先进 CMOS 器件在低温下的可靠性和可变性
除了在航天工业、天文学和高精度计量 [1] 中的众所周知的应用外，在低温下运行的先进 CMOS 技术是实现大规模量子计算 [2]– [4] 和提高数据中心计算性能的下一个关键步骤之一。虽然后一种应用可能主要限于 77 K（LN2）的温度范围，但大部分集成量子比特控制系统将在液氦温度（4 K）（LNA、RF 振荡器等）下运行，甚至可以根据特定量子比特技术的功率和噪声限制在 mK 范围内运行。因此，经典 CMOS 逻辑与量子比特的紧密集成不仅有助于缓解布线限制，而且还能减少读写操作期间的信号失真。关于先进 CMOS 技术的最新出版物主要关注低温下改进的器件特性（亚阈值摆幅、导通电流、泄漏等）[5]–[7]。由于测量限制，例如低温恒温器中可用的探头数量（通常最多
低温推进系统的太阳白色热涂层
NASA目前正在研究在低地球轨道（LEO）中存储低温流体的潜力。具有容易用于高性能推进系统的低温推进剂在不久的将来对深空任务非常有益。在狮子座中储存低温流体的关键挑战之一就是最大程度地减少煮沸。为了应对挑战，NASA正在评估热绝缘层中的新概念。最近的一项实验研究评估了使用氧化Yttrium（Y 2 O 3）的可行性，形成成瓷砖或喷雾涂层，这些涂层可能可能用作深空中低温推进剂储存应用的热涂层。由于其温度和波长依赖于光学特性，这种“太阳白”材料可以反映出太阳的绝大部分辐射能，同时具有很高的红外发射率，以拒绝热量到深空。
Charms250：低噪声读数的低温前端ASIC或
丰富的氙气观测实验：•研究一种罕见的核衰减实验，称为中性剂量双β衰变•Nexo将在5000千克Xenon-136同位素中搜索中微子双β衰变（2 x 10 28核），从而使少数范围的腐烂范围及其范围的潜在腐烂范围•合并范围的范围范围，•用于从衰减中重建电子的动能的TPC•用于将生成的光信号转换为电信号的硅光化型（sipms）