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除了在航天工业、天文学和高精度计量 [1] 中的众所周知的应用外，在低温下运行的先进 CMOS 技术是实现大规模量子计算 [2]– [4] 和提高数据中心计算性能的下一个关键步骤之一。虽然后一种应用可能主要限于 77 K（LN2）的温度范围，但大部分集成量子比特控制系统将在液氦温度（4 K）（LNA、RF 振荡器等）下运行，甚至可以根据特定量子比特技术的功率和噪声限制在 mK 范围内运行。因此，经典 CMOS 逻辑与量子比特的紧密集成不仅有助于缓解布线限制，而且还能减少读写操作期间的信号失真。关于先进 CMOS 技术的最新出版物主要关注低温下改进的器件特性（亚阈值摆幅、导通电流、泄漏等）[5]–[7]。由于测量限制，例如低温恒温器中可用的探头数量（通常最多
先进 CMOS 器件在低温下的可靠性和可变性
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