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摘要：低温场效应晶体管（FET）为应用提供了巨大的潜力，最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者，低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压，只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而，在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂（MOS）FET中，由于疾病和MOS界面处的带电缺陷，实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里，我们表明，基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率，在0.1 K时表现出逆下阈值，接近250μV/dec，接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制，从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字：Bernal堆叠的双层石墨烯，带隙，子阈值坡度，疾病
基于双层石墨烯的超级坡度低温FET
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