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摘要 —本文概述了通用低温 CMOS 数据库的建立，其中 MOSFET 的关键电气参数和传输特性被量化为器件尺寸、温度/频率响应的函数。同时，进行了全面的器件统计研究，以评估低温下变化和失配效应的影响。此外，通过将 Cryo-CMOS 紧凑模型整合到工艺设计套件 (PDK) 中，设计了低温 4 Kb SRAM、5 位闪存 ADC 和 8 位电流控制 DAC，并在 EDA 兼容平台上轻松研究和优化它们的性能，从而为大规模低温 IC 设计奠定了坚实的基础。索引术语 —低温器件物理、温度相关紧凑模型、蒙特卡罗模拟、工艺设计套件、低温电路设计。
通用 Cryo-CMOS 器件建模和 EDA
主要关键词
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