机构名称：
¥ 1.0
在这项研究中，使用商业Flip-Chip Bonder在Pyrex和Silicon底物之间进行了Au-Sn Eutectic超薄金属堆栈（〜1μM）键的详细表征。通过在320至380 o C之间改变键合温度在2至10 MPa之间，在三个不同的键尺寸的9、49和100 mm 2上进行了彻底的配方表征和开发。结果表明，在较高的温度下观察到更好的键质量，但不受键压力幅度的影响。还发现，接触的平坦度是确定键均匀性并因此质量的最重要参数之一，这对于超薄金属键尤其重要。此外，这项研究特别强调通过透明的Pyrex顶部底物观察键均匀性和金属溢出。随着温度的升高，平均溢流宽度增加，在380 O C时达到300μm，但没有受到施加的键压力的显着影响。同时，超薄的键层使我们有可能观察到键区内形成的几种不同类型的微观结构，这提供了有关样品冷却速率，晶粒尺寸和金属间合金中的重要信息。在特定情况下，由于在共晶反应期间，Au和SN的迁移速率不同，因此在光学显微镜下在光学显微镜下观察到Kirkendall空隙。我们认为，这是使用非破坏性光学成像技术对键合合金中的空隙的首次成功观察。在成功表征金属回流后，从债券位点出发，一种简单的控制这种溢出的方法已通过精确控制的
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